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1、出现过一种降级的电池片，是由于刮刀有缺口，造成三根主栅上都有一条突起的刮痕，容易引起包装碎片和焊接碎片，希望各班引以为戒，发现相似的问题，及时更换刮条。G档分类1、扩散面放反：Uoc:0.57—0.60Isc：1左右Rs:100-200左右Rsh:10以内，约为1FF：50以内（30-40）Irve1:12（也有正常的）Ncell:2%左右主要参数特征：Irev1>12,Rs>100,Isc=1左右。解释：扩散时下面和背面都成N型，但背面N型扩散的结浅，扩散面放反后，原下面的N型被Al掺杂为P型，原背面的浅结很容易被烧穿。2、部分扩散：Uoc:0.58—0.6
2、0Isc:3—4Rs:10—20Rsh:10以内FF：50-60左右Irev1接近12Ncell:10%左右主要参数特征：Isc减小，Rsh<5,η=10解释：与上一个情况类似，下面有很多浅的结（被遮住的部分），形成局部烧穿漏电。3、正面粘有铝浆Uoc0.1左右Isc:3左右Rs负的Rsh:0Irev1>12Ncell<1%FF:24—25主要参数特征：Rs=-30mΩ,Rsh=0,Irve1>124、N型片或高度补偿Uoc0.02-0.06Isc:5左右Rs-20左右Rsh:0Ncell：2-3%FF:100—200主要参数特征：Rs<0,Rsh=0,FF>
3、100,Irev1=0.03解释：N型片背面印刷铝浆后成为P+型，下面扩散后形成N+型，从而产生电流。5、方块电阻偏大Uoc0.60-0.61Isc:4左右Rs:20左右Rsh:10-20Ncell：10%左右FF:50—60Irev1接近1主要参数特征：Rs偏大,Isc偏小,Rsh偏小解释：方块电阻不均的直接影响就是薄层电阻，此外应为方块电阻偏大，致使薄层电阻偏大，串联电阻增大。6、方块电阻偏小Uoc0.2左右Isc:3左右Rs:-0.07左右Rsh:0.2以下Ncell：1%左右FF:24多一点Irev1>127、没有扩散Uoc0.0002左右Isc:0.
4、03左右（正常偏低）Rs=0或为负Rsh<10或为0Ncell：为0FF:300-800Irev1接近12或大于12主要参数特征：电压和电流基本为0，串联电阻为0.解释：没有P-N结。8、银浆混合不均匀Uoc0.62左右Isc:4.8左右Rs=3-6Rsh：60-90Ncell：10%左右FF:50左右Irev1<0.2主要参数特征：串联电阻偏大，短路电流偏小，并联电阻偏大解释：玻璃粉偏少，银不能与硅充分结合，从而增大了串联电阻。并联电阻的增大是由于复合中心的减少（一般在金属电极与硅接触的地方会形成复合中心）。9、刻蚀未刻透Uoc0.57左右Isc:1左右Rs
5、=0左右Rsh：1-2Ncell：1-2%左右FF:30-40Irev1>1210、刻过，将PN结腐蚀掉了。Irev1很大。11、不明原因Uoc0.4-0.5Isc:0.6-0.8Rs:-2000左右Rsh：1-4Ncell：1左右FF:30-40Irev1>12主要参数特征：Rs<1000mΩ,Irve1>12解释：应为严重烧穿。特殊：Uoc,Isc,Rs,Rsh,η,FF,Irve1>1212、测试异常：Rs值达到数千，这应该是软件问题。重装软件时，DB和DATA不用拷贝，其它文件直接覆盖，Irev1=0，应该是反向偏压设置错了。13、周边未刻蚀。Rsh<
6、1,Irev1>12排查G档片原因的步骤：1、看电性能参数，然后对照G档片原因分析表，看一下是否以前曾出现过类似情况，不过G档片分析表只能做为参考，不应当作证据指证任何工序。2、观察外观是否有异常，如下：①背场是否有滚轮印（4条），判断是否为RENA刻蚀不透。②观察是否为击穿和隐裂。③观察是否有边缘漏浆的现象。④观察是否背电极印偏的现象。⑤观察是否有微晶现象（1厘米内的晶粒数多于10个）。⑥观察是否有手指印现象。⑦观察是否有断栅的现象。⑧观察背场是否有特殊的图形和印迹。⑨观察是否有刻蚀线，若没有可以尝试打磨。3、观察烧结炉是否炉温存在异常波动，若Rs偏大的片子
7、较多可以重烧。4、观察测试是否有异常，将G档片放入其他线进行测试。5、若为Rs偏大，可以更换网版刮刀浆料，有可能为浆料搅拌不均匀，或被污染或干浆料瓶料瓶底料。6、片源是否为试验片，是否为板P，是否为返工片，是否前面有流程卡混乱的情况。烧结炉进水压力和出水压力都在4-6之间，若有异常通知设备人员放水，同时观察过滤网是否有杂质附着，若堵塞，会进水，压力>6.5，出水压<4.在做板式PECVD出来的硅片，将会有4个对边分布挂痕，在丝网印刷的第一台背极印刷，放片时，要尽可能将挂痕压在主栅线上，这样使PECVD尽可能不影响硅片的外观。烘干炉停下以后，降温以后，再启动容易
8、在炉顶上凝结，有机物液滴，有可能滴到片
