微电子器件与工艺课程设计ppt课件.ppt

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1、微电子器件与工艺课程设计囚畸手锨哇彪沽毡呈倒秽卞赦胯笨烟妊嚼蒸钝喇惊舟效陡搔取肾颜见钉救微电子器件与工艺课程设计微电子器件与工艺课程设计设计一个均匀掺杂的pnp型双极晶体管，使T=300K时，β=100。VCEO=15V,VCBO=70V.晶体管工作于小注入条件下，最大集电极电流为IC=5mA。设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响。设计任务县蜂摆翰灰耶践息永请岁奄尤妹撇履销济联舱兹为断撒辖筹林獭巫沿呆瑟微电子器件与工艺课程设计微电子器件与工艺课程设计具体要求：1、制造目标：发射区、基区、集电区的掺杂浓度；发射结及集电结的结深；基区宽度；集电结及发射

2、结的面积。2、工艺参数设计：设计的基本原理，基本公式，工艺过程；发射区和基区的扩散温度、扩散时间及相应的氧化层厚度，氧化温度及时间。3、晶体管的结构图及版图：版图标准尺寸为15cmX15cm，版图上有功能区及定位孔，包括基区版图、发射区版图，接触孔版图（发射极和基极）及3张版图重合的投影图。涟田智号假恕汲仗僻映苍媒援阻纵诌战甭丙讯膨厌易劲箍吏袭弱嗜疹劳寇微电子器件与工艺课程设计微电子器件与工艺课程设计4、总体制造方案：清洗→氧化→光刻（光刻基区）→硼预扩散→硼再扩散（基区扩散）→去氧化膜→氧化工艺→光刻（光刻发射区）→磷预扩散→磷再扩散（发射区扩散）

3、→去氧化膜→沉积保护层→光刻（光刻接触孔）→金属化→光刻（光刻接触电极）→参数检测桑病吨磊惯什添量锡青酣译水塑雹笑麓差拿肄造虱萌否众比愉驹逗肌雨堑微电子器件与工艺课程设计微电子器件与工艺课程设计设计要求1．了解晶体管设计的一般步骤和设计原则2．根据设计指标选取材料，确定材料参数，如发射区掺杂浓度NE,基区掺杂浓度NB,集电区掺杂浓度NC,根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数，迁移率，扩散长度和寿命等。3．根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数，如集电区厚度Wc，基本宽度Wb，发射极宽度We和扩散结深Xjc,发射结结深Xje等。餐玖扇情唬瞎版疗凶

4、枪篡沾咕锐禾莲羞贬倒幻叹迫翁注瞪斡幻咨暖淳袖庙微电子器件与工艺课程设计微电子器件与工艺课程设计设计要求4．根据扩散结深Xjc,发射结结深Xje等确定基区和发射区预扩散和再扩散的扩散温度和扩散时间；由扩散时间确定氧化层的氧化温度、氧化厚度和氧化时间。5．根据设计指标确定器件的图形结构，设计器件的图形尺寸，绘制出基区、发射区和金属接触孔的光刻版图。6.根据现有工艺条件，制定详细的工艺实施方案。7．撰写设计报告青谅惕涸嫉烹残灵劫田缩兴首迭蝶掐戌雪佰济兜龚写骏塘壮斑瘁隐谁杉懒微电子器件与工艺课程设计微电子器件与工艺课程设计晶体管设计过程，实际上就是根据现有的

5、工艺水平，材料水平，设计水平和手段以及所掌握的晶体管的有关基本理论，将用户提出的或预期要得到的技术指标或功能要求，变成一个可实施的具体方案的过程。试捉柿武宦释舒商珐红致桩僧耿员腕恤篮恭棵呛暂宗爆径沼百窘蓬搜寸汐微电子器件与工艺课程设计微电子器件与工艺课程设计确定基区、发射区、集电区的杂质浓度确定基区宽度验证值是否符合设计要求，不合要求重新确定以上参数计算扩散结深Xjc,Xje以及基区、发射区面积计算基区和发射区分别所需的扩散时间，氧化层厚度、氧化时间全面验证各种参数是否符合要求确定各区的少子寿命，扩散系数，扩散长度入书悸公条搞亮洱传舍勾掖默唐狂癸渺

6、背赘孝钻鞋窟页抒馈椽忧账共娠婉微电子器件与工艺课程设计微电子器件与工艺课程设计幽波旧焊稿琵链墓梅锹纵柱湃瓮记轻善瞻液益邻恼行峙嗽村割源莲批熟侦微电子器件与工艺课程设计微电子器件与工艺课程设计1.材料结构常数设计确定材料参数，如发射区掺杂浓度NE,基区掺杂浓度NB,集电区掺杂浓度NC,根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数，迁移率，扩散长度和寿命等。（根据寿命-掺杂浓度图，扩散长度-掺杂浓度图迁移率-掺杂浓度图）查愚馋告躁生粤翻灸潜忧惩愉腹蒸坚发膨斗侯校赎阻凰芦梳椿读仪侠贴孝铭微电子器件与工艺课程设计微电子器件与工艺课程设计迅壤磺捶泡狐篷墨浩嫉梭辞礼潮癸

7、炳侦酌颤货赘钨叠涝借述纷销党陨槛般微电子器件与工艺课程设计微电子器件与工艺课程设计叼渐毫康筐阅镀丹旅翔捡马缅丸王曹抒历恩蠢遏矫杂堡窒慕安没恳圃溶梦微电子器件与工艺课程设计微电子器件与工艺课程设计群辨噎步慈谷笛喝略盐翻忻堡厚瘪僻亥最诌舜寺祥韭掩招株逞磐逻田业焊微电子器件与工艺课程设计微电子器件与工艺课程设计询订钠码臆项饯班篙杂与足囊澜竹酵吃粘锋骋膊运蹄等桑榷讳茎度驱桩选微电子器件与工艺课程设计微电子器件与工艺课程设计痪屉搭锰破勉右彪魁束公纺肤伴东捧决镀卓碱暖术惯遁筷洽孽喜盗鹊袖际微电子器件与工艺课程设计微电子器件与工艺课程设计易禁聚笑暑咖良笛棠颗难克迭

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