片式电容及其应用

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1、幻灯片1片式电容及其应用新晨阳电子幻灯片2引言l　　片式电容具有容量大，体积小，容易片式化等特点，是当今移动通信设备、计算机板卡以及家电遥控器中使用最多的元件之一。为了满足电子设备的整机向小型化、大容量化、高可靠性和低成本方向发展的需要，片式电容本身也在迅速地发展：种类不断增加，体积不断缩小，性能不断提高，技术不断进步，材料不断更新，轻薄短小系列产品已趋向于标准化和通用化。l此外，片式电容还在朝着多元化的方向发展：①为了适应便携式通信工具的需求，片式电容器正向低电压、大容量、超小和超薄的方向发展。②为了适应某些电子整机(如军用通信设备)的发展，高耐压、大电流、大功率、超高Q值

2、、低ESR型的中高压片式电容器也是目前的一个重要的发展方向。③为了适应线路高度集成化的要求，多功能复合片式电容器正成为技术研究热点。幻灯片3片式叠层陶瓷介质电容器l在片式电容器里用得最多的是片式叠层陶瓷介质电容器。l片式叠层陶瓷电容器(MLCC)，简称片式叠层电容器(或进一步简称为片式电容器)，是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层(外电极)，从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器，如图1所示。幻灯片4片式叠层陶瓷电容器计算公式l　图1表明，片式叠层陶瓷电容器是一个多层叠合的结构，其实质是由多

3、个简单平行板电容器的并联体。因此，该电容器的电容量计算公式为l　　C=NKA／tl　　式中，C为电容量；N为电极层数；K为介电常数(俗称K值)；A为相对电极覆盖面积；t为电极间距(介质厚度)。l　　由此式可见，为了实现片式叠层陶瓷电容器大容量和小体积的要求。只要增大N(增加层数)便可增大电容量。当然采用高K值材料(降低稳定性能)、增加A(增大体积)和减小t(降低电压耐受能力)也是可以采取的办法。幻灯片5片式叠层陶瓷介质电容器主要成分l这里特别说一说介电常数K值，它取决于电容器中填充介质的陶瓷材料。电容器使用的环境温度、工作电压和频率、以及工作的时间(长期工作的稳定性)等对不同

4、的介质会有不同的影响。通常介电常数(K值)越大，稳定性、可靠性和耐用性能越差。l　　常用的陶瓷介质的主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。其特点是介质系数较大、介质损耗低、温度系数小、环境温度适用范围广和高频特性好，用在要求较高的场合(I类瓷介电容器)中。l　　另一类是低频高介材料称为强介铁电陶瓷，常用作Ⅱ类瓷介电容器的介质，一般以BaTiO3为主体的铁电陶瓷，其特点是介电系数特别高，达到数千，甚至上万；但是介电系数随温度呈非线性变化，介电常数随施加的外电场也有非线性关系。幻灯片6片式叠层陶瓷介质电容器的类型l目前最常

5、用的多层陶瓷电容器介质有三个类型：COG或NPO是超稳定材料，K值为10～100；X7R是较稳定的材料，K值为2000～4000；Y5V或Z5U为一般用途的材料，K值为5000～25000。在我国的标准里则分为I类陶瓷(CC4和CC41)及Ⅱ类陶瓷(CT4和CT41)两种。上述材料中，COG和NPO为超稳定材料，在-55℃～+125℃范围内电容器的容量变化不超过±30ppm／℃。l其余材料是按其工作温度的范围和电容量的变化率来命名的。详见表1。幻灯片7不同材质电容器的性能和应用事项l①NPO电容器lNPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它

6、稀有氧化物组成的。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm／℃，电容量随频率及相对使用寿命的变化都非常小。l随封装形式不同，其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的NPO电容器要比小封装尺寸的频率特性好。lNPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。l②X7R电容器lX7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15％，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。lX7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，但是要比Z5U和Y5V电容器好得多。lX7R电

7、容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。幻灯片8片式叠层陶瓷介质电容器的温度范围几种常用的片式电容器的介质材料中：X7R代表使用温度范围为-50℃至+125℃；在此范围内的电容量变化可达到±15％。Z5U代表使用温度范围为+10℃至+85℃；在此范围内的电容量变化从-56%至+22%。Y5V代表使用温度范围为-30℃至+85℃；在此范围内的电容量变化从-82%至+22%。这些关系表明，在实际使用时，对片式电容器选择