第十五章 基本交流放大电路ppt课件.ppt

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1、第十五章基本交流放大电路第一节半导体三极管第二节交流放大电路第三节静态工作点的稳定第四节阻容耦合多级放大电路第五节放大电路中的负反馈第六节射极输出器第七节互补对称功率放大器第八节场效应管及其放大电路后一页返回第一节半导体三极管一、结构和符号BECNNP基极发射极集电极PNP集电极基极发射极BCENPN型PNP型后一页前一页返回BECNNP基极发射极集电极基区：最薄，掺杂浓度最低集电区：面积最大发射区：掺杂浓度最高后一页返回前一页BECNNP基极发射极集电极发射结集电结后一页返回前一页符号：BECIBIEICNPN型三极管BECIBIEICPNP型三极管型号：3A、3C是PNP

2、3B、3D是NPN3A、3B是锗管3C、3D是硅管后一页前一页返回1.三极管放大的外部条件二、电流放大原理发射结正偏、集电结反偏从电位的角度看：NPN发射结正偏VB>VEBECNNP返回前一页后一页前一页PNPVBVB2.各电极电流关系及电流放大作用IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.010.020.030.040.050.0010.501.001.702.503.300.0010.511.021.732.543.35结论1）三电极电流关系IE=IB+IC2）ICIE，ICIB3）ICIB把基极电流的微小变化能够引起集电极电

3、流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。返回后一页前一页3.三极管内部载流子的运动规律BECNNPEBRBEC基区空穴向发射区的扩散可忽略。发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。IE进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE，多数扩散到集电结。IBE从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。ICE集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。ICBO返回后一页前一页3.三极管内部载流子的运动规律BECNNPEBRBECIEIBEICEICBOICIBI

4、C=ICE+ICBOICEIB=IBE-ICBOIBE返回后一页前一页ICE与IBE之比称为共发射极电流放大倍数集－射极穿透电流温度ICEO常用公式返回后一页前一页三、特性曲线即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。为什么要研究特性曲线：1）直观地分析管子的工作状态2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线返回后一页前一页实验线路输入回路输出回路发射极是输入、输出回路的公共端返回后一页前一页EBICmAAVUCEUBERBIBECV共发射极电路1.

5、输入特性死区电压：硅管0.5V，锗管0.2V。IB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE1V工作压降：硅UBE0.6~0.7V,锗UBE0.2~0.3V。特点:非线性返回后一页前一页2.输出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域满足IC=IB称为线性区（放大区）。当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，即IC=IB。返回后一页前一页IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100AUCEUBE,集电结正偏，IBIC，称为饱和区。深度饱和

6、时硅管UCE0.3V此区域中IC受UCE的影响较大返回后一页前一页IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死区电压，称为截止区。返回后一页前一页输出特性可划分为三个区，分别代表晶体管的三种工作状态。1）放大区(线性区，具有恒流特性)放大状态IC=IB，发射结正偏、集电结反偏。2）截止区（晶体管处于截止状态）开关断开IB=0，IC=ICEO0，UBE<死区电压发射结反偏或零偏、集电结反偏。3）饱和区(管子处于饱和导通状态)开关闭合IBIC，UCEUBE,发射结正偏，集电结

7、正偏。返回后一页前一页四、主要参数前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法。相应地还有共基、共集接法。直流电流放大系数：1.电流放大系数和返回后一页前一页工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，相应的集电极电流变化为IC。交流电流放大系数：P12例2－1UCE=4.7V时，IB=30A,IC=1.48mA；IB=45A,IC=2.2mA。在以后的计算中，一般作近似处理：=返回后一页前一页2.集-基极反向饱和电流ICBOAICBO