磁控溅射制备NiO薄膜光电特性研究.pdf

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1、分类号：!蟹!!UDC：密级编号磁控溅射制备Ni0薄膜光电特性研究0PTICALANDELECTRICALCHARACTERIZATl0NOFNi0THINFILMSDEPoSITEDBYMAGNETRONSPUTTERlNG学位授予单位及代码：篮壹型王丕堂￡lQ!竖2学科专业名称及代码：塑盟王堂皇崮住咀士芏(Q8Q2Q22研究方向：血王堕璺当ME坚基丕申请学位级别：亟±指导教师：王堑副煎握研究生：当攫鳌论文起止时阳J：2QQ2：11二垫!Q12长春理工大学硕士学位论文原创性声明本人郑重声明：所早交的硕十学位论文，

2、《磁控溅射制备NiO薄膜光电特性研究》是本人在指导教师的指导下．独立进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引圳的内彝外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作晶成果。对本文的研究做山重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。作者签名监2址年立月盟日长春理工大学学位论文版权使用授权书本学位论文作者及指导教师完全了解“长春理工大学硕士、博士学位论文版权使用规定”，同意长春理工大学保留并向中国科学信息研究所、中国优秀博硕士学位论文全文数据库和CNKI系列数据库

3、及其它国家有关部门或机构送交学位论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权长春理工大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，也可采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编学位论文。作者签名：—』l!ji差'-—!!蛑—兰月型R导师签名：至盘．2生咀年—L月盟同摘要NiO(氧化镍)是一种宽禁带半导体材料，呈现P型导电性质而且它具有较好的化学、电学，光学和磁学特性，因此得到了人们广泛的研究并且在各种光电器件，例如：紫外探测器，化学传感器的功能层，电致变色超级电容，有机发光二极管上得到了应用。本

4、论文首先综述了Ni0薄膜的性质、应用和常用的制各方法，在制备方法中射频磁控溅射法是较为常用的一种薄膜制各技术，但是各种溅射参数对薄膜的性质有很大的影响。本文中也采用射频磁控溅射法在不同溅射电压、OJAr、衬底温度和靶距下制各了NiO薄膜，利用x射线衍射仪(XRD)对薄膜的结构进行研究、紫外一可见光(UV—VIS)分光光度计、四探针范德堡法分别对薄膜光学和电学性质进行了深入的研究。文章最后给出了实验结论。关键词：氧化镍薄膜射频磁控溅射ABSTRACTNicldeoxideisakindwideband—gapcond

5、uciveoxideandPtypeconductivecharacteristicItwasconsideredasanattractivemaIcfiMduetoltsexcellentchemicalaswellaselectrical，opticalandmagniticpropertiessobeusedinallkindsofdisplay．Forexampleultraviolet(U-V)detectors，functionallayermaterialforchemicalsensois，elec

6、tronchemicalsupercapacitors，organiclightemiuingdiodesandsoonInthisstudyweoverviewtheproperties，applicationandpreparationmethodsofNiOfilms，RFmagnitronsputIeringhasbeenmostwidelyusedinthesemethodsandthedependencesofthinfilmspropertiesonallkindsofsputteringproces

7、sNiOthinfilmsweredepositedbyRFmagnetronsputteringprocessatdifferentRFvoltages，02／Ar,subslratetempratureandsubstrate-targetdistanceInthispaper．thosepropertiesofcrystallinestructure，optical，electricalweretestedbyXRD-diffraction，UV-VISspeatrophotometerandfourprob

8、eresistivityme{lsurmentweshowtheconclusionsinexperimentKeywords：NiOthinfilmsRFsputtering目录摘要ABSTIiAcT录第一章绪论．．．．．．．．．．．．⋯．11透明导电薄膜的分类12透明导电氧化物薄膜的发展趋势平¨应Hj13本论文的研究意义和主要研究内容第二章NiO薄膜性质