太阳能级多晶硅的冶金制备研究

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时间:2019-02-06

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1、大连理互大学硕士学位论文摘要3E,器p能源(energy)、经济(economy)和环境(environment),被称为人类文明可持续发展所面临的三大课题。能源的短缺、环境的恶化成为了制约经济可持续发展的瓶颈因素。当传统的燃料能源一天天减少的时候,人们把目光投向了可蒋生能源,希望可再生能源能够改变人类的能源结构,维持长远的可持续发展。其中太阳能以分布广泛、储量丰富、清洁无污染等优点成为解决能源危机和环境污染的首选新能源。世界光伏产业年平均超过30%的快速增长拉动了对原料太阳能级多晶硅的需求,如今太阳能级多晶硅的需求已经超过7电子级多晶硅,因此研究高效率低成本的太

2、阳能级多晶硅的制备方法具有现实意义。如今生产太阳能级多晶硅主要采用改良西门子法,但此法能耗大污染重,焉虽由于国外技术封锁,我国至今还未掌握核心技术。本研究的目的是发展具有自主知识产权的能耗污染相对小的冶金法制备太阳能级多晶硅新技术。本研究采用真空感应熔炼并结合定向凝固的方法直接由工业硅制得多晶硅锭,兔去了高纯多晶硅的生产环节,环境污染轻,对外依赖性小。实验中自行设计了一台将真空感应熔炼技术与定向凝固技术相结合的实验装置,并在此基础上探索了工业硅的真空感应熔炼及定向凝固工艺,成功地制雩寻了多晶硅锭。利用金相显微镜、电子探针和电感耦合等离子体发射光谱仪对样品进行了金相

3、组织、杂质分布以及纯度分析。定向凝固得到的大晶粒柱状晶使得晶界对光电转换效率的影响减小。电子探针观察到金属杂质易在晶界处偏聚,此时晶界将具有电活性,会显著降低少数载流予寿命,杂质的偏聚程度对少数载流予寿命的影响规律还有待于进一步研究。本研究还分别讨论了磷杂质和金属杂质的去除情况。关键词;太阳能级多晶硅;真空感应熔炼;定向凝固太阳能级多晶硅的冶金制备研究ResearchonMetallurgicalProcessingofMulti—crystallineSiliconforSolarCellsAbstractEnergy,economyandenvironment

4、areconsideredasthethreemainproblemsofmen’scontinuousdevelopment.,nleshortageoftheenergyandthedeteriorationofenvironmentrestrictthegrowingofeconomy.Solarenergywillsoonbeingreatdemandsinceitisinexhaustibleandmuchcleanerthananyotherconventionalenergyresources.Thephotovoltaicindustryisgro

5、wingattherateof30%annually.Inthenearfuture,thephotovoltaicindustrywillfaceasevereshortageofcrystallinesilicon,becausetheoriginalsource.wastefromthemicroelectronicindustry,iSindecline.Soitwillbesignificanttodevelopatechniquewithhighefficiencyandlowcostformulti-crystallinesiliconmakingd

6、irectlyfrommetallurgical.gradesiliconwhichisabundantinChina.High.puritymulti.crystallinesiliconwhichistherawmaterialforphotovoltaicindustryandelectronicindustryismainlyproducedbyimprovedsiemensprocessduringwhichamassofsiliconalkylandchloridegenerated.Eventhough,theamountofmulti—crysta

7、llinesiliconcallnotmeetthedemandofphotovoltaicindustry.ThecoretechniquehasnotbeengripedinChina.Soitissignificanttodevelopanew,high-yieldandenvironmental-protectivemetallurgicalprocess.Thisprojeetdevelopesanewmetallurgicalprocessingcombiningthevacuuminductivemeltingtechniquewithdirecti

8、onals

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