霍耳效应要点复习进程.ppt

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1、霍耳效应要点半导体是指具有中等程度导电性的材料，其电导率一般在金属是指良导体，电导率的量级绝缘体是指具有极低电导率的材料在相同电流强度和磁感应强度的条件下，半导体材料的霍耳效应比金属大多个数量级左右。这是因为半导体的载流子浓度比金属的自由电子浓度要小许多数量级。因此，在半导体和金属中要得到相同电流强度，半导体载流子的速度就要大许多。而速度大，所受的洛伦兹力就大，与之相平衡的静电力就大，所以霍耳效应就大。半导体的电导率介于导体和绝缘体之间。以室温下的铜和硅为例，后者小13个量级。且金属电阻随温度增加而增加，半导体则随温度增加减小，即温度越高，导电性越好。利用霍尔效应，可

2、以确定半导体的导电类型和载流子浓度，利用霍尔系数和电导率的联合测量，可以用来研究半导体的导电机构(本征导电和杂质导电)和散射机构(晶格散射和杂质散射)，进一步确定半导体的迁移率、禁带宽度、杂质电离能等基本参数。在绝对零度条件下，半导体的电子全部束缚在原子上，能量低，处于价带。温度升高时，部分电子由于热运动，脱离原子的束缚，进入导带。所以温度升高，半导体的电导率升高。而金属温度升高导致电子与原子以及电子与电子的碰撞加剧，电导降低，电阻增加。根据霍尔效应原理制成的霍尔器件，可用于磁场和功率测量，也可制成开关元件，在自动控制和信息处理等方面有着广泛的应用。实验目的1.了解半

3、导体中霍尔效应的产生原理，霍尔系数的意义及其副效应的产生和消除；2.掌握利用霍尔效应测量材料的电输运性质的原理和实验方法；3.验证碲镉汞单晶样品P型导电到N型导电的转变。4.从液氮温度开始，测量温度变化对霍尔效应的影响。没有人工掺杂的半导体称为本征半导体，本征半导体中的原子按照晶格有规则地排列，产生周期性势场。在这一周期势场的作用下，电子的能级展宽成准连续的能带。原理束缚在原子周围化学键上的电子能量较低，它们所形成的能级构成价带；脱离原子束缚后在晶体中自由运动的电子能量较高，构成导带；导带和价带之间存在的能带隙称为禁带。ConductionbandValanceban

4、dEnergygapeachbandconsistsofaverylargenumberofcloselylyingenergylevels.Theenergygapbetweenthevalencebandandtheconductionbandismuchsmallerforasemi-conductorthanthatforaninsulator,sothatthereisarealpossibilityforelectronsto“jumpthegap”intotheemptybandbythermalagitation.随着温度升高，部分电子由于热运动脱离原

5、子束缚，成为具有导带能量的电子，它在半导体中可以自由运动，产生导电性能，这就是电子导电。而电子脱离原子束缚后，在原来所在的原子上留下一个带正电荷的电子的缺位，通常称为空穴，它所占据的能级就是原来电子在价带中所占据的能级。因为邻近原子上的电子随时可以来填补这个缺位，使这个缺位转移到相邻原子上去，形成空穴的运动，产生空穴导电。半导体的导电性质就是由导带中带负电荷的电子和价带中带正电荷的空穴的运动所形成的。这两种粒子统称载流子。本征半导体中的载流子称为本征载流子，它主要是由于从外界吸收热量后，将电子从价带激发到导带，其结果是导带中增加了一个电子而在价带出现了一个空穴，这一过

6、程成为本征激发。为了改变半导体的性质，常常进行人工掺杂。不同的掺杂将会改变半导体中电子或空穴的浓度。若所掺杂质的价态大于基质的价态，在和基质原子键合时就会多余出电子，这种电子很容易在外界能量（热、电、光能等）的作用下脱离原子的束缚成为自由运动的电子（导带电子），所以它的能级处在禁带中靠近导带底的位置（施主能级），这种杂质称为施主杂质。施主杂质中的电子进入导带的过程称为电离过程，离化后的施主杂质形成正电中心，它所放出的电子进入导带，使导带中的电子浓度远大于价带中空穴的浓度，因此，掺施主杂质的半导体呈现电子导电的性质，称为n型半导体。若所掺杂质的价态小于基质的价态，这种杂

7、质是受主杂质，它的能级处在禁带中靠近价带顶的位置（受主能级），受主杂质很容易被离化，离化时从价带中吸引电子，变为负电中心，使价带中出现空穴，呈空穴导电性质，这样的半导体为p型半导体。电导率和载流子迁移率载流子的浓度和运动状态对半导体的导电性质和发光性质等起到关键的作用。当电流I通过长为L横截面积为S的导体后电压降V，则电导率（单位电场强度产生的电流密度）：若空穴的平均漂移速度为，电流密度可写成：式中p为空穴浓度，e为电子电荷。其中μp为空穴漂移的迁移率，它定义为单位电场强度作用下空穴载流子所获得的平均漂移速度。此式为空穴的电导率。对于n型半导体其中n