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1、模拟部分第一章半导体器件的基础知识第一节半导体二极（A）基础题一、填空题1、按导电能力的不同，物体可分为、和三大类。2、常用的半导体材料是和,它们都是价元素。3、半导体中导电的不仅有，还有，其中带正电荷，带负电荷，它们统称。4、半导体按导电类型分为型半导体和型半导体。5、PN结正偏时，P区接电源的极，N区接电源的极；PN结反偏时，则相反。6、PN具有性能，即加正向电压时PN结,加反向电压时PN。7、二极管的核心是一个,P区的引出端叫极或极，N区的引出端叫极或极。8、按制造工艺的不同，二极管可分为型、型和型三种。9、2CZ是材料的二极管，2AK是材料的二极
2、管，2AP是材料的二极管，2CW是材料的■二极管。10、硅二极管的死区电压为V,正向导通电压为V;楮二极管的死区电压为V,正向导通电压为V。二、判断题（对的打“/,错的打“X”）1、只有单晶硅或错才能制作半导体器件。（）452、在硅或错中掺入五价元素形成P型半导体。（）3、在硅或错中掺入三元素形成N半导体。（）4、PN结正偏时导通，反偏时截止。（）5、PN结反偏时，完全没有反向电流。（456、晶体二极管是线性元件。（）7、晶体二极管具有单向导电性。（）（））））C、纯净半导体D、杂质半导体8、在整流电路中，一般采用点接触型晶体二极管9、晶体二极管加反向电
3、压时一定截止。（10、晶体二极管加正向电压时一定导通。（三、选择题1、p型半导体中，下面说法正确的是（A、带正电的半导体B、带负电的半导体A、以电子为多数载流子B、以空穴为多数载流子C、只有电子没有空穴D、只有空穴没有电子）A、小信号检波B、大功率整流C、开关电路D、高频电路4、当在硅晶体二极管两端加上0.4v的正向电压时，该晶体二极管相当于（）A、很小的电阻B、很大的电阻C、短路）A、RXI00Q档或RX1KQ档B、RX1Q档C、RX10Q档D、RX10KQ档6、把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，干电池的负极直接接到硅二极管的
4、负极，则该管（）A、基本正常B、击穿C、烧坏四、简答题1、P型和N型半导体的定义各是什么?2、什么是PN结的反向击穿？反向击穿分为哪几种？各有什么特点?45(B)巩固、发展题1、在下图中，Ei=3V,Ez=5V,V为理想二极管，求电路电压UabV二三E12、判断以下图中各电路的二极管导通情况，并求出U。，设图中二极管都是理想二极管。45453、怎样用万用表判断硅二极管和错二极管？怎样用万用表判断小功率二极管的好坏与极性?4、两只盒子，每只盒子都只有两根导线引出，一只盒子上有红、绿指示灯各一个，另一只盒子上装有一只单刀三掷开关。如果把两只盒子串接后，接上交
5、流电源，要求当开关拨到位置“1”时红灯亮;放在位置“2”时，绿灯亮；放在位置“3”时，两灯同时亮。试问：如果用二极管实现上述要求，应如何连接？(如图1-3)第二节半导体三极管（A）基础题一、填空题451、晶体三极管有两个PN结，即结和结；有三个电极，即极、极、极，分别用、、表示。2、晶体三极管按导电结构分为型和型，前者的图形符号是,后者的图形符号是。3、晶体三极管3DG6是材料型（用途）三极管，序号为,3AK5是材料型三极管。4、晶体三极管Ib、Ic、Ie之间的关系式是。Ic/Ib的比值叫,?Ic/?Ib的比值叫5、某晶体三极管的UCE不变，基极电流Ib
6、=30“A时，1c=1.2mA,则发射极电流IE=____mA,如果基极电流Ib增大到50"时，Ic增加到2mA,则发射极电流府=mA,三极管的电流放大系数？=。6、晶体三极管的输出特性可分为三个区域，即区、区、区。7、三极管具有正常放大作用时，集电极、基极、发射极各极电位必须符合一定的大小关系，对于NPN管，应符合,对于PNP管应符合。8、当晶体三极管工作在放大区时，发射结，集电结;工作在截止区时，发射结，集电结;工作在饱和区时，发射结，集电结。9、晶体三极管的穿透电流Ice。随温度的升高而,硅三极管的穿透电流比错三极管,所以硅三极管的热稳定性比错三极
7、管。10、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。二、判断题1、晶体三极管有两个PN结，因此它具有单向导电性。（）2、为使晶体管处于放大状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压。（）3、发射结正偏的晶体三极管一定处于放大状态。4、发射结反偏的晶体三极管一定处于截止状态。（）5、无论是哪种晶体三极管，当处于放大工作状态时，B极电位总是高于E极电位，C极电位也总高于B极电位。（）6、一般来说，晶体三极管的电流放大系数?随温度升高而减小。457、晶体三极管的穿透电流ICEO的大小不随温度而变化。（）8、对于NPN三极管，
8、如VBE>0，VBE>VCE，则该管的工作状态是饱和状态。（）9、晶体三极管的集
