ddr2设计指导

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1、DDR2设计指导目录1DDR2基本功能描述4DDR2电平52DDR2PCB设计62.1常用拓扑结构62.1.1DIMM拓扑分析62.1.2颗粒拓扑分析61.2走线规则及时序71.2.1WJT83仿真分析拓扑模板错误!未定义书签。图目录图1OCD功能示意4图2ODT可变更参数（EMRS表示lA）部寄存器）5图3电压标准5图4过冲示意图5图52T（左〉、1T（右）模式2DIMM各信号流向描述6图6地址拓朴结构7图71驱4地址拓扑7图8DDR2时序关系示意W81DDR2基本功能描述DDR2(DoubleDataRate2)SDRAM是由」E

2、DEC进行开发的新生代内存技术标准，它与上一｛tDDR内存技术标准的区别在于，虽然同是采用了在时钟的上升/下降沿同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即：4bit数据读预取)，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。DDR2内存采用SSTL_1.8电压标准，相对于DDR标准的SSTL_2.5，降低了不少，因而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化意义重大。在继承了DDR的优点之外，DDRII新增了OCD、ODT和PostCAS三

3、项功能。OCD(Off-ChipDriver):也就是所谓的离线驱动调整，DDRII通过0CD可以提高信号的完整性。DDRII通过调整上拉(pull-up)/T拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。图1OCD功能示意ODT:ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDRSDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大増加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信

4、号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。DDR2中ODT有3组戴维南电阻值可选：PARAMETERCONDITIONSYMBOLMINXOMMAXUNITSRtteffectiveimpedancevalueforEMRS(A6,A2

5、)=0.1;75ohmRttl(eff)607590ohmRtteffectiveimpedancevalueforEMRS(A6.A2)=1.0:150ohmRtt2(eff)120150180ohmRtteffectiveimpedancevalueforEMRS(A6?A2)=kl;50ohmRtt3(eff)405060ohmDeviationofVMwithrespecttoVDDQ2[leltaVM•66%图2ODT可变更参数（EMRS表示rt部寄存器）DDR-H的地址和控制信号管脚内没有ODT功能，只有DQS、DM、DQ

6、等信号管脚有该功能。PostCAS:它是为了提高DDRII内存的利用效率而设定的。在PostCAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（AdditiveLatency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（AdditiveLatency）所取代，AL可以在0,1,2,3,4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。1.1DDR2电平DDR2内存采用SSTL_1.8电压标准，根据JEDEC给出

7、的DDR2标准J4DDR2所涉及的所有工作电压分别给出了要求，见下表：SymbolParameterRatingUnitsNotesMin.Typ.Max.VDD

8、SupplyVoltage1.71.81.9

9、V1VDDLSupplyVotageforDLL1.71.81.9V5VDDQSupplyVotageforOutput1.71.81.9V1,5VREFInputReferenceVoltage0.49xVDDQ0.50xVDDQ051xVDDQmV2.3VTTTerminationVoltageVREF-0.04VREFVR

10、EF+0.04V4NOTE1TheieiznospecificdeviceVDDsupply-ol:aselequiiemen:foxSSTL-1Scompliance.Hoxveveixmdexallconcttio