102年度委托学术机构研究计画

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1、102年度委託學術機構研究計畫申請簡章財團法人工業技術研究院電子與光電研究所中　華　民　國　102年1月7一、說明：工業技術研究院電子與光電研究所多年來致力於我國電子科技發展，為期能讓政府科技專案計畫發揮更大的研究效果，歷年來一直邀請各學術單位共同參與，本年度仍繼續既定之政策，加強與各學術單位之合作，竭誠歡迎貴校研究人員依下列研究主題擬定研究計畫書，向本所提出申請。二、研究主題：序號轉委託計畫名稱內容簡要說明1穿隧式雙向選擇器開發與模擬•元件操作電壓<3V，On/Offratio(以3V/1.5V為標準)>1000。•元件電流密度達105A/cm223DIC高速

2、傳輸特性分析、驗證TEG設計•分析後結合電路TSV傳輸路徑可達到S11＜-20dB@5Gb/s/pin•電路規格：supply:1.8V,single-ended,bidirectional,5Gb/s/pin,100mW,20pJ/bit/pin3濕式TSV阻障層(barrier)種晶層(seedlayer)製程開發•完成規格：針對尺寸10x60um及30x100um之blindviaTSV。•完成濕式Barrier、Seed製程，目標成果為：1.barrierlayerchemicalwetdepositionfilmcontinuityandstepcov

3、erage≧50%。2.Barrier&Seedchemicalwetdepositionfilmcontinuity，depositionrate≧20nm/min，andbarrierresistivity≦30µΩ-cm,seedresistivity≦2.2µΩ-cm。3.Materialcost(barrier;seed;Cufilling)evaluation。4.typetest。5.八吋TSV無電鍍槽具體設計規範。4碳化矽電子遷移率與氮化鎵歐姆接點及閘極絕緣層技術研發•碳化矽電子遷移率維持channelmobility至80cm2/Vs，並改善V

4、th至1V，同時探討影響可靠度的機制，改善TDDB在Eox=3MV/cm、250C的操作情況下至10years。•氮化鎵閘極漏電流小於10-12A/cm2eV，使崩潰電壓電廠大於8x106V/cm5非揮發性三態內容循址儲存器(RRAMbasedNVTCAM)•Cell搜尋電流<20uA，搜尋速度>250MHz及零待機功率消耗。76非線性雙元氧化物電阻式記憶體開發•低阻態開關比>500，操作電壓<10V，寫入抹除循環>1000，資料保存>10年。7TSV等效熱膨脹係數計算技術開發•內容需包括完整參數(parametricmatrix)範圍的模擬結果及計算經驗公式。

5、參數範圍:TSV直徑=5~100um,die厚度=5~150um,TSVpitch=15~200um,SiO2厚度=0.5~2um。8SiC功率模組高效能微流散熱技術•相較於傳統之熱沉設計，在不增加壓損的條件下，提升20%之熱傳性能或維持原有的熱性能但必須降低20%的流動壓損。9Doubleside功率模組接合技術開發•內容需完整的接點材料檢測分析，包括SEM、EDS與EPMA等分析檢測，並確認接合材料系統可與Al金屬進行反應。10熱電模組區段溫度接合自組裝技術•研究熱電模組適合在不同區段溫度下工作的接合組裝技術。規格如下:高溫段耐溫達550±50度，中溫段可耐

6、溫達400±100度，低溫段達230±50度。11高線性低功耗高壓類比電路設計研究•Pulser:80Vppoutput@10MHz。•TransducerdriverwithDAC:600mAoutput、SFDR>40dB@10MHz。12OCT影像與ultrasound影像融合技術•PSNR>60或是OCE<1.013MDSP掃描影像品質提升技術研究•交付項目：(1)EWP3DLEDdisplay之LED之張角需求(2)LED點亮dutycycle需求(3).油水介面profile曲率最佳化建議(4).具上述功能之模擬程式(5)Demo：使用眼鏡式3DDi

7、splay展示模擬之結果。14光介電泳(optically-induceddielectrophoresis,ODEP)之之動態流場與電場模擬設計•提供5種光介電泳之動態流場與電場模擬設計。•提供10片高分子修飾之已封裝好ODEP晶片。•增加ODEP操控力與高導電度culturemedia之ODEP晶片微流道流場與電場設計諮詢、lowcost與可拋式ODEP晶片設計諮詢。715高靈敏度表面增強拉曼之食品生菌指數檢測試片•“表面增強拉曼散射金屬鍍膜粒子結構”（SERsPSBs）核心技術，具有訊號放大強（106），製作容易、可大量製造、易與已發展系統整合等優點。•.

8、以“交流電滲流”操控流場