微电子器件工艺课程设计

《微电子器件工艺课程设计》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在应用文档-天天文库。

1、课程设计课程名称微电子器件工艺课程设计题目名称PNP双极型晶体管的设计学生学院___材料与能源学院____专业班级08微电子学1班学号3108008033学生姓名____张又文___指导教师魏爱香、何玉定___2011年7月6日34广东工业大学课程设计任务书题目名称pnp双极型晶体管的设计学生学院材料与能源学院专业班级微电子学专业08级1班姓名张又文学号3108008033一、课程设计的内容设计一个均匀掺杂的pnp型双极晶体管，使T=300K时，β=120。VCEO=15V,VCBO=80V.晶体管工作于小注入条件下，最大集电极电流为IC=5m

2、A。设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响。二、课程设计的要求与数据1．了解晶体管设计的一般步骤和设计原则2．根据设计指标设计材料参数，包括发射区、基区和集电区掺杂浓度NE,NB,和NC,根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数，迁移率，扩散长度和寿命等。3．根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数，包括集电区厚度Wc，基本宽度Wb，发射区宽度We和扩散结深Xjc,发射结结深Xje等。4．根据扩散结深Xjc,发射结结深Xje等确定基区和发射区预扩散和再扩散的扩散温度和扩散时间；由扩散时间确定氧化层的氧化温度、氧化厚度和氧化时间。5．根据设计指标

3、确定器件的图形结构，设计器件的图形尺寸，绘制出基区、发射区和金属接触孔的光刻版图。6.根据现有工艺条件，制定详细的工艺实施方案。7．撰写设计报告三、课程设计应完成的工作1.材料参数设计342.晶体管纵向结构设计3.晶体管的横向结构设计（设计光刻基区、发射区和金属化的掩膜版图形）4．工艺参数设计和工艺操作步骤5.总结工艺流程和工艺参数6.写设计报告四、课程设计进程安排序号设计各阶段内容地点起止日期1教师布置设计任务，讲解设计要求和方法教1-3102011.6.272学生熟悉设计任务，进行资料查阅和整体设计方案的制定图书馆工三3112011．.6.

4、283设计晶体管的各区材料参数和结构参数设计图书馆工三3112011.6.294.教师集中辅导，分析材料参数和结构设计中存在的主要问题教1-3022011.6.305晶体管工艺参数设计，实验室教1-3022100.7.1-2011.7.26绘制光刻基区、发射区和金属化的版图实验室教1-3022011.7.32011.7.48教师集中辅导，分析工艺设计中存在的主要问题实验室教1-3012011.7.59总结设计结果，写设计报告实验室教1-3012011.7.610写课程设计报告图书馆，宿室2011.7.711教师组织验收，提问答辩实验室2011.

5、7.8五、应收集的资料及主要参考文献1．《半导体器件基础》RobertF.Pierret著，黄如译，电子工业出版社，2004.2．《半导体物理与器件》赵毅强等译，电子工业出版社，2005年.3．《硅集成电路工艺基础》，关旭东编著，北京大学出版社，2005年.发出任务书日期：2011年6月27日指导教师签名：计划完成日期：2011年7月8日基层教学单位责任人签章：34主管院长签章：目录广东工业大学课程设计任务书2一、设计任务及目标5二、晶体管的主要设计步骤和原则52.1.晶体管设计一般步骤52.2．晶体管设计的基本原则6三、晶体管物理参数设计73

6、.1.各区掺杂浓度及相关参数的计算73.2.集电区厚度Wc的选择103.3.基区宽度WB103.4.扩散结深133.5.杂质表面浓度143.6.芯片厚度和质量143.7.晶体管的横向设计、结构参数的选择14四、工艺参数设计164.1.工艺参数计算思路164.2.基区相关参数的计算过程164.3.发射区相关参数的计算过程184.4.氧化时间的计算20五、设计参数总结21六、工艺流程图22七、生产工艺说明247.1硅片清洗247.2氧化工艺267.3.光刻工艺277.4磷扩散工艺（基区扩散）297.5硼扩散工艺(发射区扩散)31八.心得体会32九.

7、参考文献3334PNP双极型晶体管的设计一、设计任务及目标《微电子器件与工艺课程设计》是继《微电子器件物理》、《微电子器件工艺》和《半导体物理》理论课之后开出的有关微电子器件和工艺知识的综合应用的课程，使我们系统的掌握半导体器件，集成电路，半导体材料及工艺的有关知识的必不可少的重要环节。目的是使我们在熟悉晶体管基本理论和制造工艺的基础上，掌握晶体管的设计方法。要求我们根据给定的晶体管电学参数的设计指标，完成晶体管的纵向结构参数设计→晶体管的图形结构设计→材料参数的选取和设计→制定实施工艺方案®晶体管各参数的检测方法等设计过程的训练，为从事微电子

8、器件设计、集成电路设计打下必要的基础，设计一个均匀掺杂的pnp型双极晶体管，使T=300K时，β=120。VCEO=15V,VCBO=80V.晶体管工