第7章 晶体管及交流基本放大电路ppt课件.ppt

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1、第7章晶体管及交流基本放大电路7.2放大电路概述7.3放大电路的静态分析7.4放大电路的动态分析7.5静态工作点的稳定7.6射级输出器7.7多级放大电路7.8互补对称功率放大电路7.1晶体管7.1晶体管7.1.1基本结构1.结构:平面型:硅管合金型:锗管N型硅P型N型二氧化硅保护膜CBE平面型结构NPN型:硅管(3D系列)PNP型:锗管(3A系列)三层两结N型锗铟球铟球P型P型CEB合金型结构集电结发射结CNNP集电区发射区基区BENPP集电区发射区基区集电结发射结CBEBECBEC7.1.1基本结构可以互换吗？杂质多尺寸大不行+++----+基区薄,杂质少晶体管结

2、构特点：(1).发射区掺杂浓度大,有足够的载流子可供发射。(2).集电区的面积大,以便收集从发射区发射来的载流子。(3).基区做得很薄(一般只有1微米至几十微米),且掺杂浓度低,以减小基极电流,即增强基极电流的控制作用。NPN型和PNP型晶体管的工作原理相似,不同之处仅在于使用时工作电源极性相反。1.晶体管中载流子的运动情况7.1.2电流放大作用BECNNPEBRBECIEICIBIBEICEICBO发射区向基区扩散电子发射结正偏,扩散运动加强,发射区自由电子不断扩散到基区,形成IE。电子在基区的扩散和复合基区薄,电子在基区继续向集电结扩散;有少部分与空穴复合,形成

3、IBEIB集电区收集从发射区扩散来的电子集电结反偏,扩散运动受阻,从基区扩散来的电子作为集电结的少子,漂移进入集电结而被收集,形成ICE。集电结反偏,有少子形成的反向电流ICBO。基区空穴向发射区扩散,但浓度底,忽略不计。7.1.2电流放大作用BECNNPEBRBECIEIBEICEICBOICIB2.晶体管各极电流的分配关系IC=ICE+ICBO，IE=IBE+ICE=IB+ICBO+IC-ICBO=IB+ICIB=IBE-ICBO-表征晶体管的电流放大能力,称为电流放大系数。晶体管电流放大作用:控制小电流IB能实现对大电流IC控制作用。总之,1.IC比IB大很

4、多;IB有微小变化时引起IC的较大变化。2.晶体管放大的外部条件,发射结正向偏置,集电结反向偏置。则:NPN型VC>VB>VE;PNP型VC

5、入特性曲线:当UCE为常数时,输入回路中IB与UBE之间的关系曲线。00.4200.8406080UBE(V)IB(A)UCE1V3DG6的输入特性曲线对硅管,当UCE1V时,集电结已反偏,发射结正偏,发射区扩散到基区的自由电子中绝大部分被拉入集电区,形成IC。UCE1V,输入特性曲线基本重合为一条。硅管的死区电压为0.5V,锗管为0.1V。发射结导通压降NPN型硅管UBE=0.6～0.7V,PNP型锗管UBE=-0.2～-0.3V。2.输出特性曲线IB一定时,UCE≥1V,形成IC,当UCE继续增加时,IC的增加将不再明显。这是晶体管的恒流特性。当IB增加

6、时,相应的IC也增加,曲线上移,而且IC比IB增加得更明显。这是晶体管的电流放大作用。输出特性曲线:在IB为常数时,输出电路中IC与UCE之间的关系曲线。在不同的IB下,可得到不同的曲线,即晶体管的输出特性曲线是一组曲线。IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)9120(1).放大区特性曲线近于水平的区域。在放大区内也称线性区。发射结正向偏置,集电结反向偏置。NPN型UBE>0,UBC<0,即VC>VB>VE;PNP型UBE<0,UBC>0,即VC

7、C,截止时两个PN结都反向偏置。NPN型UBE<0,UBC<0,b点电位最低。PNP型UBE>0,UBC>0,b点电位最高。2.输出特性曲线放大区截止区IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)91202.输出特性曲线当UCE