应用于phemt器件的深亚微米t形栅光刻技术

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1、显微、测量、微细加工技术与设备!"#$%&#%’(，!()&*$(+(,-，!"#$%.)/$"#)-"%,012*"’+(,-应用于!"#$%器件的深亚微米%形栅光刻技术谢常青，陈大鹏，李兵，叶甜春（中国科学院微电子中心，北京!"""!"）摘要：#$%&’器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波(毫米波系统。当#$%&’器件的栅长缩短到足够短的时候，沿着栅宽方向的寄生电阻会影响#$%&’器件的性能。为了解决这个问题，一种具有大截面面积而底部长度却很小的’形栅结构通常被用于制作#$%&’器件，因为这种结构可以有效地减少由于栅寄生电阻

2、而引起的晶体管噪声。对几种常用的制作深亚微米’形栅的三种光刻技术即光学光刻、电子束光刻、)射线光刻技术进行了比较分析。对于光学光刻技术，通常需要采用移相和光学邻近效应校正技术，它的制作成本低，但是很难用于制作深亚微米’形栅；对于电子束光刻技术，通常需要采用高灵敏度和低灵敏度的多层胶技术，虽然它的栅长可以制作到非常小，但是它的生产成本非常高，而且它的生产效率非常低；对于)射线光刻技术，它不仅可以用于制作深亚微米’形栅，而且它的生产效率非常高，’形栅的形状可以非常容易控制。关键词：#$%&’；’形栅；光学光刻；电子束光刻；)射线光刻中图分类号：

3、!"#$%&’文献标识码：(文章编号：)*’)+,’’*（-$$-）$’+$$#.+$,!""#$%&’()*+,-.$%/0#"1203"4)3/,2+0#/53"*/-,4,256,+789:.1";)*"/0123456+7856，291":4+;<56，=0>856，?1!845+@3A5（!"#$%&’&#($%)"#*+,-.&)(&$，/0&.0")&*&1#23&45%67#"&)#&*，8&"9"):)$$$)$，.0")2）<’%3+0*3：BC

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