DRAM和NAND Flash毛利率或在今年年中触顶.doc

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1、DRAM和NANDFlash毛利率或在今年年中触顶  电子发烧友早八点讯:存储供应紧俏,业者获利直线上冲,口袋赚饱。外资警告,厂商砸钱增产,DRAM和NANDFlash的毛利率可能会在今年年中触顶。  巴伦周刊(Barronˋs)7日报导,SusquehannaFinancialGroup的MehdiHosseini表示,存储业者的资本开支超过50亿美元,是毛利触顶的预兆,2013年第四季和2015年Q1、Q3都是如此(见下图)。该行估计,2017年Q1、Q2存储业的资本开支都高于50亿美元门槛;由此看来,2017年毛利率可能会在年中或

2、年末触顶。    (Source:Flickr/TIernantechCCBY2.0)  Hosseini警告,苹果采购完iPhone8所需的内存之后,相关需求可能骤减。报告称,今年下半NAND供给将转为宽松,主因48层NAND制程加速转往64层,而且三星平泽(Pyeongtaek)厂也启用。与此同时,Kingstom等模组厂的库存增加至6~8周水位,打算趁着苹果iPhone8下单NAND时,推升实际销售。  报告称,存储业者中,WesternDigital(WD)、SanDisk毛利率波动较小,情况优于美光(MU)、SK海力士(SKH

3、ynix)、三星电子。这是因为WD、SanDisk不受DRAM市场力量冲击,而且都和日厂东芝(Toshiba)合资生产,可分担成本。  声明:电子发烧友网转载作品均尽可能注明出处,该作品所有人的一切权利均不因本站转载而转移。作者如不同意转载,即请通知本站予以删除或改正。转载的作品可能在标题或内容上或许有所改动。

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