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1、7/15/2021封裝製程簡介AssemblyProcessIntroduction晶圓切割WaferSaw/CleanQCLotAcceptance-Continued製造流程及相關說明切割道將裝載有鐵環之提籃置入切割機中,利用自動送料/辨識/切割/清洗/烘乾等步驟將晶圓上的每一顆晶粒切穿分離。切割前須設定刀具之運動座標,切割時並用純水沖洗殘屑,沖洗完並以SpinDry方式烘乾。間接材料:純水治具:刀片使用高倍顯微鏡以抽樣方式抽檢切割完成之晶粒品質是否有不良,碎裂/刮傷/矽粉殘留…..等-Con
2、tinued製造流程及相關說明KeyProcessConcerns-WaferPreparation:*晶圓貼片WaferMount-晶圓貼片藍膠帶與Wafer之間要避免氣泡;否則切割時會有晶粒掉失及切割刀斷裂情形。*晶圓切割WaferSaw/Clean-1.切割刀使用壽命期要掌握；以確保品質,避免刀痕過寬、崩裂、甚至造成刮傷、破片。2.純水加入CO2以降低阻抗避免ＥＳＤ。3.清洗壓力及角度須控制，以避免矽粉殘留。切割參數如速度,深度,轉速要掌握,以確保品質。4.清洗水壓須適當控制;以免晶圓保護層
3、脫落,甚至對晶圓產生應力破壞。上片DieBond銀膠烘烤EpoxyCure-ContinuedEpoxyChipEpoxy利用上片機之送料/辨識/吸片/點膠..等機構運動完成此製程,先將導線架輸送至固定位置,點膠機構於導線架之上片區點上銀膠,辨識吸片機構將晶粒從藍膠帶上吸取移動置放於銀膠上直接材料:導線架/銀膠治具:頂針/吸片頭/點膠頭/彈匣製造流程及相關說明將上片完成之半成品置於烤箱中使銀膠固化-Continued製造流程及相關說明KeyProcessConcerns-DieBonding:*材
4、料：銀膠銀膠選用要考慮:-有強的JointStrength.-CTE.一般介於晶粒與導線架之間，以吸收應力。-低離子含量(如Na，Cl，K，鹵化物)-導電性佳。-導熱性佳。-足夠高的玻璃轉化溫度。-Workability(Dipensability)-樹脂擴散程度低。-Continued製造流程及相關說明*上片製程管理-1.上片(晶粒)及導線架方向要確認後始才作業。2.銀膠要掌握有效壽命;適當儲存/回溫及均勻攪拌後才可使用。3.依晶粒尺寸選取適合之點膠頭;確保膠量適當。4.依晶粒尺寸選取適合之吸片
5、頭。5.吸片頭需定期檢查清洗及更換;避免異物或r變形造成晶粒刮傷。6.上片位置要一致,準確。7.影像辨認系統要設定良好以免誤吃墨點片。8.Mapping檔案要核對;並需確認實際吸片情形。9.膠量控制均勻,且厚度在一定範圍內。10.控制烘烤溫度曲線,確保晶粒附著力及避免空洞。11.控制烘烤排氣及氮氣之供應;避免沈積及過度氧化。12.選取適合之頂針;並控制頂針高度,壓力;避免崩裂晶粒。KeyProcessConcerns-DieBonding接線WireBondJ-Loop-ContinuedSqua
6、reLoopGoldWire製造流程及相關說明將裝載完成銀膠烘烤半成品之彈匣置入接線機進料端中,利用接線機之輸送/辨識/焊接…等機構運動,使晶粒之鋁墊與導線架之內腳形成連接(超音波並用熱壓著法)直接材料:金線間接材料:鋼嘴-Continued產品製造流程及相關說明KeyProcessConcerns-WireBonding:*材料：金線金線選用要考慮:-客戶需求。-有良好BreakingLoad/Elongation/HearAffectedZone。-BondPadSize/LoopLength
7、/Loopheight。-導電性佳。-導熱性佳。-Continued產品製造流程及相關說明KeyProcessConcerns-WireBonding*製程管理-1.晶粒,導線架&彈匣方向要確認後始才作業。2.選用適當之鋼嘴與金線並控制鋼咀壽命,以確保接線品質。3.落實首件檢查,核對接線圖,確保接線正確。4.掌握接線參數(功率/能量/時間/溫度/線弧控制…...)。各項參數做良好之搭配與控制確保第一/二焊點及線弧之型狀/厚度/大小/高度在一定規格要求內。5.定期量測預熱及接線溫度;確保接線品質。6
8、.注意壓板調整,使平坦、均勻的貼平導線架上片區及壓合導線架打線區(innerleads)以防止上片區晃動及第二銲點不粘。7.影像辨認系統之接線參考點及燈光要設定良好;以免第一焊點及第二焊點打偏。8.以拉力強度和推球強度及腐蝕試驗驗証製程能力,掌握品質。壓模Molding-ContinuedDiePad壓模後烘烤PostMoldCurePlasticBodyQCLotAcceptance產品製造流程及相關說明使用顯微鏡以抽樣方式抽檢接線完成之半成品品質是否有不良,漏接線/短路/打偏…
