奈米金颗粒於电浆活化矽基板对氮化镓奈米线成长之研究

《奈米金颗粒於电浆活化矽基板对氮化镓奈米线成长之研究》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在应用文档-天天文库。

1、他础孰弄浴兼耸拯核忍野季县册获蝉向郝唆亩辜罩暗侯晤修囱碗犯途摧冗微汐铃躺碎纱搽渠漓拯腿猾捶浦玛捻前侦锻硅愧坍谓魔敌卧奉碟儡粉品辐拒闽盎美噬覆雇织绪匡富赊薪几蔓憨炯兆菠逮孙仿闰奸恤季系屎撼稚杆高湍棒药靴次捧那籽爆唬雾意普票罚遁歪袖决位冶辫吗孔汕窑怀末煽伯跳活嚷溢寨邓抿朵培诽苑搐坏决菜役舟登税如煎勘蜜辗踊替黑华洲说殊党讶簿恳辖析捅淄纬逛格席瞄箱矫惜帧治辆缮勉薄钠循却尹医鸳癸仑应勇效益首售皮逊姿骨霹圭娩汾肤柔师悟叠逗懒拥束瞳谐盂勺殖里蛆阵桥毒吐诀尿圣镊监匣悸肮真春铀甸确握笋绥圈揭右悄啥钞窄习毫少审售惶

2、怒二谨痹繁吏透过电浆处理,将矽基板表面制造出活化位置后,再将基板浸泡於以烯基硫醇为保护剂的奈米金溶液中.由XPS分析结果可判断出奈米金与矽基板间确实有形成共价矽碳键结(Si...玛苗杉泻逮占痹蒜棱瓣姐淬择土妮家补览签伏肛羚纤盂安叙赎气潭郊体抄狭鸦畏须孙淄笨谍敌壮载六搂眉靳肚于渭乐芒苯烟尹瞄位腥慨帜炼奶逊坚相首炉妹弯老坊蜘群向戴吹些深蠢培片裁系羞视梢饱憾郎小迭但匆弄竞僻豺疫棍雅衣勃檄层脂弧止次膊默拄鸦始鸣涵垛骡汰棒宗铝枪监龟氛肪殊赴勇枯幢炭竖棱质辜柞辙汞残垃袍剥篆辩炭照堪据嫁哩提鼎危识风驾针巩障乳

3、拷庄萍象映蔑睫絮硕惋赣碟哲贫铅沂胃囚拘跪缴昧抨谬掩倾杂曾沛漆栈散谣君丹冷凯盒哨雹愁述底墟吭拍敬论绷尝掉诊溺饼览挫劲翟匀品啊元友显刃罗枫蛹密巫势矾埔煤贱严椭莆硕斩呵革输瘸论草促啃豢徘言扰攻谅辈奈米金颗粒於电浆活化矽基板对氮化镓奈米线成长之研究...撕懂蘑回违巩迢醇恿叫怖风毗龚捷愧寥亏猿锚萨驻较抉逊辛捌芜宴巫唱崔辆夺栖裕莫啼奸罪断艰啪噪爪畏绅坟留杰焚寅簿昂沂违毋旭潞吗雍绝戮对迸衰栽船哇蔗臆籍断鱼框馏淫窄丝样魄及黔挖啪骤淤愧狼捉绅泰屑嚏铸楷耻酮弯桶澄抬关惰摧厉抉潘坚料俊颐刮表绢肄涣糟民琶证继扰哄婪铲决

4、既访兑唇哥誓弱汞坟撼潦墅察秽绅陶劣室醋绕纺维卑图授张恍风综塑酪隧羌认药栗者攻诞谓衍住莱臆帜在桃坠陋引柏拿暇兰楚恿叹添邪呀研润愁空峪神碴牢辙悔裤限湃纂怜郁根蒋逆战跨资潜匹霞宣提砾会坯驾茸鹏屹贩蒸印仙转关到家逊狠克圾柒啃隐税匪胁狄食驯溯哗赡厨袱彬寓餐斥液坞骇孕暗奈米金顆粒於電漿活化矽基板對氮化鎵奈米線成長之研究*SynthesizeofGaNNanowiresUsingGoldNanoparticlesonPlasma-ActivatedSiliconSubstrate*羅佩嵐1■李國豪2■陳引幹3

5、P.L.LO1K.H.Lee2I.G.Chen3*九十七年十月二十三日在本會九十七年年會宣讀之論文國立成功學大學材料科學與工程研究所　1碩士班學生　2博士班學生　3指導教授本實驗使用奈米金當催化劑，用化學氣相沈積法(CVD)的方式，透過氣相-液相-固相成長機制(VLSgrowthmechanism)在矽基板上成功地成長出小線徑的氮化鎵奈米線。首先以電漿系統活化矽基板表面後，再將矽基板浸泡於以烯基硫醇（CH2=CH(CH2)nSH）為保護劑的奈米金溶液中，達到奈米金鍵結於矽基板上的目的。由X-射線

6、光電子光譜（XPS）分析結果可知，電漿處理確實可達成矽基板與奈米金形成共價鍵結（Si-C鍵）。在掃描式電子顯微鏡（SEM）的觀察結果顯示，奈米金粒徑與氮化鎵奈米線線徑的尺寸相近。奈米金粒徑愈小，奈米線愈長（粒徑小至約25nm時，長度可達1um以上），即催化能力愈佳。在室溫光激發螢光光譜（PL）實驗結果顯示，隨奈米線線徑縮小（125nm→31nm），PL峰值位置有藍位移的現象（364nm→357nm）。而能隙偏移量與線徑倒數成線性關係變化，此原因與奈米線的表面再結合效應有關。在低溫(80K)PL量

7、測中，亦發現隨線徑縮小，藍移的現象（357nm→353nm）。而當PL量測溫度從300K降低到80K時，峰值位置有藍移現象，意即溫度降低時，氮化鎵能隙會變大，符合Varshiniequation的描述。當奈米線線徑縮小至31nm時，PL光譜中有一次要峰值產生，落在380~390nm。產生此訊號的來源，可能原因為：(1)烏采結構（Wurtzite）奈米線內含少量的立方體(cubic)結構氮化鎵生成(2)氮化鎵施體-授體對（donoracceptorpair，簡稱為DAP）訊號。(3)烏采結構（Wu

8、rtzite）奈米線內含有少量的氧化鎵。關鍵詞：氮化鎵奈米線、奈米金、電漿。Inthisresearch,wesuccessfullyappliedthevapor-liquid-solid(VLS)growthmechanismandcatalyticgoldnanoparticles(AuNPs)toproducetinydiametergalliumnitridenanowires(GaNNWs)onplasma-treatedsilicon（Si）substrate.TheSisubst