模拟电子技术基础期末试题.doc

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1、填空题1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电

2、流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压Vth约为0.5伏。8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数

3、是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V。13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如

4、果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则IBQ增大，ICQ增大，UCEQ减小。19、三极管的三个工作区域是截止，饱和，放大。集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va=1.2V，Vb=0.5V,Vc=3.6V,试问该三极管是硅管管（材料），NPN型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的C。21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB,则该放大电路总的对数增益为80dB，总的电压放大倍数为10000。22、三极管实现

5、放大作用的外部条件是：发射结正偏、集电结反偏。某放大电路中的三极管，测得管脚电压Va=-1V，Vb=-3.2V,Vc=-3.9V,这是硅管（硅、锗），NPN型，集电极管脚是a。23、三种不同耦合方式的放大电路分别为：阻容（RC）耦合、直接耦合和_变压器耦合_，其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载，而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输

6、出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为4kΩ。26、为了保证三极管工作在放大区，要求：①发射结正向偏置，集电结反向偏置。②对于ＮＰＮ型三极管，应使VBC＜0。27、放大器级间耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和变压器耦合三大类。28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，共射组态有电流放大作用，共射和共集组态有倒相作用；共集组态带负载能力强，共集组态向信号源索取的电流小，共基组态的频率响应好。29、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。30、多级放大器各级

7、之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合，阻容耦合，变压器耦合。31、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察VO和VI的波形，则VO和VI的相位差为1800；当为共集电极电路时，则VO和VI的相位差为0。32、放大器有两种不同性质的失真，分别是饱和失真和截止失真。33、晶体管工作在饱和区时，发射结a，集电结a；工作在放大区时，集电结b，发射结a。（填写a正偏，b反偏，c零偏）34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用共射组态；希望输入电阻大、

8、输出电压与输入电压同相，可选用共集组态。35、场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻大，热稳定性好36、影响放大电路通频带下限频率fL的是隔直电容和极间电容。37、三极管工作在放大区时，它的发射结保持正向偏置，集电结保持反向偏置。38、场效应管有共源、共栅、共漏三种组态。39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。40、场效应管从结构上分成结型FET和MOSFET两大类型，它属于电压控制型器件。41、