glass sensor 制程

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1、一、GlassSensor的结构及对应制作工艺结构1的制作工艺：（单面ITOPattern搭金属桥）1.共需要8道制程；2.此结构是目前主流的产品；3.金属桥在OC绝缘层上面。二、GlassSensor各工序生产时间、样品交期、量产交期工序正面镀ITO正面ITOPattern制作背面镀ITOOCPattern制作正面镀MoAlMoMoAlMoPattern制作正面掩膜镀SiO2背面镀SiO2TactTime12.5s25s12.5s25s12.5s25s10min12.5s样品交期1周量产交期7-10天I

2、TO、MoAlMo镀膜工序清洗上片镀膜卸片SiO2掩膜镀工序清洗装载掩膜板上片镀膜卸片卸载掩膜板ITO、MoAlMoPattern制作清洗涂胶预烘曝光显影后烘蚀刻脱膜OCPattern制作清洗涂胶预烘曝光显影后烘三、GlassSensor制程难点、生产过程中质量管控点单面ITO搭金属桥式GlassSensor的制程难点在MoAlMoPattern制作。ITO/MoAlMoSubstratePhotoresistMaskDevelopingEtchingStrippingMoAlMoPattern制程使用正

3、性光刻胶ResistCoatingPre-bakeExposureDevelopEtchPost-bakeStrip第一步：涂布光刻胶（ResistCoating）第二步：光刻胶的曝光(PhotoresistExposure)第三步：光刻胶的显影(PhotoresistDevelop)光刻胶的显影后，照片图示正型光刻胶曝光显影原理正型光刻胶受紫外线照射后，光照区重氮萘醌型酯化物发生分解，放出氮气形成烯酮。烯酮遇水形成茚羧而易溶于稀碱。未曝光区由于碱的作用，重氮化合物上树脂发生偶合反应形成氮化合物，使分子量

4、增加，从而降低溶解度。第四步：光刻胶的后烘(PhotoresistPost-bake)第五步：MoAlMoPattern的蚀刻(MoAlMoPatternEtching)第六步：光刻胶的剥离(PhotoresistStrip)光刻胶的剥离后，照片图示四、GlassSensor主要材料介绍生产线镀膜线光刻线使用材料靶材、玻璃基板、氩气、氧气清洗剂、光刻胶、显影液、蚀刻液、脱膜液