ML 制造流程介绍.ppt

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1、MASSLAM製造流程介紹一、PWB的歷史二、多層印刷電路板(MassLam)的製造工程三、品質管制與檢驗一、PWB的歷史a.1940年代之前,PWB製造技術開始普遍,通信機器或收音機的配線－銅線黏貼於石蠟上;成了現今PCB的機構雛型。b.1927年,用印刷方式在玻璃或陶瓷基板上造成電路的構想,之後以絕緣樹脂基板開發成功後才具體化。c.1936年,英國的艾斯拉首倡現在這種全面覆蓋著金屬箔的絕緣基板,塗上耐蝕刻油墨後再將不需要的金屬箔蝕刻去掉減除法,PWB基本製造技術。d.1953年,日本在PWB實用化。收音機…等民生用品e.1960年之後,日本開始採用貫孔鍍銅雙面板製造技術電子計算機

2、,週邊佟端機f.1964年,日本電信電話公社引進美國1960已實用化的ML-PWB製造技術,用於電子計算機及電子交換機…等。g.1964年以後至今,除了絕緣材料特性改變外,尺寸穩定性、耐電蝕性、銲錫耐熱性、防燃性等綜合檢討,最後到目前使用的GlassfiberCopperCladLaminatedboards。二、多層印刷電路板的製造工程(MASS-LAM)3-1.基板與黏合片(P/P)原材料3-1-1.構成要素:銅箔、玻璃纖維布、樹脂..等3-1-2.製造方法:CCL、P/P之製造方法3-2.多層印刷電路板製造流程:見附圖P5製前準備:a.客戶使用者a-1.行銷員向客戶取得工

3、單or製作仕樣書Gerberfile必要時會同工程、品保人員Check片洽談工程製作規範及品質檢驗允收規範。a-2.工程部製前製作內容資料審查CAM編輯、廠內製作工單、工作底片繪制轉至生產部門。迴路設計CADCAMCAT工作底片原始底片Gerberfile製前審查準備a-3.製前設計流程:客戶資料提供資料審查著手設計CAD/CAM下料尺寸ArtworkNCDrillingProgramNCRoutingProgramProcessFlowDesign操作參數條件指示規格定義製作流程定義材料使用定義TooLingAOI檢查電測設計生產工程圖(模治具)b.內層板線路轉移AOI檢查:b-1.製作

4、流程注意事項要點:b-1-1.裁板投料:發料尺寸確認基板銅厚確認b-1-2.內層銅面處理:機械研磨粗糙度(厚度28mil以上)不織布校正整平。化學研磨粗糙度(厚度28mil以下)當槽度,微蝕速度..等乾燥溫度表面孔內乾燥必要。b-1-3.內層壓膜:定義:將曝光阻劑貼付在待產基板銅面上並使其加熱產生熱反應,附著在銅面上。控制:壓膜S/P,T°C,Pressure,滾輪清潔度…等。b-1-4.曝光作業:定義:將壓膜完成之基板經由UV光照射使其產生光化學反應達到影像轉移到阻劑上(乾膜)謂之曝光。控制:曝光能量(mj/cm2)真空度,對位精準度(film與基板,層與層間),同心圓設計,Mult

5、iline蝕後沖孔…對位系統考量。參照P8曝光機構示意圖UV照光機構示意圖LAMINATION壓膜or其印刷方式絕緣基板(thincore)LAMINATION壓膜or其印刷方式LAMINATION壓膜or其印刷方式LAMINATION壓膜or其印刷方式Exposure照光,曝光經由工作底片乾膜阻劑工作底片銅箔絕緣基板乾膜阻劑b-1-5.顯影,蝕刻,剝膜(D.E.S)顯影:定義:將曝光完成之基板其光阻劑未有UV光硬化之部位以顯影液沖洗出並徹底洗淨基板表面謂之。控制:藥液濃度%比率,膜含量控制,S/P,T°C,顯影點(breakpoint)維持50~70%…等重點。蝕刻:乾膜光阻劑經顯像後

6、無阻劑部位即被所謂蝕刻液咬蝕去銅,即形成所需要之回路謂之。蝕刻液常見可分為兩種:一是酸性氧化銅(CuCl2)蝕刻液一是鹼性氨水(NH4Cl)蝕刻液乾膜(P/F)或油墨作為蝕刻阻劑且具抗酸,一般大部份選擇酸性蝕刻液。在外層蝕刻製程,可選擇酸性或鹼性氨水蝕刻液。CuCl2蝕刻反應式Cu°+Cu2+2Cu+Cu°+H2CuCl4+2HCl2H2CuCl3Cu°+H2CuCl4H2CuCl3+CuClCuCl+2HClH2CuCl3控制:蝕刻速度,T°C,比重(銅含量),HCl,H2O2濃度控制蝕刻因子(e/f值)B阻劑A銅線路D基板CEtchingFactor:D/C示意圖剝

7、膜：俗稱“去膜”亦就是將抗蝕刻之光阻劑在此將其去除掉並同洗淨烘乾　　　　銅箔表面待下一工程站。剝膜在PCB製程中有2個Step會使用:一是內層或外層酸性蝕刻後之D/F或油墨去除;另一是外層線路蝕刻前D/F除去(鹼性蝕刻液使用場合)。使用剝膜液通常為NaOH或KOH,以NaOH為最普遍且成本較低。外層蝕刻剝膜液選擇宜謹慎(酸性蝕刻液)文獻指出K(鉀)會攻擊錫!外層阻劑為錫鉛共金屬化合物。