论文文本格式规范

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1、本科毕业设计（论文）格式模板本彩页封面仅为电子稿样本，文本装订时请以班为单位到教材科领取纸质封面及资料袋后再装订毕业设计（论文）诚信声明本人郑重声明：所呈交的毕业设计（论文）是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。就我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表和撰写的研究成果，也不包含为获得华东交通大学或其他教育机构的学位或证书所使用过的材料。如在文中涉及抄袭或剽窃行为，本人愿承担由此而造成的一切后果及责任。本人签名____________导师签名__________年月日摘要中文摘要：独占一页；论文题目用小

2、2号黑体字、居中页眉：中文宋体，小五号，居中III-Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光宋体，5号，对齐居中LED外延片的MOCVD生长和性质研究"摘要"用3号黑体字、居中专业：学号：学生姓名：指导教师：摘要正文用小4号宋体字宽禁带III－Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。自1994年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了GaN基蓝光LED外延材料生长技术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产GaN基LED。尽管如此，这项高技术仍处于

3、高度保密状态，材料生长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从参考文献及专利公报中获取最重要的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究GaN基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科学依据。本文在自制常压MOCVD和英国进口MOCVD系统上对III－Ⅴ族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光LED外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。并获得了如下有创新和有意义的研究结果：1．首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶

4、膜的思想，并在GaN外延生长上得以实现。采用这种缓冲层，显著改善了GaN外延膜的结晶性能，使GaN基蓝光LED器件整体性能大幅度提高，大大降低了GaN基蓝光LED的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。…………本文得到了国家863计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究中心项目的资助。关键词用小4号黑体字、居左顶格、单独占行，关键词之间用分号间隔关键词：氮化物；MOCVD；LED；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱-31-Abstract页眉：外文TimesNewRoman字体，五号，居中的居中英文摘要：独占一页；论文

5、题目用TimesNewRoman字体小2号加粗、居中StudyonMOCVDgrowthandpropertiesofIII-ⅤnitridesandhighbrightnessblueLEDwafers"ABSTRACT"用TimesNewRoman字体3号加粗、居中Abstract正文用TimesNewRoman字体小4号GaNbasedⅢ-ⅤnitrideshavepotentialapplicationsonhighbrightnessLEDs,shortwavelengthlasers,ultravioletdetectors,high

6、temperatureandhighpowerelectronicdevices.Studyonphysicsissuesandtechnologiesofnitridesopenanewareaof3thgenerationsemiconductor.MorethantencompaniesinAmericaandJapanreportedtohavedevelopedthenitridesgrowthtechnologysinceNichiacompanyinJapanfirstrealizedthecommercializationofGa

7、NbasedblueLEDin1994.Inthisthesis,GaNanditsternaryweregrownbyahome-madeatmospherepressuremetalorganicchemicalvapordeposition(MOCVD)andThomasSwan6×2”MOCVDsystems.HighbrightblueLEDwaferswereobtainedbyoptimizingthenitridesgrowthtechnologyandwaferstructure.Someencouragingresultsar

8、efollowingas:1.Wepresenttheideaofusingabufferlayerofdeviationfromsto