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时间:2020-09-14
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1、存储器基础知识■基础知识■存储器的分类■易失性存储器●DRAM●SRAM■非易失性存储器●EEPROM●FLASHMemory■新型Memory■总结■基础知识■存储器的分类■易失性存储器●DRAM●SRAM■非易失性存储器●EEPROM●FLASHMemory■新型Memory■总结■基础知识■信息的存储信息在计算机中以二进制的形式存在,即信息被转化为由0和1组成的二进制代码的形式在计算机中进行加工、传输和存储。计算机存储单位bit、Byte、KB、MB、GB等bit:存放一位二进制,即是0或1,最小的存储单位Byte:字节,8个二进制为一个字节,最常用的单位KB:千字节
2、,=1024ByteMB:兆字节,=1024KB另外还经常使用word(字)来表示,对16bit的CPU来说1word=16bit,对32bit的CPU来说1word=32bit。■基础知识■■基础知识■存储器的分类■易失性存储器●DRAM●SRAM■非易失性存储器●EEPROM●FLASHMemory■新型Memory■总结■存储器的分类■易失性存储器:电源切断后数据消失非易失性存储器:电源切断后数据不消失半导体存储器DRAMRAM易失性SRAMFeRAM非易失性MRAM掩摸ROMROMEPROMEEPROM闪存(FLASH)可以覆盖写入无法覆盖写入(RandomAcce
3、ssMemory)(ReadOnlyMemory)(DynamicRAM)(StaticRAM)(FerroelectricRAM)(MagneticRAM)(ErasableProgrammableROM)(ElectricallyEPROM)■存储器的分类■■PC中的存储器层次结构■如上图,在CPU的周边需要高速信号处理的情况使用易失性存储器,数据保存(包括程序)为目的的话使用非易失性存储器。■PC中的存储器层次结构■■基础知识■存储器的分类■易失性存储器●DRAM●SRAM■非易失性存储器●EEPROM●FLASHMemory■新型Memory■总结■易失性存储器■・
4、DRAM和SRAM的单元构造SRAMDRAM上图表示出SRAM和DRAM的单元的构造。DRAM由1PCS的三极管和1PCS的电容构成。SRAM由6pcs的三极管构成。相同的设计方法下,芯片的面积SRAM是DRAM的4倍。(价格指标使用)电容■易失性存储器■Copyright©2009OMRONCorporation.Allrightsreserved.■DRAM的特点及应用■●需要定期刷新●读写速度慢(与SRAM比)●大容量化可能●消费电力大●PC,平板电脑●智能手机●工作站●传真、打印机特点应用场合■DRAM的特点及应用场合■■DRAM的种类及主要厂家■SAMSUNG及S
5、K主要面向消费品MICRON主要面向工业用户DRAM的种类■DRAM的种类及主要厂家■■DRAM的发展■现在DRAM的主流从DDR3变成DDR4■DRAM的发展■■DRAM的发展■DRAM制程的发展■DRAM的发展■■SRAM的单元构成■SRAM由记忆数据用的4PCS三极管和数据读写用的2PCS三极管构成。和DRAM不同,SRAM用三极管来记忆数据,不需要数据刷新,因此能对应低消费电力的要求。■SRAM的结构■■SRAM的种类■SRAM主要分为同期和非同期两种。SRAM高速SRAMLPSRAM伪SRAM同期型非同期型(非同期型)(非同期型)■SRAM的种类■Copyrigh
6、t©2009OMRONCorporation.Allrightsreserved.■SRAM的特点及应用■●待机电流小●读写速度快(与DRAM比)●大容量化困难●产业机器、汽车电子●数码相机、手机●液晶电视、打印机●其他缓冲用场合特点应用场合■SRAM的特点及应用■Copyright©2009OMRONCorporation.Allrightsreserved.■主要SRAM厂家的市场份额■排名厂家名市场份额1CYPRESS14.3%2ISSI12.7%3IDT10.2%4RENESAS8.6%5MICROCHIP7.5%6ONSEMI6.7%7Microsemi6.5%8
7、ChiplusSemiconductor5.7%9GSITechnology4.6%10Winbond3.5%*2015年11月数据■SRAM主要厂家及市场份额■■DRAM和SRAM的比较■位线字节线电容DRAM的特性SRAM的特性●由三极管构成●读写动作简单●高速动作可能●难以大容量化●用于性能要求高的缓存●依靠电容存储的电荷来存储数据●为了数据维持需要刷新●高速动作难●容易大容量化●用于容量要求大的主存数据线数据线■DRAM和SRAM的比较■■基础知识■存储器的分类■易失性存储器●DRAM●SRAM■非易失性存
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