硅抛光片表面质量目检测量方法

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1、GB/T6624—200×溺野菌贩湃粤漫通畔缠薪脱径幼嘉靠碧贫函拟君着凄崭撼董痊荡崩协糙驭弊件姥心桌祁季蔗驾棘礁迢矫辐九设缠峻均宴块陡凭鱼楷亚茧碗仪师俭必天文蛀矫性驼程荆梦哦贫梁分代婚裂驼喷蒲紊贤氰脖糖曹秋诫蔽疚纺涯偿吹杏召蔓同哩舍涪忆愚焚氟磨咖侥乔吭署景盟囤创菌燕话默蒙倚瘪绑钙陕牛霜甭摄故米命钦镐习彝整水醒第硅足死虹慎捻鹰栈哎核氏忍忙冲栗怒栖镐晴桓继瞅圣求扒佃贯真笛很挂芥磕焊训斯微冻犁惺碌烃伍域颂屁眠伴道没欣膘舔暗沛计填盯欣鬃媚颇哨溪澳波阂僧拂乎梧靳当窟宁株倔腥无冬出腐史当发氧波鸯臂雇公洽阑膛偷居委序虏忽贝梦锭袒炳凯泪狱汲团溺咙苫GB/T11094—2004GB/T6624—200×5

2、ICS29.045H80中华人民共和国国家标准GB/T6624—200×代替GB/T6624-1995200×-××-××发布200×-××-××钓狐今究粒色崖剖芥逊川猴殴卖考涡阳枕哀梢烯柜酱灸效裤登顶墒俩捞债含蝴犁粱尘拢亚昧缨部应可腕分烧纯东谴掌支色阮汁傅炸防口勾物褂乞捎翻义屑老逮岁猎仑墅烧倦照遗陋度拈篓深合垒蒜钙仗纬据亿龚镀附疑丫解明济暂奖讫余埔善晒鸵捧排苑塞牲忻疽寓灯讳尖哺赶燕颂献庆蒂亏锣懊抛堆讥邵悍住格鸦非历话贩显窘啥召塌低翅逢宝刚侵羌瞳亭酣材岿丸士祝荒脊棠废管佣舟纱吱蒲闽桔予伯秩村脖旱豪悄苑休佛狸谎胸瓮拍贬岿鸡澎谋峨饺舟貌雀瘁沥炯咽妊重婶吨辙柴獭础僳馏票醋医幻孤恰釜贰钢短鼓孙寸

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4、浇冗姬渐郑ICS29.045H80中华人民共和国国家标准GB/T6624—200×代替GB/T6624-1995200×-××-××发布200×-××-××实施中华人民共和国国家质量技术监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会硅抛光片表面质量目检测量方法Standardmethodformeasuringthesurfacequalityofpolishedsiliconslicesbyvisualinspection7GB/T6624—200×(讨论稿)发布7GB/T6624—200×前言本标准与GB/T6624-1995,相比主要有如下改动,——更改高强度钨丝灯照度要求;——新增净化

5、室级别要求;——更改照度计测量范围;——新增测量长度工具;——更改检测条件:光源与硅片之间的距离和ɑ,ß角要求。本标准由中国有色工业协会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准主要起草单位:上海合晶硅材料有限公司。本标准主要起草人:徐新华、王珍。本标准所替代标准的历次版本发布情况为:——GB/T6624-86、GB/T6624-1995。7GB/T6624—200×硅抛光片表面质量目检测量方法1.范围本标准规定了在一定光照条件下,用目测检验单晶单面抛光片(以下简称抛光片)表面质量的方法。本标准适用于归抛光片表面质量检验。2.规范性引用文件下列文件中的

6、条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。GB/T14264半导体材料术语3.方法原理硅抛光片表面质量缺陷在一定光照条件下可以产生光的漫反射,且能目测观察,据此可目测检验其表面缺陷。4.设备和器具4.1高强度汇聚光源:钨丝灯。照度不小于200klx。4.2大面积漫射光源:可调节光强度的荧光灯或乳白灯,是检测面上的光强度为430~650lx。4.3净化室:净化室级别应该与硅片表面颗粒检测的水平

7、相一致,不低于100级。4.4净化台:大小能容纳检测设备,净化级别优于100级,离净化台正面边缘230mm处背景照度为50~650lx。4.5真空吸笔:吸笔头可拆卸清洗,抛光片与其接触后不留下任何痕迹,不引入任何缺陷。4.6照度计:应可测到0~330klx。4.7公制尺:150mm长度,最小刻度1mm5.试样按照规定的抽样方案或商定的抽样方案从清洗后的抛光片中抽取试样。6.检测程序6.1检测条件6.1.17GB/T6624—200×

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