各章内容最后小结.pdf

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1、1半导体二极管1．本征半导体在本征激发后导电，载流子浓度与温度T有关。2．P型半导体中多子为空穴，少子为电子；N型半导体中多子为电子，少子为空穴。掺入杂质后，半导体的导电能力会有显著提高。3．PN结又称空间电荷区、耗尽层、阻挡层、势垒区，有单向导电性：正向电阻很小，反向电阻很大。VVT4．二极管的伏安方程是：IIs(e1)，其中:Is是二极管的反向饱和电流，与温度有关；VT是温度的电压当量，室温下为0.026mV。VVT二极管正偏时，IIse，反偏时，IIs5．二极管反向偏置电压达到击穿电压VBR时，其PN结发生电

2、击穿（雪崩击穿和齐纳击穿），此时电流变化很大而电压变化不大——由此做成稳压管。2晶体管1．晶体管（BJT）是双极型电流控制器件，晶体管进行电流放大的前提是发射结正偏置、集电结反偏置。2．晶体管的外部电流关系是ICIE、ICIB、IEICIB3．晶体管有三个工作区域：放大区、饱和区、截止区，晶体管通过电流控制实现信号放大的条件是工作在放大区。4．晶体管处于正常放大状态时，发射结正偏置，集电结反偏置，为满足此条件，NPN型晶VVVVVV体管的各极电位关系应该是CBE；PNP型晶体管的各极电位关系应该是CBE。

3、5．当vBEVth且vCEvBE时，晶体管工作于放大区；当vBEVth且vCEvBE时，晶体管工作于截止区；当vBEVth且vCEvBE时，晶体管工作于饱和区。6．场效应管（FET）是单极型电压控制器件，栅源电阻大。场效应管有三个工作区域：可变电阻区、恒流区、击穿区，场效应管通过电压控制实现信号放大的条件是工作在恒流区。7．放大器的直流栅源电压的偏置应保证场效应管能正常工作，以N沟道为例，结型场效应管的vGS0后有iD，vGS越负，iD越小；增强型绝缘栅场效应管的vGSVT（VT为正）后有iD，vGS越正，i

4、D越大；耗尽型绝缘栅场效应管的VGS可正可负，vGS越大，iD越大，vGSVP（VP为负）时iD0。各种场效应管的转移特性所在象限如下图所示3模拟电子系统的基本问题1.电子系统中，任意一个电信号源可以用戴维宁等效或诺顿等效的形式来表达。2.模拟电子系统的基本分析方法是图解分析法和简化模型分析法。3.简化模型分析法用于模拟电子系统的近似估算，使用条件是非线性器件工作于线性区，且为小信号情况工作状态，将非线性器件进行线性化处理后，利用叠加定理将模拟电子系统的交、直流通道分开估算。直流通道的画法：所有交流信号源置零，所有电容开

5、路，电感短路，其余元器件保留，所有电量大写；交流流通道的画法：所有直流信号源置零，所有电容短路，电感开路，其余元器件保留，所有电量小写。4．二极管的直流模型为：理想模型_正偏vD0反偏iD0恒压降模型_正偏vV，硅管为0.7V，锗管为0.2VDD反偏iD0折线模型iD/mAr200DIDVthvDiD_oVv/VVthDD(a)特性曲线(b)电路符号正偏vDVthiDrD，对硅管来说Vth0.5V,rD200反偏iD05．二极管的微变等效模型Rr_Dd__26mVrd是静态工作点Q上小信

6、号工作范围内的二极管动态等效电阻：rdID(mA)4基本放大电路1.由晶体管放大电路的直流通道可求出静态工作点；由晶体管放大电路的交流通道可画出电路的微变等效模型。2．晶体管放大电路的静态工作点设置不合理时，会使电路的输出波形发生失真：静态工作点过高时为饱和失真（NPN管：表现为底部失真），过低时为截止失真（NPN管：表现为顶部失真）。3．温度会引起晶体管的增加、ICBO增加、输入特性曲线左移，总的结果是使静态工作点上移，容易发生饱和失真。解决的办法是引入直流负反馈（如射极偏置电路）。4．晶体管的小信号等效模型是：26(

7、mV)其中：rberbb(1)IEQ(mA)5．晶体管放大电路有三种基本形式：共射电路（输入输出反相位）、共集电路（输入输出同相位）、共基电路（输入输出同相位）。共射电路：RLRi静态工作点：VCCVBEQIBQRbICQIBQVCEQVCCICQRc动态性能指标：RLAvrbevRoiAvsAvvRRsisRR//rRRibbe，oC射极偏置电路：RbRb1Rb2RLRi静态工作点：Rb2VBQVCCRb1Rb2VBQVBEQIEQICQReVCEQVCCIC

8、Q(RcRe)ICQIBQ动态性能指标：无旁路电容Ce时：RLAvrbe(1)ReviRiRbRiiiRb1Rb2[rbe(1)Re]vtReRorce(1)icRsrbeRevtRoRcRoRcit有旁路电容Ce时：RLAv