深亚微米soi器件薄栅氧化机理损伤的研究

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1、论文题目：深亚微米SOI器件薄栅氧机理损伤研究学科专业：微电子学与固体电子学研究生：田建签名：指导教师：杨嫒教授签名：摘要随着集成电路中Hi曲-k技术的发展，绝缘栅氧化层质量的好坏成为其关键所在。本文通过单粒子辐照和经时绝缘击穿(TDDB)的实验对深亚微米SOI器件的栅氧化层质量进行测试，探索栅氧化层的损伤机理，主要工作包括：1)对O．13¨m工艺SOI器件进行单粒子辐照实验设计，在单粒子辐照后测试中发现器件出现了栅漏电流增大、驱动能力下降、饱和电流退化，并会发生软击穿现象，软击穿现象会让器件的性能发生明显退化，但仍能够工作。在电应力实验检测未出现明显退化现象的器件可能存

2、在潜在损伤，这些存在潜在损伤的器件比未辐照器件在测试中更加容易击穿。最后阐述单粒子辐照给薄栅氧化层所带来的损伤。2)采用栅极电压扫描法对O．18pm和O．35岬工艺的SOI栅电容进行TDDB测试，并通过在不同应力下测试得到栅电容的的击穿时间，对其进行栅氧化层累计失效分布图统计得到中位寿命，用1／E模型预测出栅氧在正常工作状态下的使用寿命，并阐述了栅氧击穿机理。关键词：栅氧化层；SOI；单粒子辐照；经时绝缘击穿聋西安理工大学硕士学位论文Title：TheresearchofthedamagetheoriesofthedeepsubmicronSoIdevicesMajor：

3、MicroeIectronicsandSoIidElectroni璐Name：JianTiansignature：盈!!勘SuperVisor：Prof．YhanYraIIgSignature：AbstractWitlltlledeVelopmentoflligh-ktechnology，thequali够ofthegateoxide、)I，illbethekeyofthereliabilit)，ofmgh·k．Intllist11esis，detectthequalityofmegateoxideofthedeepsubmicronSOIdevicesbytIlesin

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7、riesoftheultI-aoxideaIldthethickoxidedevices．1(eywords：ga_teoxide；S0i；siJlgleeventirradiation；timedependentdielectricbreakdo、Ⅳn西安理工大学硕士学位论文lV绪论l绪论1．1课题研究背景2∞7TT船ProdI，ctTechnolo秽Trends．Functi帅阳rchip●．p<磊琴、，^f—誓弋．j7。J副■．丁茜◇箸目田匿』／＼协1厂．玉团纠步一万爹瞥—JFl鹋hbits／chiD删b“s／chin●