微波CVD设备-东..

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1、微波CVD设备技术方案TMMPS-201C型微波CVD设备是参考国外一些同类机型设计和研制的一款1KW/2450MHz多用途、高稳定中等压强微波等离子体综合实验加工设备。系统几个主要部分如框图所示。TMMPS-201C微波等离子体CVD系统示意图它具有性能先进、功能完善、结构合理、使用方便、安全可靠等特点。特别适合应用于金刚石等多种薄膜的化学气相沉积（CVD）；材料表面处理和改性；低温氧化物的生长等高科技领域。1.系统组成和主要特点：1)微波功率100W～1kW连续可调，最高大功率可达1kW；稳定度优于±1％；控制性能好；内部智

2、能模块提供方便地手动程控，采用磁控管灯丝降压跟踪技术，无电容电感滤波的高精度电压反馈调整及磁场线圈电路稳定技术；采用完善的线路安全闭锁控制系统，使该系统工作寿命长，电气性能优良，安全可靠，操作简单方便。2)系统采用由BJ-26波导和1kW功率量级的高性能微波环行器，手动三销钉调配器，带反射波取样的水负载以及外部连接波导组成的优良微波传输系统。它确保反射波对磁控管的良好隔离，使之稳定工作，又能在等离子体负载大范围变化时（VSMR-1.5～30），能方便地调节最佳匹配，达到微波功率的最佳传输，并通过反射波取样，以数字显示反射功率大小

3、和实时工作状态。3)下注式（DOWNSTREAM）微波反应腔。它由工作于TM012或TM013模式的圆柱腔，带可调同轴耦合探针的门钮式同轴波导耦合器、板式石英窗构成的微波放电室所组成。适当调节波导短路活赛L2，以及同轴耦合探针L3，可在很宽的运行范围内高效率地把微波功率耦合给等离子体，在等离子体放电室中产生高密度、高电离度、大面积极均匀稳定的微波放电。我们在总结过去经验基础上，将在腔体结构和尺寸以及所有调节机构方面做精心设计和技术改进，确保在气压50乇、微波功率1KW时，微波腔体系统能正常工作，微波等离子体火球稳定于基体上，位置

4、居中，等离子体火球覆盖40mm基体（低气压应更大），即第二场强最大处。腔体系统不存在打火现象。4)样品支架调节系统：具有基片冷却功能。5)3路气体流量控制系统。1、50SCCM;2、100SCCM;3>200SCCM设备机柜中，气路短、紧凑、控制调节方便。二、系统总体技术参数1.微波源和系统工作频率：2450±50MHz输出功率：100W～1KW连续可调，最大功率可达1kW功率稳定度：（在额定功率电平）优于±1%输出波导接口：BJ-26带FD-26标准法兰控制方式：手动编程控制,实现全程序控制。输入电源：380V±10%三相四线

5、冷却水流量：V>4L/min系统驻波系数：VSWR1.52.微波的反应腔尺寸和工作模式：φ88mm×250mm;调节功能：耦合波导短路活塞：L20～120mm耦活探针深度：L30～20mm石英窗尺寸：特制3.气路系统：3路MFC控制（可按用户要求选配）4．基片冷却系统:风冷或水冷基片温度调节范围:500℃～12005.测温方式：红外测温6．微波反射功率小于10%，反射功率可测。7．微波泄漏:：符合国家标准。8.主要配置清单序号部件名称规格型号数量1．微波源1kw、高稳定微波源1台2.微波传输系统包括--环行器、调配销钉BJ26转

6、弯波导，数个波导1套3.模式变换器配φ88mm圆柱腔体1套4.微波反应腔φ88mm、圆柱腔体1套5.样品支架调节系统高真空轴向调节样品架φ45mm1套6.气体流量及其控制显示系统50/100/200sccm4路7.电气控制系统手动控制1套单价：25万、台交货期：4个月