[工学]模拟电子技术

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时间:2018-12-04

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1、模拟电子电路B黄丽亚1两种信号模拟信号Analogsignal数字信号Digitalsignal2模拟信号是连续的、平滑的周期或非周期函数信号。如语音(音频)信号、图像(视频)信号、模拟温度、压力的物理量检测信号等。3数字信号是间断的、离散的瞬时值周期或非周期函数信号如开关信号、脉冲信号、计算机编码信号等。4两种电路模拟电路Analogcircuit数字电路Digitalcircuit5课程地位与课程体系是重要的学科基础课是电子信息类专业的主干课程是强调硬件应用能力的工程类课程是工程师训练的基本入门课程是很多重点大学的考研课程6我对学好电子电路的定义主要学习和掌握电子技术的硬件知

2、识和应用实践能力学好用好电子电路是电子工程师所应具备的“基本功”和“看家本领”7掌握硬件本领当前社会对于硬件工程师(特别是具有设计开发能力的工程师)需求量很大。培养硬件工程师比较困难。学好并掌握硬件本领将使你基础实,起点高,发展大,受益无穷!8这门课的特点涉及相关知识较多:高等数学、电路分析、信号与系统等曾有人戏称模拟电子电路为“魔鬼电路”,简称“魔电”。9怎样学好这门课强调自学能力,注意学习方法。入门时可能会遇到一些困难。注意不断改进、总结和调整、提高。10学习方法“过四关”基本器件关-----电路构成工程近似关-----分析方法实验动手关-----实践应用EDA应用关----

3、-设计能力11几点建议:“爱好”和“志向”很重要!“兴趣是最好的老师”学习主观能动性是学好这门课的“关键”。“让我学”和“我要学”教学相长“教师是启发和引导者”“好学生不是教出来的”12考试成绩评定平时10%期中20%期末70%13教材孙肖子等编,模拟电子技术基础,西安:西安电子科技大学出版社,2001.参考书1康华光主编.电子技术基础(模拟部分,第四版),北京:高等教育出版社,1988.2谢嘉奎主编.电子线路(线性部分,第四版),北京:高等教育出版社,1999.14电子电路数字电路模拟电路低频电路(处理低频信号)高频电路(处理高频信号)电路分类电子电路数字电路模拟电路线性电路(

4、处理小信号)非线性电路(处理大信号)15第一章晶体二极管及其基本电路1-1半导体物理基础知识导体半导体绝缘体物质半导体的特性:1.导电能力介于导体和绝缘体之间;2.导电能力随温度、光照或掺入某些杂质而发生显著变化。16+14284+3228184硅原子(Silicon)锗原子(Germanium)图1硅和锗原子结构图硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓(GaAs)1-1-1本征半导体17+4图1-1硅和锗原子结构简化模型惯性核电子18+4+4+4+4共价键价电子图1-2单晶硅和锗共价键结构示意图19说明:1、共价键:相邻两个原子中的价电子作为共用电子对而形成的相互作用力。2、单晶硅:原

5、子按一定的间隔排列成有规律的空间点阵结构。通常共价键的电子受到所属原子核的吸引,是不能自由移动的。——束缚电子,不能参与导电。3、本征半导体:纯净的(未掺杂)单晶半导体称为本征半导体。20绝对零度(-273OC)时晶体中无自由电子——相当于绝缘体。载流子(Carrier)指半导体结构中获得运动能量的带电粒子。有温度环境就有载流子——本征激发一、半导体中的载流子——自由电子和空穴21+4+4+4+4自由电子空穴束缚电子图1-3本征激发产生电子和空穴在一定的温度下,或者受到光照时,使价电子获得一定的额外能量,一部分价电子就能够冲破共价键的束缚变成自由电子——本征激发22注意:1、空穴

6、的运动可以看成一个带正电荷的粒子的运动。2、一个空穴的运动实际上是许多价电子(不是自由电子)作相反运动的结果。但是一个空穴运动所引起的电流的大小只与空穴的多少有关,与多少个价电子运动无关。3、若没有空穴,价电子不会运动,即使互换位置也不会带来电荷的迁移。23结论在半导体中,有两种载流子:自由电子(负电荷)和空穴(正电荷)。在本征半导体中,自由电子和空穴是成对出现的。24二、本征载流子浓度复合:由于正负电荷相吸引,自由电子会填入空穴成为价电子,同时释放出相应的能量,从而消失一对电子、空穴,这一过程称为复合。与本征激发是相反的过程。一分为二本征激发复合合二为一载流子浓度:载流子浓度越

7、大,复合的机会就越多。在一定温度下,当没有其它能量存在时,电子、空穴对的产生与复合最终达到一种热平衡状态,使本征半导体中载流子的浓度一定。25本征载流子浓度:式中:ni、pi——分别表示电子和空穴的浓度(㎝-3);T——为热力学温度(K);EG0为T=0K(-273oC)时的禁带宽度(硅为1.21eV,锗为0.78eV);k为玻尔兹曼常数(8.63×10-6V/K);A0为与半导体材料有关的常数(硅为3.87×1016㎝-3·,锗为1.76×1016㎝-3·)。26说明随着T的增

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