随机存储器ram和顺序存储器教案资料.ppt

随机存储器ram和顺序存储器教案资料.ppt

ID:59941102

大小:2.47 MB

页数:50页

时间:2020-11-28

随机存储器ram和顺序存储器教案资料.ppt_第1页
随机存储器ram和顺序存储器教案资料.ppt_第2页
随机存储器ram和顺序存储器教案资料.ppt_第3页
随机存储器ram和顺序存储器教案资料.ppt_第4页
随机存储器ram和顺序存储器教案资料.ppt_第5页
资源描述:

《随机存储器ram和顺序存储器教案资料.ppt》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、随机存储器RAM和顺序存储器8.1概述以二进制形式保存系统工作所需的程序和数据(通称为信息)。1.半导体存储器的分类根据制造工艺的不同,分为双极型和MOS型;根据读/写功能的不同,分为只读存储器(ROM)、随机存储器(RAM)和顺序存储器(SAM);根据数据输入/输出方式的不同,分为串行存储器和并行存储器。2自动化学院应用电子教学中心2.半导体存储器的主要技术指标存储容量:常用MB(兆字节)、GB(千兆字节)、TB(兆兆字节)等表示;读/写速度:几十ns~几百ns不等;可靠性:用MTTF来衡量;功耗3自动化学院应用电子教学中心8.2只读存储器8.2

2、.1只读存储器的基本结构和工作原理8.2.2掩模只读存储器8.2.3可编程只读存储器8.2.4可擦除的可编程只读存储器8.2.5用只读存储器实现组合逻辑函数4自动化学院应用电子教学中心8.2.1只读存储器的基本结构和工作原理图8.2.1ROM总体结构框图存储矩阵:保存二进制信息,按矩阵形式排列;地址译码器:用于选定存储单元;输出缓冲器:对存储矩阵的数据缓冲输出。5自动化学院应用电子教学中心图8.2.2256×4位存储矩阵每4列存储单元连接到一个共同的列地址译码线上。字:每次同时进行读/写操作的存储单元数,称为字。字长:一个字中所含的二进制数据的位数

3、,称为字长。地址:每个字赋予的编号,称为地址。6自动化学院应用电子教学中心8.2.2掩模只读存储器地址地址译码输出数据数据A1A0W3W2W1W0D3’D2’D1’D0’D3D2D1D000011011000100100100100001100101100100101001101001101101存储矩阵为4×4位,采用单地址译码方式,输出缓冲器由四个三态反相器构成。无论W0~W3中哪根线上出现高电平信号,存储矩阵中与高电平字线相连的MOS管导通,位线出现低电平,其它情况位线均位高电平。7(a)(b)图8.2.4256×4位ROM的逻辑结构框图和逻

4、辑符号图(a)逻辑结构框图(b)逻辑符号图地址线8条,采用双译码方式,存储容量为28=256字;数据线4条,即字长为4;控制线为,当它为低电平时,ROM的输出缓冲端打开,数据输出。8自动化学院应用电子教学中心8.2.3可编程只读存储器图8.2.5PROM的基本存储单元PROM是一种使用者可进行一次编程的ROM。PROM由存储单元中的熔丝是否熔断决定该存储单元所存信息是0还是1,熔丝未断,表示存储信息1,熔丝烧断表示存储信息0。存储单元中的熔丝一旦被烧断就不能恢复,因此PROM只能写入一次。熔丝的通断状态与是否通电无关,因为正常工作电压远低于编程电压

5、。9自动化学院应用电子教学中心8.2.4可擦除的可编程只读存储器根据擦除手段和条件的不同,EPROM又可分为UVEPROM、E2PROM和Flash三种,其中UVEPROM常简称为EPROM。EPROM的总体结构与PROM的总体结构基本相同,只是采用了不同工作原理的MOS管作为存储单元,EPROM采用了浮栅雪崩注入MOS管(FAMOS管)和叠栅注入MOS管(SIMOS管)、E2PROM采用了浮栅隧道氧化层MOS管(Flotox管)、Flash采用了闪烁叠栅MOS管,它们的最大区别就在于漏源极之间导电沟道的形成条件不同。10自动化学院应用电子教学中心

6、图8.2.6FAMOS管结构图和符号图8.2.7SIMOS管结构图和符号FAMOS管是一个栅极“浮置”于SiO2层内的P沟道增强型MOS管。SIMOS管是一个N沟道增强型MOS管,有两个重叠的栅极——控制栅Ge和浮置栅Gf。11自动化学院应用电子教学中心图8.2.9Flotox管结构图和符号图8.2.12闪烁存储器中叠栅MOS管的结构图和符号Flotox管与SIMOS管相似,也是N沟道增强型MOS管,具有隧道效应。闪烁存储器由闪烁叠栅MOS管构成,结构与SIMOS管相似,区别在于浮置栅与衬底间氧化层的厚度不同,EPROM中的氧化层厚度一般为30~4

7、0nm,而在闪烁存储器中仅为10~15nm。功耗低、擦写便捷。12自动化学院应用电子教学中心图8.2.8Intel2716的逻辑符号图实际应用中,典型的EPROM芯片有Intel存储器的27系列,如2708、2716、2764等。其中2716芯片是2K×8位的EPROM芯片,它的电路结构与ROM相似,只是存储单元采用的MOS管不同。其中,地址信号为A10~A0,选片信号为,I/O7~I/O0为数据输入/输出端,PD/PGM为待机/编程信号,是双功能控制信号,读操作时,,若PD/PGM=1,芯片处于待机方式;当时,芯片处于编程方式,在PD/PGM端加

8、上52ms的正脉冲,就可以将数据线上的信息写入指定的地址单元。13自动化学院应用电子教学中心图8.2.11Intel281

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。