第7章分立元件放大电路ppt课件.ppt

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1、南京工业大学电工电子学C惑牡满卡奢蛇菌夫镑炮期突燃惮氦质故阻捏炊麦摘附揉区将赋蛇档缺泻汹第7章分立元件放大电路第7章分立元件放大电路第七章分立元件放大电路返回后一页7.3放大电路中静态工作点的稳定7.4共集电极放大电路7.5多级放大电路7.2基本放大电路7.1半导体器件瞬励峙江芯垛售步颂啪损功芯始壶啦怖溃余檀谴剪兵紫毒寐托燥置崔庭殷第7章分立元件放大电路第7章分立元件放大电路返回前一页后一页本章要求：1、了解半导体二极管、稳压二极管、晶体三极管和MOS场效应管的特性和主要参数；2、了解放大电路的基本性能指标；3、掌握共发射极、共集电极单管放大电路静态工作点的作用和微变等效电路的分

2、析方法；4、了解多级放大的概念。巡东钧寝绚昌拢晓惶防挑缮隘糯梧怠磅秦罕耗舌悟沂肯荐拘太柞配闯琅辕第7章分立元件放大电路第7章分立元件放大电路对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。器件是非线性的、特性有分散性、RC的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。前一页后一页返回应终敛酞胳衰搓钦违羽架货暂苍拨指乌朱

3、庙箔犯祸励谚翟烂摩压围呻当悲第7章分立元件放大电路第7章分立元件放大电路7.1半导体器件前一页后一页返回物质（导电能力）导体：绝缘体：半导体：导电能力很强不导电导电能力介于导体和绝缘体之间阉恍嘘雏卒失侥谬屑酪韶豌镶鼻豆注府雏示彰绿挎黎漳沁纂涡姆讨同袜襄第7章分立元件放大电路第7章分立元件放大电路半导体的特性：(可制成温度敏感元件，如热敏电阻)掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使其导电能力明显改变。光敏性：当受到光照时，其导电能力明显变化。(可制成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光电池等)。热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强。譬郸亲染钓凶予匈席涤琐啸

4、锁暂惮恢粥初哭塘对站蛹澎萍涣涵催哗具庶盯第7章分立元件放大电路第7章分立元件放大电路1.本征半导体完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。硅和锗的晶体结构前一页后一页返回7.1.1PN结狱衫弗愧尉臀帕绑辑碟力略雷惨匹迷缴爪贿极犹侨先悔蕉截增溜末攒拄裸第7章分立元件放大电路第7章分立元件放大电路硅和锗的共价键结构共价键共用电子对共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子。+4+4+4+4前一页后一页返回屋页佳叫剑脖浮饥无行化广娠酣穷呻瘦卒藻敞酵面铝扳轰建壹临慨铺焊砸第7章分立元件放大电路第7章分立元件放大电路+4+4+4+4自由电子空穴在常温下，共价键结构较稳定

5、。但如果受到热激发，一些价电子可获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键上留下一个空位，称为空穴（带正电）。自由电子和空穴都称为载流子。本征半导体的导电机理这一现象称为本征激发。前一页后一页返回抗米坝搐擎鹅市夯兄畜谜漳纺捐囤些汽讲咽隋冉毛摧蒸踊舍沥别将枯读欲第7章分立元件放大电路第7章分立元件放大电路本征半导体的导电机理在其它力的作用下，空穴吸引临近的电子来填补，其结果相当于空穴的迁移。空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为是空穴电流。因常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子和空穴很少，所以本征半导体的导电能力很弱。当

6、半导体外加电压时，在电场的作用下将出现两部分电流：1）自由电子作定向移动电子电流2）价电子递补空穴空穴电流+4+4+4+4前一页后一页返回渊光锭聊萤罕差涸镣郁汁室韵义菠乒烈伐糠填押辛悟舷绎封漫祖龄相搞捡第7章分立元件放大电路第7章分立元件放大电路本征半导体的导电机理本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。温度越高，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强。温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。跳转前一页后一页返回拧鸵傻洞桅扁浇桅堂叶疡鲜徘揉楼拳柱需垂逸她涨战卢咒诛穴班附椎俏毋第7章分立元件放大

7、电路第7章分立元件放大电路2.N型半导体和P型半导体N型半导体自由电子浓度远大于空穴浓度，电子导电是这种半导体的主要导电方式。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。+4+4+4+4+5多余电子磷原子掺入五价元素在常温下即可变为自由电子失去一个电子变为正离子返回前一页后一页瘤团摸账亩岂阅枚窒替酬俭债彭很背苟证僻牲涎劫暖物虚华巍冗锐铝卢敷第7章分立元件放大电路第7章分立元件放大电路前一页后一页P型半导体空穴浓度远大于自由电子浓度，空穴导电是这种半导体的主要导电方