立方晶型Sb2O3纳米晶的合成及光催化性能.pdf

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1、第28卷第10期无机化学学报Vo1．28NO．102012年1O月CHINESEJOURNALOFINORGANICCHEMISTRY2165—2169立方晶型Sb203纳米晶的合成及光催化性能朱兰瑾薛珲，l，肖荔人t陈庆华，-(福建师范大学化学与材料学院，福州350007)2福建省光催化重点实验室省部共建国家重点实验室培育基地(福州大学)，福州350002)摘要：采用沉淀法合成了立方晶型Sb：0，纳米晶，通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、紫外一可见漫反射光谱(UV．Vis

2、DRS)和电子自旋共振谱(ESR)等对样品进行了详细的表征。以紫外光光催化降解甲基橙为反应模型评价了样品的光催化性能。结果表明：沉淀法合成的立方晶型Sb：O纳米晶颗粒小，表现出良好的光催化性能。对立方晶型Sb：O，纳米晶光催化降解甲基橙的原因进行了探讨，并提出了降解甲基橙的反应机理。关键词：立方晶Sb203；纳米晶；沉淀法；光催化中图分类号：0643．36文献标识码：A文章编号：1001—4861(2012)10—2165—05PreparationandPhotocatalyticPerformance

3、ofCubic86203NanocrystallineZHULan—JinXUEHun’XIAOLi-RenCHENQing—Hua，(CollegeofChemistryandMateridsScience，FujianNormalUniversity,Fuzhou350007，China)(ianProvincialKeyLaboratoryofPhotocatalysls-StateKeyLaboratoryBreedingBase，F~houUniversity,Fuzhou350002，Chin

4、a)Abstract：CubicSb203nanocrystallinewasobtainedviaaprecipitationmethod．ThesamplewascharacterizedbyX-raydiffraction(XRD)analysis，scanningelectronmicroscopy(SEM)，transmissionelectronmicroscopy(TEM)，UV—Visdiffusereflectancespectroscopy(DRS)andelectronspinres

5、onance(ESR)，etc．ThephotocatalyticdegradationofmethylorangeunderUVirradiationasamodelreactionwasusedtoevaluatethephotocatalyticpropertiesofthemateria1．TheresultsrevealedthatSb2O3nanocrystallinepreparedbytheprecipitationmethodexhibitedsmallparticlesizeandhi

6、ghphotocatalyticactivity．Factorsaffectingthephotocatalyticactivityoftheas—preparedSb203nanocrystallinearediscussed，andapossiblemechanismofthephotoeatalyticdegradationofmethylorangeoverthecubicSb203nanocrystallineisalsoproposed．Keywords：cubicSb203；nanocrys

7、talline；precipitationmethod；photocatalysis半导体光催化氧化技术由于可以利用太阳光fM=Gd，In)[131及M2YbSbO7fM=In、Gd)14】等，作为一类驱动反应、反应条件温和、稳定性高及无二次污染新型光催化剂．可对有机污染物进行有效的光催化等优势而成为一种理想的环境污染治理技术[1-2]光降解。对于锑氧化物．李芳柏和曹文质fl61等报道了催化研究的核心是寻找性能优良的光催化剂因一定比例SbO掺杂的TiO纳米粒子，其光催化降此．开发新型高效的光催化材料是当前

8、乃至今后相解亚甲基蓝和罗丹明B的活性均优于纯TiO，：而丘当长一段时期内光催化研究中的一个关键问题[永棵等[17q81研究发现Sb0的掺人能有效抑制TiO近年来，P区金属锑的化合物，如：M2SbO，fM=光催化降解罗丹明B活性。另有报道在Sb，O掺杂Ca、Sr)[7-9]、MSb206(M=Pb、Zn)[10-11]、BiSbO4【l21、Y2MSbO7TiO催化剂作用下，甲基橙的超声催化降解效果明收稿日期：2012—04．1