模拟电子技术 课件.ppt

模拟电子技术 课件.ppt

ID:57136148

大小:770.50 KB

页数:17页

时间:2020-08-01

模拟电子技术 课件.ppt_第1页
模拟电子技术 课件.ppt_第2页
模拟电子技术 课件.ppt_第3页
模拟电子技术 课件.ppt_第4页
模拟电子技术 课件.ppt_第5页
资源描述:

《模拟电子技术 课件.ppt》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、回忆JFET内容JFET工作原理一、vGS对iD的控制作用若vGS>0→PN结正偏→破坏了vGS对漏极电流的控制作用注意:耗尽型必须vGS≼0当vDS增加到vGD=vGS-vDS=VP即vDS=vGS–VP时预夹断后,iD不再随着vDS的增加而增加。当vGS为一定值vp

2、-ID(Rd+R)Q点JFET放大电路的静态分析(2)分压式自偏压电路Q点VDS=VDD-ID(Rd+R)适用于增强型MOSFET也适用于耗尽型MOSFET和JFET例5.3.1分压式自偏压电路,电路参数如图。另FET的VP=-1V,IDSS=0.5mA。求Q点。由JFET的转移特性,有由直流通路的输入回路,有下式代入上式,为ID的二次方程解得ID=(0.95∓0.64)mA∵IDSS=0.5mA∴ID=0.31mAVGS=-0.22VVDS=VDD-ID(Rd+R)=8.1V10M2M47k30k2k18V饱和区验证1.JFET小

3、信号模型5.3.3JFET放大电路的小信号模型分析法2.动态指标分析(1)放大电路的中频小信号模型无源极旁路电容2.动态指标分析(2)中频电压增益(3)输入电阻(4)输出电阻忽略rds,由输入输出回路得则若有源极旁路电容?同MOS管源极偏置电路推导同MOS管源极偏置电路共漏电路动态分析同MOS管共漏电路组态对应关系:CEBJTFETCSCCCDCBCGBJTFET电压增益:CE:CC:CB:CS:CD:CG:反相电压放大器电压跟随器电流跟随器输出电阻:BJTFET输入电阻:CE:CC:CB:CS:CD:CG:CE:CC:CB:CS:CD:CG

4、:解:画中频小信号等效电路例题放大电路如图所示。已知试求电路的中频增益、输入电阻和输出电阻。则电压增益为根据电路有由于则两级耦合放大电路:共源放大器+共基放大器共源放大器:输入电阻高Rg=5MΩ,可与大内阻的信号源匹配共基放大器:频带宽,拓宽整个放大电路的通频带已知下图中MOS管工作在饱和区,rds很大,可忽略;跨导是gm。BJT的交流电流放大倍数是β,基区体电阻是rbb'。电容器的容值都足够大。要求:1)求出第二级放大电路的静态工作点(IB2,IC2,VEC2)(只写出表达式);2)说明两级放大器的电路组态;3)画出整个放大电路的小信号等效

5、电路;4)求两级放大电路总的输入电阻和输出电阻(只写出表达式);5)总的中频电压放大倍数(只写出表达式);6)若只考虑C3对低频特性的影响,写出下限频率的表达式。

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。