光刻工艺

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1、光刻工艺(2)----光刻过程光刻工艺过程.S2Y)l$`L　　一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。0R1^*z'[*i:I'b#l;w-k9t0S  1、硅片清洗烘干（CleaningandPre-Baking）'h'

2、/g%I7k!t!q6n7E)}8}9q4T1~%B方法：湿法清洗＋去离子水冲洗＋脱水烘焙（热板150～2500C,1～2分钟，氮气保护）!k,u"t,~$E3  j)r;n/_.t"z/J.I+Y1v　　目的：a、除去表面的污染物（颗粒、有机物、工艺残

3、余、可动离子）；b、除去水蒸气，是基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附性（对光刻胶或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。#K*y8Q%G'Q7@)]/u"n8~/w7f"Z-?7cj+j6b%h2、涂底（Priming）#C6}H1r"U9J4n7m7M$I.t({  S-y5%e)x"T方法：a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸气淀积，200～2500C,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染；b、旋转涂底。缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS用量大。#V$w'V9u"d:b1["s;+U(R#C6目的：使表面具有疏水性，增强基底表

4、面与光刻胶的黏附性。0I#b:Y1

5、.l6j2L,^6c3D;x#a0N8b4G:n#B9E6c3C　3、旋转涂胶（Spin-onPRCoating）$D2m0O#N/f2t;d*p4y9C/_#?*Y-l!h(v5@,c2K方法：a、静态涂胶（Static）。硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85%,旋涂后约占10～20%）；.c)M/}%B7J7A"a'{#}4f,r"y  t0w-j)g$W5m,R    b、动态（Dynamic）。低速旋转（500rpm_rotationperminute）、滴胶、

6、加速旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。-Y7{9B7m4t0O3j6i4X/R#{9y+q8V1c+b决定光刻胶涂胶厚度的关键参数：光刻胶的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度越薄；旋转速度，速度越快，厚度越薄；5`#H.i/G7t"z)_/e,As3e/V2I'E4U;V2P%d　　影响光刻胶厚度均运性的参数：旋转加速度，加速越快越均匀；与旋转加速的时间点有关。2q(A6_-@h2P)}4

7、8d3a;N7A)B#[　一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关（因为不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率）：I-line

8、最厚，约0.7～3μm；KrF的厚度约0.4～0.9μm；ArF的厚度约0.2～0.5μm。#F"z'w4~5H5w+R7O5Y:

9、*p　4、软烘（SoftBaking）(W4l.}4d;m;C9B(g7I.w(V-k5G  　方法：真空热板，85～1200C,30～60秒；9K3G4[2[$h1{.e8o.u08p"{'t-k!s.[　　目的：除去溶剂（4～7%）；增强黏附性；释放光刻胶膜内的应力；防止光刻胶玷污设备；2m1u6E"p*r*H(l!m'~4S6T:z(X4e.M　　边缘光刻胶的去除（EBR，EdgeBeadRemoval）。

10、光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离（Peeling）而影响其它部分的图形。所以需要去除。u!E7g*Y'A-U/T8@"Q3d'i,y  　方法：a、化学的方法（ChemicalEBR）。软烘后，用PGMEA或EGMEA去边溶剂，喷出少量在正反面边缘出，并小心控制不要到达光刻胶有效区域；.U#e"K/m0e2a"X,[-E-d)j;K/B2D7_7d)I　　　　　b、光学方法（OpticalEBR）。即硅片边缘曝光（WEE，WaferEdgeExposure）。

11、在完成图形的曝光后，用激光曝光硅片边缘，然后在显影或特殊溶剂中溶解；/V;q3m0n0o'E6j3y.^.Y2N/M.M$]8D!j+a$U.J,m　5、对准并曝光（AlignmentandExposure）5T9L6Q)}#rW9

12、  ^  ?2h7o0[对准方法：a、预对准，通过硅片上的notch或者flat进行激光自动对准；b、通过对准标志（AlignMark），位于切割槽（ScribeLine）上。另外层间对准，即套刻精度（Overlay），保证图形与硅片上已经存在的图形之间的对准。/q+~8A(}!J#}"},O,{4h  j)V7P

13、2Vb4b;t(m*B8d$`曝光中最重要的两个参数是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。如果能量和焦距调整不好，就不能得到要求的分辨率和