PCB各制程细部流程简介.doc

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1、PCB各製程細部流程簡介內層à壓板à鑽孔à一銅à外層à二銅à蝕刻à防焊à噴錫à化金àOSP內層流程說明流程作用與目的應注意事項微蝕＊微蝕液採用雙氧水、硫酸的混合液，以噴嘴噴灑在基板表面＊使基板表面粗化，增加與乾膜間之附著力＊微蝕藥液的自動添加系統須保持一定濃度，以確保粗化程度均勻　　　　＊清潔基板表面＊微蝕速率之控制（40~60microinches）,需定期檢測微蝕量＊因內層板較薄有卡板之虞，無法使用傳統尼龍刷前處理，故采化學前處理，而不用效果較佳之磨刷與噴砂前處理　　＊應定期檢查噴嘴是否堵塞　　　＊粗糙程度之要求（以水破時間衡量，時間愈長效果愈好）　　　　　　　　　　　觀音廠＞30seco

2、nds　　　　　　　　酸洗＊以稀硫酸沖洗＊洗去基板表面之銅鹽＊確保銅面上無氧化烘乾＊烘乾後送入無塵室＊避免洗液、水滴殘留＊應表面完全乾燥壓膜＊在無塵室以熱壓方式將光阻乾膜（內層乾膜厚1.2mil＊＊檢查壓膜是否有皺折、氣泡、上下不貼膜、偏斜等缺陷）貼附于清潔銅面藉由平貼在基板板面的光阻劑，客戶所需之線路可藉由下階段曝光而轉移影像在板面上　　＊需確認壓膜滾輪之溫度與速度，並檢查切膜刀是否銳利　　＊爲確保流程之清潔度，以粘塵滾輪清潔板面，避免雜質影響壓膜後之制程，造成線路的短路、斷路＊完成後須冷卻靜置五分鐘　　曝光＊在無塵室照射UV光＊UV光穿過透明底片線路後，光阻劑遇光聚合，保護線路不受酸蝕；非

3、線路銅區因不透光可藉酸蝕去除　＊燈管會持續老化，爲穩定曝光能量，應定期以曝光計測量，並再一段時間後即需做曝光機曝光均勻性檢測＊曝光完成後須靜置五分鐘以上，以利光阻劑充分反應　　　　＊定期清潔臺面、底片、基材，確保無干膜碎屑、灰塵等殘留，並定期更換粘塵紙卷　　　撕保護膜＊撕去幹膜表層的保護膜＊使顯像劑能與幹膜直接反應＊人工撕膜時應小心保護膜未完全撕下而殘留流程說明流程作用與目的應注意事項顯像＊幹膜抗酸不抗堿，故以濃度1%碳酸鈉或碳酸鉀（弱鹼）爲顯像劑，去除未聚合部份的幹膜＊使完成曝光的板子影像顯現出來，區分出線路與非線路部份，以便下一步驟蝕刻的進行＊PH值應控制在10.6以上，並每天進行PH計之

4、校正　　＊碳酸根離子濃度＞0.8，以保持穩定之顯像效果　　＊水洗槽之清潔程度應維持PH＜8.5，以免過度顯像　　　　蝕刻＊蝕刻液爲鹽酸、雙氧水、氯化銅＊將非線路之銅區去除，留下浮凸部份即爲所需線路，但線路表面還覆有一層幹膜聚合物＊鹽酸及雙氧水之濃度、氯化銅比重　　＊控制蝕刻的比重（以5克砝碼每周校正）、溫度＊屬酸性蝕刻，溶蝕已無干膜覆蓋之裸銅　＊須注意表面水洗清潔度狀況,因氯離子的殘留,會影響到線路的附著力去膜＊以氫氧化鈉去除仍覆蓋於線路上的幹膜（此時幹膜是遇UV光形成之聚合物）＊將保護線路銅之聚合物去除，所需線路即可露出＊可於此流程中點設控制點，以便檢視去膜效果　　＊檢查重點在板面剝膜的清潔

5、度與槽液的濃度　　　＊去膜效果不佳可重工烘乾＊板子經水洗後烘乾，待進行打靶與AOI光學檢測＊避免水分殘留＊注意板面氧化狀況　　　　　打靶＊鑽出鉚釘用孔位＊利用內層板上之靶位元圖像沖出各層內層之定位孔＊鉚釘孔的准度非常重要,精准度不良容易造成致命的層偏AOI光學檢測＊使用光學檢查儀器確認品質＊利用光學折射原理,檢出不良區域並將不良區域標示出＊因其是利用光學方式檢出銅面缺點,故銅面均需保持乾淨,否則將會造成點多現象(假性缺點)　　＊AOI參數條件最好是不要隨意調整以免問題板大量外流至下站VRS檢修＊查找AOI測出之不良座標＊找尋不良點位置,並將不良排除或標示出＊注意螢幕解析需清晰,檢修好的板子與不

6、良板需分類清楚避免混料,並定期進行複測,以確認檢修品質補線＊將斷掉的線路接上＊將金線或金包銅線,使用點焊補線機焊在線路斷路點兩端＊點焊時,須注意是否焊著牢靠補線偏移量不可超過20%補膠＊加強固定線材用＊除了加強固著用外,還有爲了外觀而使用的黑膠＊補膠時須注意,勿在銅面上塗抹太厚,儘量做到小而薄,以免造成層間短路不良等問題壓板流程說明　流程作用與目的應注意事項脫脂＊以鹼性之介面活性劑清洗經蝕刻處理之內層板＊清除油污、指紋、灰土等雜質＊此流程使用鹼性清潔劑脫脂清潔效果較佳　　　＊在70℃下浸泡約五分鐘＊除去些微殘留之scum　　微蝕＊以H2SO4、H2O2作爲微蝕液＊使清潔的銅面上先能足夠地粗化以

7、增加表面積，增進後續黑化之效果＊速率控制在20~40microinches　＊微蝕液採用SPS（過硫酸鈉）時容易有顆粒殘留之問題（鈉鹽殘存）　　　　　　　＊重工時必須善加控制以免産生線路過細、過薄的問題預化＊浸入50~60℃的NaOH溶液（黑化B液）＊藉此穩定黑化槽B液濃度，並中和殘留微蝕液的酸性，避免所生成鹽類污染黑化槽＊一樣需保持一定之藥液濃度　　　　　　　　黑化＊主要配方爲亞氯酸鈉、氫氧化鈉