最新沉淀溶解平衡课件ppt.ppt

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1、沉淀溶解平衡难溶物:溶解度小于0.01g/100gH2O的物质微溶物质:溶解度在0.01～0.1g/100gH2O之间的物质易溶物质:溶解度大于0.1g/100gH2O的物质MA(s)MA(aq)M+(aq)+A-(aq)s(mol·L-1或g/100g水）6.1沉淀溶解平衡—溶度积常数,简称溶度积溶度积s=s0+[M+]=s0+[A-]s=[M+]=[A-]s0——固有溶解度仅用于强电解质6.1沉淀溶解平衡1.类型晶型沉淀：其外观特征为颗粒状的结晶，粒径约为0.1~1m无定形沉淀：其外观特征呈胶状或絮状，直径仅有0.02m凝乳状沉淀：介于上两种沉淀之间6.3沉淀的类型和性

2、质晶型沉淀——较大的沉淀颗粒——内部构晶离子有规则地排列，结构紧密，具有明显的晶面，沉淀的体积一般比较小，容易沉降于容器的底部，沉淀便于过滤和洗涤。2.性质粗晶型沉淀(如MgNH4PO4)细晶型沉淀(如BaSO4)无定形沉淀——由许多疏松、杂乱无章地聚集在一起的微小颗粒所形成。没有明显的晶面，颗粒中常含有大量数目的溶剂分子，呈疏松的絮状，整个沉淀的体积比较大，不易沉降于容器的底部，不易过滤和洗涤。晶型沉淀6.3沉淀的类型和性质两步：晶核的形成→晶核长大成晶粒均匀液相中自发地产生晶核的过程——均相成核溶液中常混有大量肉眼看不见的固体微粒——主要来源于容器的沾污和试剂、溶剂中的杂质

3、，当构晶离子达到一定浓度时，它们也可以起到晶核的作用——晶种——诱导沉淀的形成——异相成核沉淀微粒的大小是由晶核形成和晶核生长这两个过程的相对速率来确定的如果沉淀时，聚集速率很快，晶核形成的速率很大，后扩散到晶核上的构晶离子来不及定向排列，就又形成了新的晶核——瞬间将有大量的晶核形成，使过剩的构晶离子消耗殆尽而难于长大，只能聚集起来形成无定形的沉淀6.4沉淀的形成过程如果晶核的形成速率小于构晶离子在晶核上定向排列的速率，构晶离子就可以按一定的晶格位置定向排列，从而形成较大颗粒的晶型沉淀沉淀的类型取决于构晶离子在晶核上的聚集速率和在晶核表面上定向排列速率的相对大小控制沉淀的条件，

4、可以调节构晶离子的聚集速率，进而可以控制某些沉淀的类型沉淀生成的初始速率(即晶核形成速率，也称分散度)与溶液的相对过饱和度成正比：定向排列速率主要与沉淀物质的性质有关，是物质的固有特性6.4沉淀的形成过程晶型沉淀的沉淀条件沉淀应在适当稀的热溶液中进行在不断搅拌下，缓慢地加入沉淀剂沉淀应陈化：陈化过程的作用（1）小变大（2）除杂加快陈化的措施：加热、搅拌——加快溶解速度“稀、热、搅、慢、陈”6.4沉淀的形成过程6.5沉淀的纯度及影响沉淀纯度的因素共沉淀现象产生共沉淀的原因有三个方面1.表面吸附引起的共沉淀吸附层(或称第一吸附层)扩散层(或称第二吸附层)沉淀表面的双电层表面吸附规律

5、(1)当某一构晶离子过量时,沉淀首先吸附构晶离子(2)对于抗衡离子，离子的价数越高，浓度越大，越容易被吸附(3)如果各抗衡离子的浓度、电荷相同，则首先吸附那些能与构晶离子形成溶解度最小或离解度最小的化合物离子(4)在电场作用下容易变形的大阴离子,也易被吸附图5.5沉淀表面吸附杂质的量还与下列因素有关（1）与沉淀的总表面积有关。当沉淀量一定时，沉淀的颗粒越小则其比表面积越大，吸附杂质的量就越多。晶型沉淀表面吸附现象不严重，而无定形沉淀表面吸附较严重，表面吸附共沉淀是无定形沉淀被沾污的主要原因（2）与溶液中杂质的浓度有关。一般情况下，杂质的浓度越大，被沉淀吸附的量越多（3）与溶液的

6、温度有关。因为吸附是放热过程，因此溶液温度升高可减少杂质的吸附量。洗涤是除去表面吸附杂质的有效方法用NaCl沉淀剂沉淀Ag+，AgCl沉淀表面吸附NaCl共沉淀。用稀HNO3溶液作洗涤液，H+将沉淀表面吸附的Na+置换下来，转化为HCl，HCl在烘干时挥发除去，便得到较纯净的AgCl沉淀因此：洗涤液的选择也是很重要的6.5沉淀的纯度及影响沉淀纯度的因素2.生成混晶(或固溶体)引起的共沉淀如果溶液中存在着与构晶离子半径相近、电荷相同的杂质离子，则在沉淀过程中，杂质离子就有可能占据沉淀中的某些晶格位置而进入沉淀的内部，形成混晶；如果杂质离子位于晶格的空隙中，则形成固溶体，通常二者不

7、加区别而统称为混晶形成混晶的杂质离子进入了晶体内部或晶格，所以难于驱除减少或消除混晶的最好方法是将杂质离子事先分离除去Br6.5沉淀的纯度及影响沉淀纯度的因素3.包藏引起的共沉淀在沉淀过程中，由于沉淀剂加入过快，沉淀生长太快，最初生成的沉淀颗粒表面吸附的杂质来不及离开沉淀表面就被随后生成的沉淀所覆盖，使杂质或母液被包藏在沉淀内部。这种由于吸附使杂质包裹在沉淀内部的共沉淀现象称为包藏或吸留包藏是晶型沉淀被沾污的主要原因陈化:即将沉淀与母液一起放置一段时间，晶体中不完整部分的杂质离子容易重新进入