西电电磁场与电磁波试卷4

西电电磁场与电磁波试卷4

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1、《电磁场与电磁波》模拟试卷4一、填空题(本大题共10小题,每小题3分,共30分)1.设,=,=,=02.在国际单位制中磁感应强度的单位是__________,电位移矢量的单位是__________磁导率的单位是__________,介电常数的单位是__________。3.静电场由产生,产生发散场;静磁场由产生,产生。4.电流密度的单位为,其数值等于。5.在任何情况下,媒质交界面处的切向和法向都是连续的。6.瞬时坡印廷矢量的定义为,其含义为。7.当均匀平面电磁波由理想介质1向理想介质2的界面垂直入射时,透射系数的值域为,反射系数的值域为;介质1中的合成电磁场为波,介质2中的合成

2、电磁场为波。8.在具有相同导磁率的两理想介质界面处,若由介电常数为的介质以入射角a向介电常数为的介质入射,则介质中的折射角。若,则;若要实现全反射,则应不小于。9.若,则+,它是向方向传播的横波。10.电基本阵子的方向函数为_____,方向系数为。二、单项选择题(本大题共10小题,每小题3分,共30分)1.是A.左旋圆极化B.左旋椭圆极化C.右旋圆极化D.右旋椭圆极化2.若两理想介质的导磁率相同,介质1边界处的磁场强度的切向和法向分量分别为和,介质2边界处的磁场强度的切向和法向分量分别为和,则A.,B.,C.,D.,3.的瞬时值为A.B.C.D.4.理想导体中的位移电流密度为A

3、.很大B.无穷大C.很小D.零5.当均匀平面波垂直入射到理想介质界面时,若透射波磁场振幅为入射波磁场振幅的1.5倍,则透射波的坡印廷矢量值为入射波的坡印廷矢量值的A.0.5倍B.0.75倍C.1.5倍D.2.25倍6.沿x方向传播的TM波必有A.B.C.D.7.海水的相对介电常数为80,电导率为4S/m,其相对复介电常数为80-j240的频率为A.300KHzB.3MHzC.30MHzD.300MHz8.均匀平面波由理想介质向理想介质斜入射时,发生全透射时的极化角为_____A.B.C.D.9.下述各式正确的是A.,B.,C.,D.,10.已知发射天线的辐射功率,用半波对称振子

4、对准接收,测得接收点的电场强度振幅为,则两天线之间的距离为A.B.C.D.一、分析计算题(本大题共4小题,每小题10分,共40分)1.求半径为均匀带电的导体圆盘轴线(轴)上任一点的电位。2.求空气同轴线(内导体外半径为,外导体内半径为)内外导体间的单位长电感。3.频率为1.5GHz的均匀平面波在=2.25、、s=0.3S/m的媒质中传播,若某处的磁场强度幅值为1A/m,求该处的传导电流密度的幅值。4.有一均匀平面波沿+x方向在=2.25的均匀理想介质中传播,已知f=1MHz,在t=0时x=0处的复振幅=jv/m,求1)平均坡印廷矢量;2)、的瞬时值表达式(除变量外都要算出数值)

5、《电磁场与电磁波》模拟试卷4答案一、填空题(本大题共10小题,每小题3分,共30分)1.设,=,=-3,=02.在国际单位制中磁感应强度的单位是,电位移矢量的单位是,磁导率的单位是,介电常数的单位是。3.静电场由电荷产生,电荷产生发散场;静磁场由电流产生,电流产生涡旋场。4.电流密度的单位为,其数值等于单位面积上的电流I/S。5.在任何情况下,媒质交界面处的切向电场强度分量和法向磁感应强度分量都是连续的。6.瞬时坡印廷矢量的定义为,其含义为单位面积上的功率流密度。7.当均匀平面电磁波由理想介质1向理想介质2的界面垂直入射时,透射系数的值域为,反射系数的值域为;介质1中的合成电磁

6、场为行驻波波,介质2中的合成电磁场为行波波。8.在具有相同导磁率的两理想介质界面处,若由介电常数为的介质以入射角a向介电常数为的介质入射,则介质中的折射角。若,则>;若要实现全反射,则应不小于。9.若,则+,它是向_—z_方向传播的横电波。10.电基本阵子的方向函数为,方向系数为1.5。二、单项选择题(本大题共10小题,每小题3分,共30分)1.是CA.左旋圆极化B.左旋椭圆极化C.右旋圆极化D.右旋椭圆极化2.若两理想介质的导磁率相同,介质1边界处的磁场强度的切向和法向分量分别为和,介质2边界处的磁场强度的切向和法向分量分别为和,则AA.,B.,C.,D.,3.的瞬时值为BA

7、.B.C.D.4.理想导体中的位移电流密度为DA.很大B.无穷大C.很小D.零5.当均匀平面波垂直入射到理想介质界面时,若透射波磁场振幅为入射波磁场振幅的1.5倍,则透射波的坡印廷矢量值为入射波的坡印廷矢量值的BA.0.5倍B.0.75倍C.1.5倍D.2.25倍6.沿x方向传播的TM波必有BA.B.C.D.7.海水的相对介电常数为80,电导率为4S/m,其相对复介电常数为80-j240的频率为DA.300KHzB.3MHzC.30MHzD.300MHz8.均匀平面波由理想介质向理想介质斜入

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