最新VDMOS工艺ppt课件.ppt

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1、VDMOS工艺VDMOSFET的结构基本结构n+衬底，漏极Dn-外延层，漂移区p阱（又叫p基区或体区）n+源区，源极S多晶硅栅，栅氧层，栅极G2整个器件的构成前述结构实际只是器件的一个元胞，整个器件实际是由很多这样的元胞并联而成的剖面图34、清洗5、氧化：dox=6500±250Å800℃-1000℃-800℃6、一次版7、腐蚀，去胶，清洗腐蚀：温度25℃N-N+78、P+扩散预扩：R□=80～100Ω/□700℃-940℃-700℃主扩：R□=150～180Ω/□800℃-1150℃-800℃89、氧化10、光刻：二次版反刻P+区，5000pm911、腐蚀，(温度25℃)

2、t=8.1s12、去胶清洗13、栅氧化dox=1000-1100Å作C-V检查实测dox=1060-1050Å10此步骤须单独做，主要是为了生长出高质量的氧化层6000～7000ÅSiO21000ÅSiO21114、生长多晶硅7000ű200Å15、清洗1216、三次版：光刻P-区（多晶硅）三次版留下栅和互连的多晶硅（使多晶硅成为p型）SiO24000Å以上7000±200Å多晶硅1000～1100ÅSiO21317、腐蚀多晶硅（P-区），干腐：9'50''18、漂栅氧，（注意不要过漂，留下50～100Å）（P-区内）50～100Å1419、硼注入（带胶）60Kev1.7×1

3、014/cm2＜15µAB1520、正面涂胶（5000pm）21、背面腐蚀多晶硅（干法）和SiO2干腐4'38''漂2'22、去胶清洗1623、P-推进dox=1000Å800-1150-800℃多晶硅7000ÅSiO21000Å1724、漂SiO2,扩磷(N+),同时形成沟道,R□=6～7Ω/□,Xjn=1.1µ,Xjp=5µ,R□poly-Si≤30Ω/□N+G25、漂磷硅玻璃（PSiO2）（去离子水HF）1826、氧化950℃5'干氧+20'湿氧+5'干氧dox=2100Å1928、刻边缘多晶硅（即刻场限制环上的多晶硅）5000pm接触环上dox＞1000Å合格29、腐蚀

4、（先湿腐多晶硅上的SiO2）6'45'‘30、去胶清洗3-3-1-2炉口烘800℃20'N22031、光刻孔（源，栅）（刻引线孔）5000pm32、蒸铝：2.2µm33、反刻Al5000rpm（刻电极）34、合金35、涂聚酰氩胺,氩胺化36、背面金属化：钒360Å，镍8000Å，金1000Å37、测试21谢谢！22《素问·咳论第三十八》原文导读Contents2咳，即咳嗽。咳嗽一证虽散见于《内经》各篇，但独详于此篇。【篇解】Contents2本篇从整体观念出发，系统地讨论了咳嗽的病因病机、辨证分类、传变规律和治疗原则等问题，是《内经》论述论咳的专篇，故篇名为“咳论”。Conte

5、nts2（一级）黄帝问曰：肺之令人咳，何也？岐伯对曰：五藏六府皆令人咳，非独肺也。帝曰：愿闻其状。岐伯曰：皮毛者，肺之合也，皮毛先受邪气，邪气以从其合也。其寒饮食入胃，从肺脉上至于肺，则肺寒，肺寒则外内合邪，因而客之，则为肺咳。五藏各以其时受病，非其时各传以与之。人与天地相参，故五藏各以治时，感于寒则受病，微则为咳，甚者为泄、为痛。乘秋则肺先受邪，乘春则肝先受之，乘夏则心先受之，乘至阴则脾先受之，乘冬则肾先受之。【原文】(一）手太阴肺经Contents2【校注】强调掌握词语1、非其时各传以与之2、治时3、乘Contents21、非其时各传以与之：若不在肺所主之时受病，是它脏传至

6、于肺。2、治时：指五藏所主旺的时令。3、乘：趁也。此指当……之时。Contents2一、提出了“五藏六府皆令人咳，非独肺也”的观点。【分析】※本句意为五藏六腑的病变都能使人发生咳嗽，不只是肺。※本句从整体观念出发，揭示出咳嗽虽为肺的病变，但如果其它藏腑发生病变，也可影响到肺而导致咳嗽。Contents2※因为肺主气，为藏之长，肺朝百脉，故五藏六腑功能失调均能影响到肺，导致肺失宣降，肺气上逆而发生咳嗽。如脾虚生痰，痰湿上犯于肺；肝火上冲，气逆犯肺；肾虚水泛，寒水射肺等。※本句说明了咳不离乎肺，然不止于肺。Contents2※原文指出：“皮毛者，肺之合也，皮毛先受邪气，邪气以从其

7、合也。其寒饮食入胃，从肺脉上至于肺，则肺寒，肺寒则外内合邪，因而客之，则为肺咳。”※咳的病因是“外内合邪”，即外有风寒邪气侵袭，内有寒凉饮食入胃。※咳的病机是风寒外袭，邪气由表及里内舍于肺；内有寒冷饮食入胃，邪气从肺脉上至于肺，肺为娇脏不耐寒凉，内外之寒伤及于肺，导致肺气失调，宣降失常，发为肺咳。二、论述了肺咳的病因病机。Contents2※原文为“乘秋则肺先受邪，乘春则肝先受之，乘夏则心先受之，乘至阴则脾先受之，乘冬则肾先受之。”说明了外邪伤五藏各有一定的针对性，不同的季节有不同的外邪，伤