电工电子学-分立元件放大电路课件.ppt

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1、第8章分立元件放大电路8.3静态工作点的稳定8.4共集电极电路8.5多级放大电路8.2基本放大电路8.1半导体器件8.6功率放大电路本章要求：1.理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和电流放大作用；2.了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；3.会分析含有二极管的电路。4.理解单管交流放大电路的放大作用和共发射极、共集电极放大电路的性能特点；5.掌握静态工作点的估算方法和放大电路的微变等效电路分析法；6.了解放大电路输入、输出电阻和多级放大的概念，了解放大电路的频率特性、互补功率放大电

2、路的工作原理。第8章分立元件放大电路8.1半导体的导电特性半导体的导电特性：(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化(可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强1.本征半导体完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构共价健共价键中的两个电子，称为价电子。SiSiSiSi价

3、电子8.1.1PN结SiSiSiSi价电子本征半导体的导电机理本征激发。空穴温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。自由电子在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。本征半导体的导电机理(1)自由电子作定向运动电子电流(2)价电子递补空穴空穴电流注意：(1)本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差；(2)温度愈高，载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温

4、度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。2.N型半导体和P型半导体N型半导体掺入五价元素SiSiSiSip+多余电子磷原子在常温下即可变为自由电子失去一个电子变为正离子杂质半导体在N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。2.N型半导体和P型半导体P型半导体掺入三价元素SiSiSiSi在P型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。B–硼原子接受一个电子变为负离子空穴无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。杂质半导体的示意表示法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－

5、P型半导体++++++++++++++++++++++++N型半导体1.在杂质半导体中多子的数量与（a.掺杂浓度、b.温度）有关。2.在杂质半导体中少子的数量与（a.掺杂浓度、b.温度）有关。3.当温度升高时，少子的数量（a.减少、b.不变、c.增多）。abc4.在外加电压的作用下，P型半导体中的电流主要是，N型半导体中的电流主要是。（a.电子电流、b.空穴电流）ba3.PN结的形成多子的扩散运动内电场少子的漂移运动浓度差P型半导体N型半导体内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。扩散的结果使空间电荷区变宽。－－－－

6、－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－形成空间电荷区4.PN结的导电特性PN结加正向电压（正向偏置）PN结变窄P接正、N接负外电场IFPN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。内电场PN－－－－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++++++–PN结变宽PN结加反向电压（反向偏置）外电场IRP接负、N接正温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。–+PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。内电场PN+++－－－－－－+

7、++++++++－－－－－－－－－++++++－－－阴极引线阳极引线二氧化硅保护层P型硅N型硅(c)平面型金属触丝阳极引线N型锗片阴极引线外壳(a)点接触型铝合金小球N型硅阳极引线PN结金锑合金底座阴极引线(b)面接触型图1–12半导体二极管的结构和符号8.1.2半导体二极管阴极阳极(d)符号D1.基本结构2.伏安特性硅管0.5V锗管0.1V反向击穿电压U(BR)导通压降正向特性反向特性特点：非线性硅0.6~0.8V锗0.2~0.3VUI死区电压PN+–PN–+反向电流在一定电压范围内保持常数。3.主要参数1.最大整流电流IO

8、M2.反向工作峰值电压URWM3.反向峰值电流IRM二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压U(BR)的一半或三分之一。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。指二极管加最高反向工作电压时的反