多晶制绒原理及异常处理

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1、多晶制绒原理及异常处理多晶制绒原理一、制绒的化学反应原理Si+2HNO3=SiO2+H2O+NOXSiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O二、酸腐蚀法制备绒面的基本原理硅片在切割过程中表面留有大约10-20μm的钜后损伤层，对制绒有很大的影响，因此在制绒前将其除去；目前广泛使用的酸腐蚀溶液是以HF、HNO3为基础的水溶液体系，其基理为HNO3给硅表面提供空穴，打破了硅表面的Si2H健，使Si氧化为SiO2，然后HF溶解SiO2，并生成络合物H2[SiF6]。从而导致硅表面发生各向同性非均匀性腐蚀，形成的粗糙的多空硅层，有利

2、于减少光反射，增强光吸收表面，为了控制化学反应的剧烈程度，有时还加入一些其他的化学药品。酸对硅的腐蚀速度与晶粒取向无关，为此酸腐蚀又称为各向同性腐蚀。多晶制绒原理-各槽体的作用介绍制绒槽：现在使用的rena设备上料后直接进入制绒槽，制绒槽中硝酸将硅表面氧化为二氧化硅；氢氟酸将二氧化硅腐蚀掉。碱洗槽：利用碱液洗除多空硅（酸腐蚀易在多晶硅表面形成一层彩色均匀的多空硅膜，这个多空硅膜具有极低的反射系数，但是它不利于p-n结的形成和印刷电极，所以，一般使用稀释的碱液来去除这层多空硅膜）。酸洗槽：利用盐酸和氢氟酸洗除杂志金属离子和进一步

3、去除硅表面残留的二氧化硅，易于吹干。在设备中硅片进过槽体的顺序：制绒槽-水洗-碱洗槽-水洗-酸洗槽-水洗；在每次水洗后都会有风刀将硅片吹干。多晶制绒异常处理一、生产异常制绒后硅片表面逐渐变亮：适量增加HF的量制绒后硅片表面逐渐变黑或刻蚀太深适量增加HNO3的量制绒后硅片表面有滚轮印：1、多跑一些试车片，直至滚轮印消失2、转处理：如果硅片未经过制绒，可重新制绒后观察绒面，如无异常可下传；如果硅片经过制绒，则库存好等待异常片（处理好后的）下传时再直接下传硅片抛光：1、主要为机台异常紧急停机情况下在碱槽出现2、转处理：库存好等待异常

4、片（处理好后的）下传时再直接下传硅片叠片：1、注意放片时硅片之间的距离，不得小于10mm2、转处理：如果正面处于叠片面，则重新制绒；如果背面处于叠片面，则不用再处理，库存好等待异常片（处理好后的）下传时再直接下传刻蚀太深，表面发黑片多晶制绒异常处理滚轮印抛光片碟片出现黑斑片：1、停止进片；2、通知质检和工艺；3、查找是否所有机台都出现黑斑片；4、检查原料片是否能看出黑斑；硅片表面有黄斑：1、停止进片；2、检查碱槽剩余时间；3、检查机台碱槽是否报警：循环中最小流量。如果报警，则要补液。补液流程：进入“填充”选单中“碱槽”，按碱液

5、：水=1：10的比例补液至第二个液位处；4、检查碱槽液位、流量计状况是否正常。如果液位没有达到第二个液位且流量计处于最底层或有气泡，则要补液；（图1-3）5、检查喷淋头是否干净或堵塞，不生产时用水枪冲洗喷淋头；（图4）检查碱槽与碱槽前水槽之间的风刀是否将硅片吹干。（图5、6）6、转处理：⑴碱洗：温度在70℃下碱洗3分钟，药品：4LH2O2，28LH2O，400gNaOH⑵水洗：溢流水槽⑶酸洗：温度在50℃下酸洗2分钟，药品：4LH2O2，0.18LHF，1.6LHCL，32LH2O⑷水洗：溢流水槽⑸超净清洗多晶制绒异常处理多晶

6、制绒异常处理黑斑片黄斑片黄斑片流量计达到最底图1流量计液位正常图2风刀小，硅片成片带水图5正常图6液位正常图3喷淋管图4多晶制绒异常处理二、减重及反射率异常平均减重偏低：按一定比例补加HNO3和HF。如果反射率在25%-28%范围内，HNO3药量高于HF；如果反射率在接近30%，HF药量高于HNO3平均减重偏高：补加水：在减重正常的情况下，补加3-5L的HNO3，同时也要补加相应量的水以控制好减重；减重偏低，则按照上述方法补加一定量的HNO3反射率偏高（29%左右，接近30%）：在减重正常的情况下，补加3-5L的HF，同时也要

7、补加相应量的水以控制好减重；减重偏低，则按照上述方法补加一定量的HF多晶制绒异常处理机台堵片：设备清理药液（HNO3、HF等）填充时间已过：表明换酸时间已到，及时去泵房换酸碱槽报警循环中最小流量：表明液位不够，要补液；检查硅片有无异常酸槽报警循环中最小流量：表明液位不够，要补液；检查硅片有无异常酸性溶液安全槽泄露报警：设备维修并告知工艺；检查硅片有无异常硝酸/氢氟酸溶液安全槽泄露报警：设备维修并告知工艺；检查硅片有无异常负载排气装置的监测报警：设备维修并告知工艺；检查硅片有无异常刻蚀槽或碱槽温度过高：停止进片，待设备工程师检查

8、设备状况，并确认温度降到正常范围后开始生产多晶制绒异常处理多晶制绒异常处理1.刻蚀槽泵缸过满如图：黑色区域为各管路的指示图。在功能栏里找到并点击手动模式，查看刻蚀槽泵缸的四个液位传感器的状态，上端的传感器显示的状态为红色。说明液位过满。找到左边功能栏里的（由罐向槽填充药液）点