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1、1•单项选择题(1)杂质半导体11•的少数载流子浓度取决于(A.掺杂浓度B.工艺C.温度(2)硅稳床管在稳压电路屮稳压吋，工作于(A.正向导通状态B.反向电击穿状态穿状态(3)测得一放大电路屮的三极管各电极相对于“地”）。D.）。晶体缺陷C.反向截止状态D.反向热击A.NPN型硅管B.NPN型错管(4)温度上升吋，半导体三级管的(A.B和【CBO增大，Ube下降B.C・B减小，Icbo和Ube增大D.C.PXP型错管)oB和Ube增大，Icbo减小0、1顾和％均增大的电压如图1所示,D.PXP型硅管⑸在共射极、共基极、IAv
2、>1的只可能是(A.共集
3、电极放大电路C.共漏极放大电路(6)在四种反馈组态中,A.电压并联负反馈C.电流并联负反馈共漏极四种杲本放人屯路屮,共集电极、)。B.共基极放大电路D.共射极放大电路能够使输出屯用稳定，并提高输人屯阻的负反馈是(B.电压串联负反馈D.电流串联负反馈①丿-2V②22V■8V(图1)U。与Ui相位相反、(7)关于多级放大电路下列说法屮错误的是((图2)(10)在下列四种比较器屮.抗干扰能力强的是()。A.迟滞比较器B.零比较器C.三态比较器D.窗口比较器2.填充题(IDS放大电路输入非正弦信号时，由于放大电路对不同频率分量有不同的放大倍数而产生的输出失真
4、称为失真，由于相位滞后与信号频率不成正比而产生的输出失真称为失真，这两种失真统称为失真或失真。(12)半导体三极管属控制器件，而场效应管属于控制器件。(13)按结构不同，场效应管可分为型和型两大类。(14)集成运放内部电路实际上是一个、、放大电路。(15)直流稳压电源由、、、四个部分组成。(16)按幅频特性不同，滤波器可分为滤波器、滤波器、滤波器、滤波器及滤波器等五种。3.分析计算题(17)电路如图3所示.已知Rbi=50KQ,Rb2=10KQ,Rc=6KQ,Re=750Q,信号源内阻Rs=5KQ,负载电阻Rl=10KQ,电源电压+VCC=12V,电
5、容C,C?的电容量均足够大，晶体管的3=99、rflKQ、UBe=0.7Vo试求：(a)电压放大倍数Au(=U(>U)及仏(=UO/US)；(b)输入电阻&和输出电阻Ro。A・Au等于各级电压放大倍数之积B.心等于输入级的输入电阻C.Ro等于输出级的输出电阻D.A.等于各级电压放大倍数之和(8)用恒流源电路代替典型差动放大电路屮的公共射极电阻Re,可以提高电路的()。A.IAuaIB.IAucIC.RidD.Kcnr(9)电路如图2所示，其中U2=20V,C=100uFo变压器内阻及各二极管正向导通时的电床降、反向电床均可忽略，该电路的输出电床U°~
6、()oA.24VB.28VC.-28VD.-18V（图3）（图4）（18）电路如图4所示。已知:Vcc=40V,Rl=8Q,输入电压u,=20+10^2sinwt（V），电容器C的电容量足够大。试求比、输出功率P。、电源消耗功率Pv及能量转换效率八。（19）电路如图5所示。其中Ri=R2,R3=R4=R5=R6,各集成运放的性能均理想。试求uoi、u02及uo的表达式。口R»2（20）电路如图所示。已知：Ri=R2=R3=Rw=1KQ,Dz提供的基准电压Ur=6V,变压器付边电压有效值（U2）为25V,C=1000uFo试求Ui、最大输出电压U°唤及
7、最小输岀电压5血,并指出U（）等于5吨或5罰时，Rw滑动端备应调在什么位直。8<]IR3UrS'DzRiRwR2Uo与26某放大电路'pAv的对数幅频特性如图3所示。（1）试求该电路的屮频电斥增益AvM，上限频率命，下限频率纪；（2）当输入信号的频率f=fL或仁站吋，该电路实际的电压增益是多少分贝？（5分）20.已知某放大电路电斥增益的频率特性表达式为（试屮f的单位为HZ）试求：该电路的上、下限频率，屮频电丿禾增益的分贝数，输出电丿力与输入电床在屮频区的相位差。（4分）试卷二答案1.单项选择题⑴C(2)B(3)C(4)A(5)D(6)B(7)D(8)
8、D(9)B(10)A2.填充题（11）幅频相频频率线性（12）电流电压(13)结绝缘栅(14)高增益頁接耦合多级(15)变压器整流电路滤波电路稳压电路(16)低通高通带通带阻全通3•分析计算题(17)(a)人=0(心〃心)(1+叭=7.5K1&=Rr//RB2//[/be4-(1+J3)Re]=50//10//[1+(1+99)x0.—L=丄IX(-4.88)=-2.93R’+Riu5+7.55f(b)Ri=7.5kQRo=Rc=6kQ(18)(a)卩Rc—241+2+(1+100)*(b)Rid=2Rp+7呢+(1+0)寸id=2x
9、1+2+lO
10、lx—I216.1K1从&的集电极输出吋uc2卩RcRrb+Ybe+(1+0)寸+2(1+0)Re=0.33
