最新材料科学基础习题二资料.doc

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1、材料科学基础习题二1.指出下列概念的错误之处，并更正。1）所谓过冷度是指结晶时，在冷却曲线上出现平台的温度与熔点之差。2）金属结晶时，原子从液相无序排列到固相有序排列，使体系熵值减小，因此是一个自发过程。3）在任何温度下，液态金属中出现的最大结构起伏都是晶胚。4）在任何温度下，液相中出现的最大结构起伏都是晶核。5）所谓临界晶核，就是体系自由能的减少完全补偿表面自由能的增加时的晶胚大小。6）在液态金属中，凡是涌现出小于临界晶核半径的晶胚都不能成核，但是只要有足够的能量起伏提供形核功，还是可以形核的。7）测定某纯金属铸件结晶时的最大过冷度，其实测值与用公式0.2

2、Tm计算值，基本一致。8）某些铸件结晶时，由于冷速较快，均匀形核率N1提高，非均匀形核率N2也提高，故总的形核率为N=N1+N2。9）若在过冷液体中，外加10000颗形核剂，则结晶后就可以形成10000颗晶粒。10）从非均匀形核功的计算公式中可以看出，当润湿角为0度时，非均匀形核的形核功最大。11）为了生产一批厚薄悬殊的砂型铸件，且要求均匀的晶粒度，则只要在工艺上采用加入形核剂的办法就可以满足了。12）非均匀形核总是比均匀形核容易，因为前者是以外加质点为结晶核心，不像后者那样形成界面，而引起自由能的增加。13）在研究某金属细化晶粒工艺时，主要寻找那些熔点低、

3、且与该金属晶格常数相近的形核剂，其形核的催化效能最高。14）纯金属生长时，无论液固界面呈粗糙型还是光滑型，其液相原子都一个一个地沿着固相面得垂直方向连接上去。15）无论温度分布如何，常用纯金属生长都是呈树枝状界面。16）氯化铵饱和水溶液与纯金属结晶终了时的组织形态一样，前者呈树枝状，后者也成树枝晶。17）人们无法观察到极纯金属的树枝状生长过程，所以关于树枝状的生长形态仅仅是一种推想。18）液态纯金属中加入形核剂，其生长形态总是呈树枝状。19）纯金属结晶时，若呈垂直方式生长，其界面时而光滑，时而粗糙，交替生长。20）从宏观上观察，若液固界面是平直的，称为光滑界

4、面结构；若是呈金属锯齿形的，称为粗糙界面结构。21）实际金属结晶时，形核率随着过冷度的增加而增加，超过某一极大值后，出现相反的变化。22）金属结晶时，晶体长大所需要的动态过冷度有时比形核所需要的临界过冷度大。2.若在液体中形成一个半径为r的球形晶核时，证明临界形核功△G与临界晶核体积V之间的关系为△G=-V△GV/2。3.在同样的负温度梯度下，为什么Pb结晶出树枝状晶，而Si的结晶界面却是平整的？4.考虑在1个大气压下液态铝的凝固，对于不同程度的过冷度，即△T=1，10，100和200度，计算：1）临界晶核尺寸；2）半径为rk的晶核个数；3）从液态转变到固态

5、时，单位体积的自由能变化△Gv；4）从液态转变到固态时，临界尺寸rk处的自由能的变化△Gvk（形核功）。铝的熔点Tm=993K，单位体积熔化热Lm=1.8ⅹ109J/m3，液固界面比表面能δ=93ⅹ10-3J/m2，原子体积V0=1.66ⅹ10-29m35.试证明：在同样过冷度下均匀形核时，球形晶核较立方晶核更容易形成。6.固态金属熔化时不需要过热，试对此加以解释。7.为什么纯金属小液滴结晶时过冷度较大？为什么铸件厚处比薄处晶粒较粗大？8.试比较均匀形核与非均匀形核的异同点，说明为什么非均匀形核往往比均匀形核更容易进行。材料科学基础习题二答案1.1）所谓过冷

6、度是指结晶时，在冷却曲线上出现实际结晶温度与熔点之差。2）金属结晶时，原子从液相无序排列到固相有序排列，使自由能减小，因此是一个自发过程。3）在过冷温度下，液态金属中出现的最大结构起伏都是晶胚。4）在一定过冷度（△T>△T*）下，液相中出现的最大结构起伏都是晶核。5）所谓临界晶核，就是体系自由能的减少能够补偿2/3表面自由能的增加时的晶胚大小。6）在液态金属中，凡是涌现出小于临界晶核半径的晶胚都不能成核，即使有足够的能量起伏提供，还是不能形核。7）测定某纯金属均匀形核时的有效过冷度，其实测值与用公式0.2Tm计算值，基本一致。8）某些铸件结晶时，由于冷速较快

7、，均匀形核率N1提高，非均匀形核率N2也提高，故总的形核率为N=N2。9）若在过冷液体中，外加10000颗形核剂，则结晶后就可以形成数万颗晶粒。10）从非均匀形核功的计算公式中可以看出，当润湿角为0度时，非均匀形核的形核功最小。11）为了生产一批厚薄悬殊的砂型铸件，且要求均匀的晶粒度，则只要在工艺上采用对厚处加快冷却就可以满足。12）非均匀形核总是比均匀形核容易，因为前者是以外加质点为基底，形核功小。13）在研究某金属细化晶粒工艺时，主要寻找那些熔点高、且与该金属晶格常数相近的形核剂，其形核的催化效能最高。14）纯金属生长时，若液固界面呈粗糙型，其液相原子都

8、一个一个地沿着固相面得垂直方向连接上去。15）只有在