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《多元稠杂环有机场效应晶体管半导体材料的合成及性质研究【开题报告】》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、毕业设计开题报告应用化学多元稠杂环有机场效应晶体管半导体材料的合成及性质研究一、选题的背景和意义有机场效应晶体管在柔性显示、大规模集成电路、智能卡以及电子标签等方面有着广泛的应用。特别是对于柔性显示器，传统的硅基晶体管因不能承受较大的弯折而无法使用。有机半导体材料具有柔性好、成本低、可弯折、可大面积制作等优势而备受科学家和工业界的关注。尽管目前已有大量的有机半导体材料报道，一些材料也显示了很好的场效应晶体管器件性能。但仍然存在着许多挑战，特别是大多数器件性能较好的材料其稳定性反而很差，限制了其实际应用。要想实现工业化应用，发展新的性能更好的有机半导体材料仍然是摆在化学家面前的一项重要任务
2、。目前有机场效应晶体管存在的最主要问题之一就是发展高稳定性、高迁移率的有半导体材料。要提高迁移率，增加共轭长度以及载流子离域范围是一种有效的方法。然而，对于一维有机半导体材料，如并苯类化合物，增加化合物共轭链长度，将导致材料的能隙趋于零而稳定性快速降低。如何既能提高化合物共轭度以提高场效应晶体管器件的迁移率，又能有好的稳定性？采用二维稠环化合物构型将有效的提高化合物的共轭度及载流子离域范围，同时避免了能隙的降低，保证了化合物的稳定性。二维稠环化合物的合成将得到一个高稳定性、高迁移率的有机半导体材料，同时将为发展性能优异的新型有机场效应晶体管半导体材料提供重要的理论和实践指导意义。二、研究
3、目标与主要内容(含论文提纲)研究目标：合成多元含硫稠杂环有机半导体材料。3研究内容：先用丁基锂和硼酸酯合成苯并噻吩的硼化试剂，再通过Suzuki交联偶合反应，四个苯并噻吩结构单元在噻吩环的2，3，4，5位上取代形成二维寡聚物，最后通过FeCl3氧化关环形成蝴蝶状二维稠环化合物。三、拟采取的研究方法、研究手段及技术路线、实验方案等本研究拟采取以下实验路线，见图1。先用丁基锂和硼酸酯合成苯并噻吩的硼化试剂，再与四溴噻吩通过Suzuki交联偶合反应，得到四个苯并噻吩结构单元在噻吩环的2，3，4，5位上取代形成二维寡聚物，最后通过FeCl3氧化关环形成蝴蝶状二维稠环化合物。图1四、中外文参考文献
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6、enzo[d,d′]thieno[3,2-b;4,5-b′]dithiophene,anEasilySynthesizedSemiconductorwithHighIonizationPotential[J].Adv.Mater.,2007,19:3008-3011.五、研究的整体方案与工作进度安排(内容、步骤、时间)整体研究方案按照图1所示实验路线进行。具体研究进度如下所示：2010.11.01—2010.11.18化合物2的合成、纯化与表征；2010.11.19—2010.12.20化合物3的合成、纯化与表征；2010.12.21—2011.1.15化合物2，3放大量及化合物4的合成
7、、纯化与表征；3六、研究的主要特点及创新点用简单的方法一步合成带九个芳香环结构单元的寡聚物，并通过简单的氧化反应得到新型的二维稠环有机半导体材料。二维稠环化合物将提供较大的有效的电子离域范围，同时避免稳定性降低。创新点：本研究的合成方法简单，构型设计巧妙。3
