太阳能电池片丝网印刷知识点汇总.doc

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1、个人收集整理勿做商业用途出现过一种降级的电池片,是由于刮刀有缺口,造成三根主栅上都有一条突起的刮痕,容易引起包装碎片和焊接碎片,希望各班引以为戒,发现相似的问题,及时更换刮条。G档分类1、扩散面放反:Uoc:0.57—0.60 Isc:1左右 Rs:100-200左右 Rsh:10以内,约为1FF:50以内(30-40)   Irve1:12(也有正常的)  Ncell:2%左右主要参数特征:Irev1>12,Rs>100,Isc=1左右。解释:扩散时下面和背面都成N型,但背面N型扩散的结浅,扩散面放反后,原下面的N型被Al掺杂为P型

2、,原背面的浅结很容易被烧穿。2、部分扩散:Uoc:0.58—0.60 Isc:3—4Rs:10—20Rsh:10以内FF:50-60左右Irev1接近12  Ncell:10%左右主要参数特征:Isc减小,Rsh<5,η=10解释:与上一个情况类似,下面有很多浅的结(被遮住的部分),形成局部烧穿漏电。3、正面粘有铝浆Uoc0.1左右 Isc:3左右  Rs负的Rsh:0Irev1>12Ncell<1% FF:24—25主要参数特征:Rs=-30mΩ,Rsh=0,Irve1>124、N型片或高度补偿Uoc0.02-0.06Isc:5左右

3、Rs-20左右Rsh:0 Ncell:2-3%  FF:100—200 主要参数特征:Rs<0,Rsh=0,  FF>100,Irev1=0.03解释:N型片背面印刷铝浆后成为P+型,下面扩散后形成N+型,从而产生电流。5、方块电阻偏大Uoc0.60-0.61 Isc:4左右Rs:20左右  Rsh:10-20  Ncell:10%左右 FF:50—60 Irev1接近1主要参数特征:Rs偏大, Isc偏小,Rsh偏小 解释:方块电阻不均的直接影响就是薄层电阻,此外应为方块电阻偏大,致使薄层电阻偏大,串联电阻增大。6、方块电阻偏小Uo

4、c0.2左右 Isc:3左右Rs:-0.07左右   Rsh:0.2以下  Ncell:1%左右 FF:24多一点 Irev1>127、没有扩散Uoc0.0002左右 Isc:0.03左右(正常偏低)Rs=0或为负   Rsh<10或为0Ncell:为0 FF:300-800Irev1接近12或大于12主要参数特征:电压和电流基本为0,串联电阻为0. 解释:没有P-N结。8、银浆混合不均匀Uoc0.62左右Isc:4.8左右Rs=3-6  Rsh:60-90 Ncell:10%左右FF:50左右   Irev1<0.2主要参数特征:串

5、联电阻偏大,短路电流偏小,并联电阻偏大解释:玻璃粉偏少,银不能与硅充分结合,从而增大了串联电阻。并联电阻的增大是由于复合中心的减少(一般在金属电极与硅接触的地方会形成复合中心)。9、刻蚀未刻透Uoc0.57左右  Isc:1左右  Rs=0左右Rsh:1-2 Ncell:1-2%左右FF:30-40 Irev1>1210、刻过,将PN结腐蚀掉了。Irev1很大。11、不明原因Uoc 0.4-0.5 Isc:0.6-0.8 Rs:-2000左右Rsh:1-4Ncell:1左右 FF:30-40  Irev1>12主要参数特征:Rs<10

6、00mΩ,  Irve1>12解释:应为严重烧穿。特殊:Uoc,Isc,Rs,Rsh,η,FF,Irve1>12个人收集整理勿做商业用途12、测试异常:Rs值达到数千,这应该是软件问题。重装软件时,DB和DATA不用拷贝,其它文件直接覆盖,Irev1=0,应该是反向偏压设置错了。13、周边未刻蚀。Rsh<1,Irev1>12排查G档片原因的步骤:1、看电性能参数,然后对照G档片原因分析表,看一下是否以前曾出现过类似情况,不过G档片分析表只能做为参考,不应当作证据指证任何工序。2、观察外观是否有异常,如下:①背场是否有滚轮印(4条),判

7、断是否为RENA刻蚀不透。②观察是否为击穿和隐裂。③观察是否有边缘漏浆的现象。④观察是否背电极印偏的现象。⑤观察是否有微晶现象(1厘米内的晶粒数多于10个)。⑥观察是否有手指印现象。⑦观察是否有断栅的现象。⑧观察背场是否有特殊的图形和印迹。⑨观察是否有刻蚀线,若没有可以尝试打磨。3、观察烧结炉是否炉温存在异常波动,若Rs偏大的片子较多可以重烧。4、观察测试是否有异常,将G档片放入其他线进行测试。5、若为Rs偏大,可以更换网版刮刀浆料,有可能为浆料搅拌不均匀,或被污染或干浆料瓶料瓶底料。6、片源是否为试验片,是否为板P,是否为返工片,是

8、否前面有流程卡混乱的情况。烧结炉进水压力和出水压力都在4-6之间,若有异常通知设备人员放水,同时观察过滤网是否有杂质附着,若堵塞,会进水,压力>6.5,出水压<4.在做板式PECVD出来的硅片,将会有4个对边分布挂痕,在

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