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1、静态时序分析基础（转） (2010-04-1819:32:45)转载▼标签： 杂谈分类： SynopsisDC学习工艺极限(ProcessCorner)如果采用5-cornermodel会有TT,FF,SS,FS,SF5个corners。如TT指NFET-Typical corner&PFET-Typicalcorner。其中,Typical指晶体管驱动电流是一个平均值，FAST指驱动电流是其最大值，而SLOW指驱动电流是其最小值（此电流为Ids电流）这是从测量角度解释，也有理解为载流子迁移率(Carriermobility)的快慢.
2、载流子迁移率是指在载流子在单位电场作用下的平均漂移速度。至于造成迁移率快慢的因素还需要进一步查找资料。单一器件所测的结果是呈正态分布的，均值在TT，最小最大限制值为SS与FF。从星空图看NFET，PFET所测结果,这5种覆盖大约+-3sigma即约99.73%的范围。对于工艺偏差的情况有很多，比如掺杂浓度，制造时的温度控制，刻蚀程度等，所以造成同一个晶圆上不同区域的情况不同，以及不同晶圆之间不同情况的发生。这种随机性的发生，只有通过统计学的方法才能评估覆盖范围的合理性。 PVT(process,voltage,temperature)设
3、计除了要满足上述5个corner外，还需要满足电压与温度等条件,形成的组合称为PVT(process,voltage,temperature)条件。电压如：1.0v+10%,1.0v,1.0v-10%;温度如：-40C,0C25C,125C。设计时设计师还常考虑找到最好最坏情况.时序分析中将最好的条件(BestCase)定义为速度最快的情况,而最坏的条件(WorstCase)则相反。最好最坏的定义因不同类型设计而有所不同。最坏的延迟也不都出现在SS[19] 。至于延迟随PVT发生怎样的变化，还需要进一步查找资料。根据不同的仿真需要，会有
4、不同的PVT组合。以下列举几种标准STA分析条件[16]：WCS(WorstCaseSlow):slowprocess,hightemperature,lowestvoltageTYP(typical):typicalprocess,nominaltemperature,nominalvoltageBCF(BestCaseFast):fastprocess,lowesttemperature,highvoltageWCL(WorstCase@Cold):slowprocess,lowesttemperature,lowestvoltag
5、e在进行功耗分析时，可能是另些组合如：ML(MaximalLeakage):fastprocess,hightemperature,highvoltageTL(typicalLeakage):typicalprocess,hightemperature,nominalvoltage 除此之外，另一个组合条件称为Scenarios:Scenarios=Interconnect+operationmode+PVT噪声(noise)与串扰(crosstalk)似乎需要另外考虑。 1.内连线情况(interconnectcorner) 制
6、造对互连线造成的影响，如：R_typicalC_typical,R_maxC_max,R_maxC_min,R_minC_min 2.工作模式(OperationMode) 如：functionmode,scanmode,sleepmode,standbymode,activemode 3.PVT 对多种scenarios的综合分析，称之为MMMC(Multi-ModeMulti-Corner)Analysis。 OCV(On-chipVariations)由于偏差的存在，不同晶圆之间，同一晶圆不同芯片之间，同一芯片不
7、同区域之间情况都是不相同的。造成不同的因素有很多种，这些因素造成的不同主要体现： 1，IRDrop造成局部不同的供电的差异；2，晶体管阈值电压的差异；3，晶体管沟道长度的差异；4，局部热点形成的温度系数的差异；5，互连线不同引起的电阻电容的差异。OCV可以描述PVT在单个芯片所造成的影响。更多的时候,用来考虑长距离走线对时钟路径的影响。在时序分析时引入derate参数模拟OCV效应，其通过改变时延迟的早晚来影响设计。三种STA(StaticTimingAnalysis)分析方法[13]：1，单一模式,用同一条件分析setup/hold;
8、2，WC_BC模式,用worstcase计算setup，用bestcase计算hold；3，OCV模式,计算setup用计算worstcase数据路径，用bestcase计算时钟路径；计算hold用best
