使用L.Edit画反相器的布局图.ppt

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1、使用L-Edit画反相器的布局图（1）打开L-Edit程序（2）另存新文件：选择File→SaveAs，重命名，比如ex10（自己随意设定）（3）取代设定：选择File→ReplaceSetup命令，单击右侧的Browser，选择:TannerEDAL-Edit11.1samplessprexample1lights.tdb文件，然后点击ok，会出现警告，按确定钮。（4）绘制NWell图层：横向24格，纵向15格（5）绘制Active图层：横向14格，纵向5格（6）绘制PSelect图层：横向18格，纵向9格（7）绘制Poly图层：据横向2格，纵向9格（8）绘制Ac

2、tiveContact图层：横纵2格（9）绘制Metal1图层：纵横4格（10）设计规则检查：由于绘制的图样是要制作集成电路的光罩图样，必须配合设计规则绘制图层，才能确保流程时的效率。设计规则检查Tools—DRC或按快捷按钮(11)截面观察：利用L-Edit的观察截面的功能，可观察该布局图设计出的组件的制作流程与结果。选择Tools—Cross-Section命令(或单击按钮)，将打开GenerateCross-Section对话框，单击其中的Browser按钮，在弹出的对话框中选择..TannerEDAL-Edit11.1＼samples＼spr＼example1＼li

3、ghts．xst文件，单击其中的Pick按钮在编辑画面选择要观察的位置，再单击GeneratCross-Section对话框的OK按钮。(12)重新命名：将Cell0的名称重新命名，可选择Cell—Rename命令，打开RenameCellCell0对话框，将cell名称改成pmos(13)新增NMOS组件：选择Cell—New命令，打开CreateNewCell对话框，在其中的Newcellname文本框中输入“nmos”，单击OK按钮。(14)编辑NMOS组件：依照PMOS组件的编辑流程，建立出Active图层、NSelect图层、Poly图层、ActiveContact图

4、层与Metal1图层其中，Active宽为14个格点，高为5个格点：Poly宽为2个格点，高为9个格点：NSelect宽为18个格点，高为9个格点；两个ActiveContact宽皆为2个格点，高皆为2个格点：两个Metal1宽皆为4个格点，高皆为4个格点(15)设计导览：选择view按钮，打开DesignNavigator窗口，可以看到Ex10文件有nmos与pmos两个cell(16)保存文件，然后新建文件ex11，设置与上个一样（17）复制组件：选择Cell—Copy命令，或单击按钮，打开SelectCelltoCopy对话框，单击其中的Browser按钮，在出现的对话框

5、中选择刚才所编辑的文件Ex10．tdb，再在SelectCelltoCopy对话框中选择nmos组件，单击OK按钮，则可将nmos组件复制至Ex11．tdb文件中。之后再以同样的方式将pmos组件复制到Ex11．tdb文件中。（18）引用nmos组件：使ex11文件的Cell0为当前编辑窗口，选择Cell—Instance命令，打开SelectCelltoInstance对话框，可以看到，在组件列表中有Cell0，nmos与pmos这3个组件，选择nmos组件再单击OK按钮，可以看到编辑画面出现一个nmos组件，（19）引用pmos组件：使ex11文件的Cell0为当前编辑窗口

6、，选择Cell—Instance命令，打开SelectCelltoInstance对话框，可以看到，在组件列表中有Cell0，nmos与pmos这3组件，选择pmos组件再单击OK按钮，在编辑画面多出一个与nmos重叠的pmos组件，可利用Alt键加鼠标拖曳的方式分开pmos与nmos（20）设计规则检查：系统显示有2个错误，都是违背了设计规则2．3b，并标出发生错误的坐标范围。先回到Ex11．tdb文件，观看本范例设计规则的2．3b规则是什么，此规则说明ndiff层与NWell有最小距离的限制，最小距离为5个Lambda。其中，ndiff即为fieldactive与NSele

7、ct交集。将nmos距离与pmos距离拉开一点，使NWell与nmos的Active区至少大于5个格点即可通过设计规则检查。(21)新增PMOS基板节点组件：选择Cell—New命令，打开CreateNewCell对话框，在Newcellname文本框中输入“Basecontactp”，单击OK按钮。(22)编辑PMOS基板节点组件：由于PMOS的基板也需要接通电源，故需要在NWell上面建立一个欧姆节点，其方法为在NWell上制作一个N型扩散区，再利用ActiveContact将金属线接至