电解液浓度对BaxSr（1-x）TiO3微弧氧化膜微观结构及介电性能的影响.pdf

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1、第42卷第8期人工晶体学报Vo1．42No．82013年8月JOURNAL0FSYNTHETICCRYSTALSAugust，2013电解液浓度对BaxSr(1-x)TiO3微弧氧化膜微观结构及介电性能的影响王敏，郭会勇2，李文芳，张果戈(1．广东技术师范学院机电学院，广州510635；2．河南平高电气股份有限公司，平顶山467001；3．华南理工大学材料科学与工程学院，广州510640)摘要：用Sa(OH)·8H2O和Sr(OH)·8H：O配制电解液，工艺参数分别设置为电流密度20A／din、电流

2、频率100Hz、反应时间20min及占空比85％，采用微弧氧化法在工业纯Ti板(99．5％)表面原位生长BSrr-x)TiO，薄膜。分析了相同B82／Sr2比条件下，电解液浓度对薄膜物相、表面形貌及薄膜厚度的影响。结果表明：所得薄膜均主要由四方相BaoSr0TiO构成；Ba2和sr2各为0．2mol／L时所得薄膜的表面平整度及致密性最好，表面粗糙度值最小，并检测了该薄膜在不同频率下的介电常数和介电损耗，发现两者均随频率的增加而减小；薄膜厚度随电解液浓度的增加而增加。关键词：BaSrf1_、TiO；微

3、弧氧化；介电性能中图分类号：TM22+3文献标识码：A文章编号：1000-985X(2013)08—1584-06EfectsofElectrolyteConcentrationontheDielectricPropertiesandMicrostructureofBaSr(1)TiO3FilmsPreparedby一MicroarcOxidationWANGMin，GUOHui—yong，LIWen-fang。，ZHANGGuo．ge(1．CollegeofMechanicalEngineerin

4、g，GuangdongPolytechnicNormalUniversity，Guangzhou510635，China；2．HenanPinggaoElectricCompanyLimited，Pingdingshan467001，China；3．SchoolofMaterialandEngineering，SouthChinaUniversity，Guangzhou510640，China)(Received23January2013，accepted14May2013)Abstract：Bas

5、rflTiO3(BsT)thinfilmswerefabricatedbymicroarcoxidation(MAO)inanaqueoussolutioncontainingbariumhydroxideandstrontiumhydroxide．UnderthefixedratioofBa／Sr2．theinfluencesofelectrolyteconcentrationwerestudiedonthecrystallinestructure，morphologyandthickness．I

6、twasdemonstratedthatthefilmswerecomposedmainlyoftetragonalBa0．5sr0．5TiO3．111eBsTpreparedusinganelectrolytecomaining0．2moL／Lbariumhydroxideand0．2mol／Lstrontiumhydroxidewasfiatanddense，whichhadtheminimumsurfaceroughnessvalue．Alsoitsdielectricconstantandd

7、ielectriclosswerecharacterizedunderdiferentfrequencies．Itwasfoundthatwiththeincreaseoffrequency，bothdielectricconstantanddielectriclossweredecreased．Thefilmsthicknesswasincreasedtlltheincreaseofelectrolyteconcentration．Keywords：BaSr(1)TiO3；micro—arcoxi

8、dation；dielectricproperty一收稿日期：2013-01-23；修订日期：2013-05—14基金项目：中央高校基本科研业务费专项资金(2012ZZ0011)作者简介：王敏(1978一)，女，浙江省人，讲师，硕士。E—mail：winawmag@163．corn第8期王敏等：电解液浓度对~axSr(TiO，微弧氧化膜微观结构及介电性能的影响1引言BaSr，一TiO(0≤≤1)(简称BST)因兼具BaTiO，高介电常数、低介质损耗、低漏电流密度和Sr