电工与电子技术第6单元ppt课件.ppt

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1、第六单元晶体管和基本放大电路【学习目标】1.掌握半导体三极管的结构和基本特性。2.学习共射极基本放大电路、分压偏置式放大电路、射极输出器、功率放大电路的结构和应用方法。3.学会放大电路的静态分析和动态分析方法，了解多级放大电路的分析方法。综合知识模块一半导体三极管能力知识点1晶体管的结构能力知识点2晶体管的电流放大作用能力知识点3晶体管的特性曲线能力知识点4晶体管的主要参数综合知识模块二共射级基本放大电路能力知识点1电路的组成和特点能力知识点2电路工作原理能力知识点3共射级基本放大电路的静态分析能力知识点4共射级基本放大电路的动态分析本单元主要内容（一）综合知识模块三静态工

2、作点的稳定能力知识点1温度对静态工作点的影响能力知识点2分压偏置式放大电路综合知识模块四射级输出器能力知识点1静态分析能力知识点2动态分析和电路特点综合知识模块五射级输出器多级放大电路能力知识点1级间耦合方式能力知识点2电路分析综合知识模块六功率放大电路能力知识点1功率放大的一般问题和解决措施能力知识点2互补对称式功率放大电路本单元主要内容（二）三极管是由三层半导体组成两个PN结，三层半导体分别引出三个电极，故称三极管。由于三层半导体的排列方式不同，三极管有两种结构形式：NPN型管和PNP型管。第六单元晶体管和基本放大电路综合知识模块一半导体晶体管能力知识点1晶体管的结构集

3、电区PNP发射结集电结CEB集电极发射极基级NNP发射结CEB集电极发射极基级基区发射区(NPN)型晶体管(PNP)型晶体管三根引线分别表示集电极C，基极B和发射极E，符号中的箭头可以表示：(1)表示发射结，进而确定与之相连的引线是发射极；(2）可以表示三极管的类型（PNP还是NPN），因为箭头的方向是按照PN结的正向导通(P指向N)绘制的。(3）表示三极管导通时，其内部的电流的流动方向。第六单元晶体管和基本放大电路BCEVTBCEVT一、电流放大作用实验EB与RP：可调的基极电源，正极由RB到基极，负极到发射极上，形成了输入回路EC：集电极电源，其正极接集电极，负极接发射

4、极，形成三极管的输出回路。输入回路和输出回路的公共端为发射极，所以这种接法称为共发射极接法。第六单元晶体管和基本放大电路综合知识模块一半导体晶体管能力知识点2晶体管的电流放大作用调整电位器RP，使基极电流IB逐渐增大，集电极电流IC也随之增大，实验测试数据如表所示。第六单元晶体管和基本放大电路2．三极管的工作特性（1）电流分配关系对于每一列数据均有IE=IB+IC（2）集电极与发射极的导通作用当基极电流IB略有增大，集电极和发射极电流均有较大的增加。从第二列到第六列的实验数据均可以看出：IC和IE都比IB大的多，忽略IB，则为：IC≈IE（3）三极管的电流放大作用：由第三列

5、数据得：由第六列数据得：由第三、四列数据得：第六单元晶体管和基本放大电路3．三极管导通的外部条件发射结正向偏置（发射结加P高、N低的电位）；集电结反向偏置三极管导通的条件要求三极管工作时需要两个电源：基极电源和集电极电源。两个电源的大小和极性必须保证三个极的电位顺序：对于NPN型管：VC＞VB＞VE；对于PNP型管：VE＞VB＞VC。4．三极管的发射结压降三极管在导通时，发射结处于正向偏置状态，所以三极管的发射结压降与二极管的管压降相同：硅管UBE=0.6-0.7V，锗管UBE=0.2-0.3V，第六单元晶体管和基本放大电路综合知识模块一半导体晶体管能力知识点3晶体管的特性

6、曲线三极管的特性曲线是指三极管各级电压与各级电流之间的关系曲线，它反映了三极管的性能。最常用的是共射极接法时的输入特性曲线和输出特性曲线。测试电路如图所示。第六单元晶体管和基本放大电路一、输入特性曲线（1）UCE=0V时的输入特性调节RP2，使UCE=0V。调节RP1测出不同的IB对应的UBE，用描点法绘出UCE=0V时的输入特性。（2）UCE≥1V时的输入特性调节RP2，使UCE增大。同样用描点法绘出对应的输入特性。随着UCE的增大，输入特性右移，当UCE≥1V以后，输入特性曲线基本重合在一起，不再继续右移。第六单元晶体管和基本放大电路U/VI/mA200.6UCE=0V

7、0.2406000.880UCE=0V第六单元晶体管和基本放大电路二、输出特性曲线。是指基极电流IB为常数时，集电极电流IC与集电极、发射极之间UCE之间的关系曲线，它反映了三极管输出回路的伏安特性。当IB为不同常数时，均有一条对应的特性曲线。Uce/VIc/mA0.5680uA21.52.5083.51060uA40uA20uA0uA饱和区截止区放大区（1）放大区输出特性中近似水平的曲线。集电极电流几乎仅取决于基极电流，即IC=IB，而与UCE无关，表现出三极管的电流放大作用。（2）截止区IB=0以下的区域称为截