发光与发光器件.pdf

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1、,,,,,EL人们设法利用三重态刊中]/段宇宁原遵东效率较h低m为了提高有机效率。.吴继中国计量科学研究院热工处北京(1o。。13))/的发射提高其量子效率评述了如何利用三重态发射产粼.,1现代计量测试2008(4)3一8生的电致磷光提高有机EL效率间题图2参2(苏锡一一介绍了国内外在安)黑体辐射源建立与评价上的发展,现状通过积分法推导出温度均匀空腔有效发射率计算.,TN31282001010029公式进一步推导的近似计算公式可以作为对黑体空腔ueac。8一经墓唆琳怪的蓝色有机发光二极管~lBorgin有效发射率估算的依据图2参10(李瑞琴)light一emittingdiodeofs一q

2、uinolinolato.u,,,,,0432112001010026ilthim【刊中」/赵伟明朱文清张步新蒋雪茵张志.,光学元件表面粗糙度对第三代同步辐射光谏空间相干林许少鸿(上海大学材料科学与工程学院上海,eetofsurfaeeroughnessofoptieal(201800))200020(2)288性的影响一Eff/光学学报一一,eeentsbnspataeoereneeoravbeas合成了8一轻基喳琳锉iLq其光致发光(PL)峰值lmilhfX一m,。4nmfromthethirdgenerationsynehrotronradiation在70是一种色纯度好的蓝光材料所

3、用的两种器::AITO/TPD/iLq/Al和BITO/TPD/iLq/,,,件结构为sources[刊中」/王云肖体乔徐洪杰(中科院上海原。qaiF/lAT.lA其中芳香族二胺衍生物为空穴输运,,,L/DP子核研究所上海(2018。。))陈敏陈建文徐至展(中,,。nm)q.层(6iL在结构A中作为电子输运层和发光层,科院上海光机所上海(201800)/光学学报200一,,而在结构B中则用AlqILF/lA作为阴.作电子输运层20(4)一553一559。极图2(严寒),以单丝的同轴全息干涉花样为判别标准通过计算,机数值模拟研究了eB窗的表面粗糙度对硬X射线相.TN3128200101003

4、0.干特性的影响提出了X射线在粗糙表面反射的一个简ghlybrigheo有机高亮度黄光发光=极管~Hityllw,单模型以此为签础模拟研究了反射镜表面粗糙度对硬,,,一emittingorganiediode[刊中]/黄劲松谢志元.X射线及软X射线空间相干特性的影响图8参4(严,,,杨开霞李传南侯晶莹刘式墉(集成光电子学国家重)寒.,,,点联合实验室吉林长春(13。。23)南金戴国瑞(吉林.,大学电子工程系吉林长春(130023))/半导体学.,报200021(1)一76一78一发光与发光器件,用有机小分子制备的高亮度黄光电致发光器件在cZ,19V下器件亮度可达4。。。0d/m而外量子效率

5、达.3.O月8231200101002,。4%图s参12(李瑞琴)plasa单泡声致发光过程的等离子体描述一AmdeseriptionofsinglebubblesonolumineseeneeTN3832001010031.,((1008的)a:〔刊中〕/徐宁中科院物理研究所北京/物温度和电场对一SICHTFLED发光亮度的影响-..,理一200029(5)一257一258EffeetoftemPeratureandeleetriefieldona一,对单泡声致发光过程采用等离子体描述考虑了各:,,SICHTFLEDluminosity11王晓东[刊中〕/周亚习,.种等离子体输运过程假设

6、了声致发光的韧致辐射机,(宁彼大学浙江宁波(315211))/半导体光电一,,制数值模拟的结果与实验很好地吻合预言了声致发,,200021(1)71一72封3.一光中可能出现的极端电现象参10(李瑞琴),通过载流子注入和复合输运模型分析比较了温度a:和电场对pin注入型非晶硅碳薄膜发光二极管(一SIC.0482312001010028。HTFLED)发光亮度的影响分析表明发光有源i层内电致磷光及其有机EL的t子效率提高~大电场尤其是大电流引起的高温度决定着大电流下二eetroosereseeneeanroveentoElphphdimpmf。极管的发光亮度图3(任延同),quantuece

7、neyinorganemffiiiEL[刊中]/李文连.,(长春(13。。22))TN3832001010032中科院长春光机所吉林/液晶与显..n,zeangap示一200015(1)一67一70se宽带隙半导体光发射器件一Wid一bd一,,Znsesemieonduetorlit一ettngdevees[刊一般有机电致发光器件仅利用了单重态发射因而ghmiii一5一.。,中]/何兴仁(重庆光电技术研究所重庆(4。。0

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