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1、.。、不确定度低于。016%然后利用低温辐射计定标作为标准、和结温的原理试验装置测量步骤和影响测试结果的因,一。、传递探测器的硅陷阱探测器从而建立可见近红外波段陷,素研究结果表明该方法具有测试结构简单稳定性高,.。阱探测器的绝对光谱响应率标准其不确定度小于。028%,_等特点可作为高功率IED热阻和结温的标准测试方法结果证明了在此波段以探测器为基础建立和传递高精度图6参1(杨妹清)。光辐射标准的合理性和可行性图4表2参9(杨妹清).丁N31282005053219基于金属线路板的新型大功率LED及其光电特性研究一AnewtyPehighPowerlightingemittingdiodeb
2、asedon发光与发光器件,antsoo一eeereaearaeer:sesMCPCBdiptltilhtti中刁/李炳〔刊.,TN31282005053215乾(佛山科学技术学院物理系广东佛山(52800)),/光.aton,一GN基发光二极管芯片提取效率的研究一Sduyhght子学报一200534(3)一372374extraeoneeeneoa一aselr一e、noe、tiffiiyfGNbdlghnittigdid设计制作了基于金属线路板和板上芯片技术的大功,。s,,chip中二/申屠伟进(清华大学电子工程系集成光电率白光LED对其光电特性进行了实验测量输人电流达仁刊..,0mA,
3、33,LED子学国家重点联合实验室北京(1。。。84))胡飞⋯/光电到80对应的输人功率W大功率的输出光。,,..,一9mA子激光一200516(4)一384389通量才达到饱和输人电流达到0对应的输人功.,一GaN率3SW大功率LED电流电压特性仍未表现出饱和特基于蒙特卡罗方法模拟分析了限制基发光二极,。,s。a管(LEI))芯片光提取效率的主要因素结果表明GN性实验结果表明采用金属线路板和板上芯片技术可以,。与蓝宝石之间的较大折射率差别严重限制了芯片光提取得到良好的散热特性大大提高LED的输人功率同时,、、,a效率的提高通过蓝宝石背面出光比通过p型GN层的还测量了光谱分布光通量色坐标随
4、电流的变化情况对。,;aN光其中的变化规律进行了理论分析图5参6(严寒)正面出光的芯片光提取效率至少高20%同时低G、吸收系数高电极反射率以及环氧树脂封装可以有效地增.LEDs4拜m以TN3831200505322《卜加芯片光提取效率并且芯片尺寸在0下。之Highlycifc:ent时光提取效率较高图6表3参13(严寒)高效率高亮度红色有机电致磷光器件.rtreoraneceerooosoresecnte、ocbighdgiltphtphdi仁刊中少,(T入31282005053216吴有智兰州理工大学材料科学与工程学院有色金属新.,,unlt兰州(73005。))用于投影机的发光二极管照
5、明单元一ALEDllghtfor材料国家重点实验室甘肃朱文清⋯才.,.,一thopr(ct(光学学报一200525(5)719720)e]or〔刊中」/王蔚生上海交通大学光学工程研究一..一一一,28所上海(20030))姜维⋯/光学学报一200525在一种红色有机电致磷光器件中采用双(甲基吟一一一一一-.setu:nonatoen一)4bi(2mhyl8qli)4phyl(6)一855859琳联本氧基铝〔,,、、phenolatealuminurnBAlq和激子阻挡层得到提出了一种由一个发光二极管一个准直镜一个前〕为空穴了、。蝇眼透镜和一个后蝇眼透镜组成的用于投影机的发光二效率亮度和色度
6、俱佳的发光器件器件最高亮度为10362..,cd/nrz最高外量子效率为7。%,器件色坐标仁oCisison极管照明单元由数个照明单元加上会聚透镜构成一个基~.,nrernaonaee,earaecoornates。ItildlElig(exE)di二为0672本的照明系统发光二极管的发光经准直镜压缩光束发.。,,,。321另外在大电流密度10AmZ散角后被前蝇眼透镜分割为多个细光束会聚透镜将每个m’c/下量子效率仍.。,有43%该器件性能指标基本能够满足彩色动态显细光束都叠加会聚到显示芯片上实现光能量的会聚和光示中。,36()场再分布以满足投影机对光通量和光场均匀性等方面的对红色发光的要
7、求图参杨妹清,。要求后蝇眼透镜用于与后续光路的匹配作为照明单元,的一个应用实例文中分析了一种单片式硅上液晶投影。机图3参18(于晓光)光源与照明光学.42005053221IN312吕2005053217丁M923一sC、non-ettLED光色度测试中存在的问题探讨一iDusioprob基于声光传感技术的楼道灯的研制一Delolpmenofhe.lerlzsInmeasuringphotometrieandeolor
