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时间:2020-09-22
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1、晶体缺陷理论第3章位错的萌生与增殖§1位错的萌生§2位错的增殖机制§3螺旋线位错的形成机制第3章位错的萌生与增殖§1位错的萌生1.1空位机制(a)快冷形成过饱和空位;(b)空位在某些特定面上聚集可以降低体系的能量;(c)一定数量的空位形成空位片;(d)空位片达到一定的尺寸后,坍塌形成了空位环;(e)如图为一刃型位错。过饱和空位空位片空位坍塌、刃位错1.2棱柱位错机制(a)最大切应力在夹杂物的π/4处;(b)界面处夹杂物与基体的膨胀系数差造成应力集中,基体晶格错动松弛,形成一段小的位错;(c)切应
2、力作用下,刃位错部分沿背离夹杂物方向,在圆柱面上运动,螺位错部分沿柱面的两边圆周方向向下运动;(d)运动过程,位错拉长。在接近圆柱面的底部附近,螺位错异号;(e)继续运动,异号螺位错相互吸引、消失,位错环仍然向右运动,而左边则留下一小段位错;(f)切应力继续作用,小位错向上运动,重复上面的过程,形成位错环,留下小位错;(g)此过程周而复始,源源不断地放出位错环,产生变形效应。§2位错的增殖机制2.1Frank-Read平面源★见位错增殖swfD↑D′右12345左右左┬┴┴↑↑2.2Frank-
3、Read空间源(1)位错增殖★见L型位错swf(2)CD段旋转运动位错有弹性能和线张2.3极轴机制位错源2.4Bardeen-Herring位错源2.5交滑移位错源★见双交滑移swf§3螺旋线位错的形成机制3.1位错形状的改变影响曲线形状的因素:1.空位或间隙原子的过饱和度;2.空位或间隙原子向位错线扩散速度(Vd)的大小;3.空位或间隙原子在位错线上重新排列的速度(Vr);4.位错在柱面上发生滑移的难易程度;5.晶体的各向异性(不同方向上的位错能量不同)
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