影响沉淀纯度的因素

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1、后沉淀表面吸附吸留与包夹生成混晶共沉淀第四节影响沉淀纯度的因素影响因素一、共沉淀现象当一种难溶性物质从溶液中析出时，溶液中的某些本来是可溶性的杂质也会被同时沉淀下来的现象。1.表面吸附产生的原因：由于晶体表面离子电荷不平衡所致。Ba2+SO42溶液第一吸附层（吸附层）第二吸附层（扩散层）双电层沉淀内部表面BaSO4晶体表面吸附作用示意图例：沉淀重量法测定Ba2+含量(共存Fe3+)表面吸附作用力？例：Ba2+SO42-沉淀用Na+SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+

2、Ca2+Ca2+NO3-Cl-Cl-Cl-K+SO42-SO42-吸附层扩散层Na2SO41.4K2SO40.64CaSO43.6×10-4BaSO4~10-5Ca(NO3)23.2CaCl29.4溶解度(molL-1)：25C吸附层：构晶离子或与之大小相近、电荷相同的离子扩散层：抗衡离子溶解度小吸附规律：吸附杂质的多少取决于?价态高浓度大吸附杂质的多少取决于：沉淀的比表面积杂质离子的浓度溶液的温度纯化方法：洗涤2.吸留与包夹吸留：由于沉淀的生成速度过快，表面吸附的杂质离子来不及离开，被随后生成的沉淀所覆盖而包藏于沉淀内部的现象。包夹：包藏的为母液吸留与包夹的区

3、别：吸留有选择性（吸留的杂质离子符合吸附规律）包夹无选择性吸留、包夹与表面吸附的区别：吸留和包夹表面吸附发生部位沉淀内部沉淀表面纯化方法重结晶或陈化洗涤3.生成混晶杂质离子与构晶离子的半径相近，电子层的结构相同，而且所形成的晶体结构也相同时，极易形成混晶。纯化方法：预先将杂质分离除去。例：二、后沉淀现象（继沉淀）——当沉淀形成后，在沉淀与母液共置的过程中，溶液中的某种可溶性杂质慢慢沉淀到原沉淀表面的现象。[Zn2+][S2-]Ksp(ZnS)ZnS[Mg2+][C2O42-]Ksp(MgC2O4)MgC2O4又如：ZnCuSSS如何纯化？后沉淀主沉淀

4、形成后，诱导本来难沉淀的杂质沉淀下来缩短沉淀与母液共置的时间表面吸附是无定形沉淀不纯的主要原因，洗涤吸留、包夹是晶形沉淀不纯的主要原因，陈化、重结晶混晶预先将杂质分离除去共沉淀小结共沉淀与后沉淀对分析结果的影响SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Cl-Ba2+包藏BaCl2测SO42-,正误差测Ba2+,负误差H2SO4包藏H2SO4测Ba2+,无影响测S,负误差测定结果吸附物质BaCl2H2SO4Na2SO4测SO42-测Ba2+无杂质不含待测组分：看能否

5、除去，能则无影响；否则结果偏高。杂质含有待测组分：m（M）增加，结果偏高；m（M）减小，结果偏低。p329习题21三、提高沉淀纯度的方法选择适当的分析步骤——先沉淀含量少的组分选择合适的沉淀剂——有机沉淀剂可有效减少共沉淀改变易被吸附杂质离子的存在状态——分离或掩蔽选择适当的洗涤剂进行洗涤及时进行分离，减少后沉淀再沉淀——有效除去吸留或包夹的杂质改善沉淀条件——温度，浓度，试剂加入次序或速度，是否陈化节点学习本重影响沉淀纯度的因素表面吸附规律减免共沉淀与后沉淀的措施预习：第五节沉淀条件的选择