半导体物理器件期末总结2011.ppt

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1、半导体器件物理常州信息职业技术学院一、填空题（10分）二、选择题（20分）三、判断题（20分）四、名词解释（15分）五、问答题（12分）六、作图题（11分）七、计算题（12分）题型与比例第1章半导体中的电子状态常见的半导体材料（单晶、多晶、非晶、第一、二、三代材料）常见半导体材料的晶格结构（金刚石、闪锌矿、钎锌矿）、制备器件常用晶圆的晶面指数原子的能级、能级图（泡利不相容原理、玻耳兹曼分布律、玻尔频率条件）晶体中的电子状态（共有化运动）导体、绝缘体、半导体的能带（导带、价带、禁带、导带底、价带顶、禁带宽度、直接带隙型、间接带隙型）半导体中载流子（电子、空穴）有效质量（意义、内外层区别

2、、导带底、价带顶）第2章半导体中杂质和缺陷能级本征半导体、本征激发、本征载流子浓度杂质半导体（替位式杂质和间隙杂质、n型半导体和p型半导体、施主杂质和受主杂质及其电离过程、杂质补偿作用、浅能级杂质和深能级杂质）半导体中的缺陷能级（点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷、空位、层错、位错）第3章半导体中的载流子的统计分布状态密度费米能级和载流子统计分布（费米能级、导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度）热平衡状态、热平衡载流子、本征半导体载流子浓度杂质半导体载流子浓度（与温度关系）第4章半导体的导电性载流子的漂移运动（迁移率）载流子的散射（电离杂质散射、晶格振动散热）迁移率与杂质浓度和温度的关系电

3、阻率与杂质浓度和温度的关系）第5章非平衡载流子非平衡载流子的注入（热平衡状态、非平衡状态、非平衡载流子、非平衡少子、非平衡载流子注入、准费米能级）非平衡载流子的复合（非平衡载流子寿命、直接复合、间接复合、俄歇复合、能量的释放途径、深能级的杂质是有效的复合中心）非平衡载流子的运动规律（扩散运动、漂移运动、爱因斯坦关系式）第6章pn结PN结形成、空间电荷区、平衡PN结的能带图及平衡PN结的特点。PN结接触电势差、PN结的载流子分布非平衡状态下的PN结及其能带图理想状态下PN结中产生电流、复合电流、扩散电流与电压的方程式实际情况下的PN结电流-电压特性PN结的势垒电容、扩散电容；PN结雪崩

4、击穿、隧道击穿、热击穿隧道二极管补充：双极晶体管晶体管的基本结构与杂质分布晶体管的工作原理晶体管的直流特性晶体管的极限参数第7章金属与半导体接触金属半导体接触形成的能带图肖特基接触欧姆接触第8章半导体表面与MIS结构MIS结构表面电场效应（积累层、耗尽层和反型层）MIS结构的电容-电压特性（金属与半导体功函数、绝缘层中的电荷的影响）MOSFET结构、分类、特征名词解释1、共有化运动2、施主杂质、受主杂质、杂质补偿3、直接复合、间接复合4、准费米能级5、平衡状态、非平衡状态6、非平衡少子7、霍尔效应8、势垒电容、扩散电容9、雪崩击穿、隧道击穿、热击穿10、功函数、亲和能